Продукція > UMD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| UMD2NHE3-TPQ2 | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 13 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UMD2NTL | ROHM | 09+ | на замовлення 27313 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UMD2NTR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 22kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Supplier Device Package: UMT6 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UMD2NTR | ROHM | Description: ROHM - UMD2NTR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 56hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: UMD2N Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UMD2NTR | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN/PNP 50V 30MA | на замовлення 8608 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UMD2NTR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 Supplier Device Package: UMT6 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 22kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 150mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 4059 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UMD2NTR | ROHM | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| UMD2TL | на замовлення 27000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMD2TR | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMD2TR(D2) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMD2\D2 | ROHM | SOT-353 | на замовлення 21100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UMD3 N TR | ROHM | SOT363-D3 | на замовлення 474000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UMD3 N TR SOT363-D3 | ROHM | на замовлення 435000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| UMD3 N TR SOT363-D3 | ROHM | на замовлення 474000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| UMD3 N TR/D3 | ROHM | SMD | на замовлення 86200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UMD3 NFHATR | ROHM | SOT26/SOT363 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UMD3 NTR | ROHM | на замовлення 9200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| UMD3 TR | ROHM | на замовлення 11100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| UMD3(D3) | ROHM | 95 SOT-363 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UMD3-N-TR | ROHM | SOT23 | на замовлення 8880 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UMD3/D3 | ROHM | 00+ SOT-363 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UMD36B | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMD3N | Yangjie Technology | Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UMD3N | ROHM | на замовлення 7100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| UMD3N | Yangjie Electronic Technology | UMD3N | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UMD3N | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UMD3N-TP | Micro Commercial Components | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.05mA 150mW 6-Pin SOT-363 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UMD3N-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors NPN and PNP l Digital Transistors | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UMD3N-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-363 Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Resistor - Base (R1): 10kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 150mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UMD3N-TPQ2 | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UMD3N-TPQ2 | MCC (Micro Commercial Components) | Description: PRE-BIASED TRANSISTOR Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UMD3N.TR | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMD3NFHA | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UMD3NFHATR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN+PNP 50V UMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN + PNP Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: UMT6 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UMD3NFHATR | ROHM Semiconductor | Digital Transistors TRANS-SS NPN/PNP SOT363 50V | на замовлення 23736 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UMD3NFHATR | ROHM | Description: ROHM - UMD3NFHATR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN+PNP, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2033 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UMD3NFHATR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS NPN+PNP 50V UMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN + PNP Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: UMT6 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UMD3NFHATR | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin UMT T/R | на замовлення 5490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UMD3NFHATR | ROHM | Description: ROHM - UMD3NFHATR - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN+PNP, NPN- und PNP-Ergänzung, 50 V, 50 V, 100 mA tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN- und PNP-Ergänzung Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2033 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UMD3NHE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 50mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UMD3NHE3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors NPN & PNP 50Vcc -10Vin 40V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 13 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UMD3NTL | ROHM | 09+ | на замовлення 3018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UMD3NTL/D3 | ROHM | на замовлення 2153 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| UMD3NTR Код товару: 189190
Додати до обраних
Обраний товар
| товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMD3NTR | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1mA 150mW 6-Pin UMT T/R | на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UMD3NTR | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN/PNP 50V 50MA | на замовлення 22228 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UMD3NTR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 Part Status: Active Supplier Device Package: UMT6 Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Resistor - Base (R1): 10kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 150mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 198399 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UMD3NTR Код товару: 110590
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| UMD3NTR | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1mA 150mW 6-Pin UMT T/R | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UMD3NTR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.15W UMT6 Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 150mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: UMT6 Resistor - Emitter Base (R2): 10kOhms Resistor - Base (R1): 10kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA | на замовлення 192000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UMD3NTR | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1mA 150mW 6-Pin UMT T/R | на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UMD3NTR(D3) | на замовлення 2300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMD3NTRSOT363 | на замовлення 435000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMD3P | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMD3T2R | на замовлення 216000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMD3Z1TR | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMD4 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMD4N | на замовлення 27 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMD4NTR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6 | на замовлення 1047 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UMD4NTR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6 | на замовлення 1047 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UMD4NTR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UMD4NTR | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DUAL PNP/NPN | на замовлення 6423 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UMD5 | ROHM | на замовлення 17900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| UMD5N | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMD5NTR | ROHM | 05+ SOT363 | на замовлення 2795 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UMD5NTR | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R | на замовлення 1975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UMD5NTR | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UMD5NTR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6 Power - Max: 150mW, 120mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: UMT6 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms Resistor - Base (R1): 47kOhms, 4.7kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA | на замовлення 1079 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UMD5NTR | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SC88; SOT363 Current gain: 30...68 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 47/4.7kΩ Base-emitter resistor: 47/10kΩ | на замовлення 2902 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UMD5NTR | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DUAL PNP/NPN | на замовлення 8365 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UMD5NTR | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R | на замовлення 10200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UMD5NTR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN/PNP PREBIAS UMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW, 120mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V / 30 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms, 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms, 10kOhms Supplier Device Package: UMT6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UMD5NTR | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UMD5V-235 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMD5V-553 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMD5V-563 | UMD | SOT-563 08+ | на замовлення 65000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UMD5V-705 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMD5V-706 | UMD | 0909+ SC70-6 | на замовлення 84000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UMD5V-953 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMD6/D6 | на замовлення 63000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMD6B-TR | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMD6D-100 | на замовлення 1991 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMD6D-100L | на замовлення 2502 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMD6JN | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMD6N | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMD6N-TR | на замовлення 1160 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMD6NFHA | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UMD6NFHATN | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UMD6NFHATR | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN+PNP, SOT-363, Dual Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor) | на замовлення 4081 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UMD6NFHATR | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 150mW 6-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UMD6NFHATR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V UMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: UMT6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UMD6NFHATR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V UMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: UMT6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UMD6NTR | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 150mW 6-Pin UMT T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UMD6NTR | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: Complementary transistors Description: Transistor: NPN / PNP; bipolar; BRT,complementary pair; 50V; 0.1A Type of transistor: NPN / PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT; complementary pair Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.15W Case: SC88; SOT363 Current gain: 100...600 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz Base resistor: 4.7kΩ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| UMD6NTR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V UMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: UMT6 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UMD6NTR | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 150mW 6-Pin UMT T/R | на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UMD6NTR | на замовлення 1945 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMD6NTR | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN/PNP 50V 0.1A 150mW 6-Pin UMT T/R | на замовлення 2960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UMD6NTR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 1NPN 1PNP 50V UMT6 Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 150mW Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Supplier Device Package: UMT6 Resistor - Base (R1): 4.7kOhms | на замовлення 5961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| UMD6NTR | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN/PNP 50V 100MA | на замовлення 3195 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|

