Продукція > STQ
Обрати Сторінку:
[ << Попередня Сторінка ]
1
2
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| STQ2HNK60ZR-AP | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STQ2HNK60ZR-AP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 4.8 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 3W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SuperMESH productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.8ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STQ2HNK60ZR-AP | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 500MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-92-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V | на замовлення 2332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STQ2LN60K3-AP | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 600MA TO92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V | на замовлення 1496 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STQ2LN60K3-AP | STMICROELECTRONICS | Description: STMICROELECTRONICS - STQ2LN60K3-AP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 600 mA, 4 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 600mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.5W Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: MDmesh K3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 3595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STQ2LN60K3-AP | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 600MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 235 pF @ 50 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STQ2LN60K3-AP | STMicroelectronics | MOSFETs N-Ch 600V 4 Ohm 0.6A SuperMESH3 FET TO92 | на замовлення 3710 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STQ2N62K3-AP | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 620V 2.95 Ohm 2.2A SuperMESH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STQ2N62K3-AP | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 620V 2.2A TO92 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STQ2NK60ZR- | на замовлення 3200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STQ2NK60ZR-AP | STMicroelectronics | MOSFETs PTD HIGH VOLTAGE | на замовлення 94 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STQ2NK60ZR-AP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STQ2NK60ZR-AP | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 600V 400MA TO92-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 170 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 700mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 400mA (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STQ2NK60ZR-AP | STMicroelectronics | Trans MOSFET N-CH 600V 0.4A 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 614 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| STQ2NK60ZR-AP | на замовлення 16030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STQ2NK60ZR-AP***** | на замовлення 18000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STQ3016Z | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STQ3N45K3-AP | STMicroelectronics | MOSFET N-Ch 450V 3.2 Ohm 1.8A SuperMESH3 | на замовлення 1339 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STQ3N45K3-AP | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 450V 600MA TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.8Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STQ3NK50ZR-AP | STMicroelectronics | Description: MOSFET N-CH 500V 500MA TO92-3 Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 1.15A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Power Dissipation (Max): 3W (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STQ4N52K3-AP | STMicroelectronics | STMicroelectronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STQB125-4R4 | на замовлення 23200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STQB125HF-2R2 | на замовлення 14700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STQB125R-1018 | на замовлення 2250 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STQB125R-1018PF | на замовлення 217000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| STQC1553-1 | iNRCORE | Pulse Transformers | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STQC1553-2 | iNRCORE | Pulse Transformers | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STQC1553-45 | iNRCORE, LLC | Description: TRANSFORMER DUAL STACKED PBC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STQC1553-45 | iNRCORE | Pulse Transformers | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STQC30 | STMicroelectronics | HVDCP secondary-side Qualcomm Quick Charge 3.0 controller | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STQC30TR | STMicroelectronics | HVDCP secondary-side Qualcomm Quick Charge 3.0 controller | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STQINE10LAPS | ST | на замовлення 52000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| STQN1553-1 | iNRCORE | Pulse Transformers | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| STQN1553-45 | iNRCORE | Audio Transformers / Signal Transformers | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. |
Обрати Сторінку:
[ << Попередня Сторінка ]
1
2

