Продукція > STQ

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STQ2LN60K3-APSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STQ2LN60K3-AP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 600 mA, 4 ohm, TO-92, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: TO-92
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: MDmesh K3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 3595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ2LN60K3-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 600MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.08 грн
4000+13.29 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ2LN60K3-APSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600V 4 Ohm 0.6A SuperMESH3 FET TO92
на замовлення 3710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ2LN60K3-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 600MA TO92-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V
на замовлення 1496 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+59.57 грн
10+35.55 грн
100+23.08 грн
500+16.62 грн
1000+15.00 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ2N62K3-APSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 620V 2.95 Ohm 2.2A SuperMESH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STQ2N62K3-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 620V 2.2A TO92
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STQ2NK60ZR-
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ2NK60ZR-APSTMicroelectronicsMOSFETs PTD HIGH VOLTAGE
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ2NK60ZR-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+35.46 грн
23+33.77 грн
100+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ2NK60ZR-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 700mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ2NK60ZR-APSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 614 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
419+33.77 грн
604+23.45 грн
Мінімальне замовлення: 419 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ2NK60ZR-AP*****
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ3016Z
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ3N45K3-APSTMicroelectronicsMOSFET N-Ch 450V 3.2 Ohm 1.8A SuperMESH3
на замовлення 1339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQ3N45K3-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 450V 600MA TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ3NK50ZR-APSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 500MA TO92-3
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 1.15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Box (TB)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Power Dissipation (Max): 3W (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQ4N52K3-APSTMicroelectronicsSTMicroelectronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STQB125-4R4
на замовлення 23200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQB125HF-2R2
на замовлення 14700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQB125R-1018
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQB125R-1018PF
на замовлення 217000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQC1553-1iNRCOREPulse Transformers
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQC1553-2iNRCOREPulse Transformers
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQC1553-45iNRCORE, LLCDescription: TRANSFORMER DUAL STACKED PBC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQC1553-45iNRCOREPulse Transformers
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQC30STMicroelectronics HVDCP secondary-side Qualcomm Quick Charge 3.0 controller
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STQC30TRSTMicroelectronics HVDCP secondary-side Qualcomm Quick Charge 3.0 controller
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STQINE10LAPSST
на замовлення 52000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STQN1553-1iNRCOREPulse Transformers
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STQN1553-45iNRCOREAudio Transformers / Signal Transformers
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.