Продукція > PXN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PXN7R7-25QLJNexperia USA Inc.Description: PXN7R7-25QL/SOT8002/MLPAK33
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 11.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: MLPAK33
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 12.5 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN7R7-25QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN7R7-25QLJ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN7R7-25QLJNexperia USA Inc.Description: PXN7R7-25QL/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 770 pF @ 12.5 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 11.8A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.8A (Ta), 32A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.92 грн
14+22.12 грн
25+19.71 грн
100+16.04 грн
250+14.86 грн
500+14.15 грн
1000+13.34 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN7R7-25QLJNexperiaMOSFETs N-channel 60 V, 7.7 mOhm, logic level Trench MOSFET in MLPAK33
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PXN7R7-60QLAJNexperiaMOSFETs N-channel 60 V, 7.7 mOhm, logic level Tr
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PXN8R3-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN8R3-30QL/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 11.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
15+21.13 грн
25+18.81 грн
100+15.29 грн
250+14.15 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN8R3-30QLJNexperiaMOSFETs PXN8R3-30QL/SOT8002/MLPAK33
на замовлення 1648 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PXN8R3-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN8R3-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0071 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 11.4
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 12.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.18 грн
500+22.95 грн
1000+14.91 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN8R3-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN8R3-30QL/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 760 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.9 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.7W (Ta), 12.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 11.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 31A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN8R3-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN8R3-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0071 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 11.4
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 12.5
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.5
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0071
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.77 грн
21+39.26 грн
100+29.18 грн
500+22.95 грн
1000+14.91 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN9R0-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN9R0-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0077 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 11.4
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+27.96 грн
500+21.96 грн
1000+14.28 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN9R0-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN9R0-30QL/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 26W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 11.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 41.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+14.45 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN9R0-30QLJNEXPERIADescription: NEXPERIA - PXN9R0-30QLJ - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.0077 ohm, MLPAK33, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 11.4
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 1.9
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.9
Bauform - Transistor: MLPAK33
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: Trench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0077
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0077
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+47.14 грн
22+37.63 грн
100+27.96 грн
500+21.96 грн
1000+14.28 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN9R0-30QLJNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 446 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PXN9R0-30QLJNexperia USA Inc.Description: PXN9R0-30QL/SOT8002/MLPAK33
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 865 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20.7 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: MLPAK33
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.9W (Ta), 26W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.1mOhm @ 11.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.4A (Ta), 41.8A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.70 грн
14+22.64 грн
50+18.67 грн
100+16.37 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PXN9R1-60QLAJNexperiaMOSFETs N-channel 60 V, 9.1 mOhm, logic level Tr
на замовлення 204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2