Продукція > UMH
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| UMH1NTN | Rohm Semiconductor | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6 | на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| UMH1NTN | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R | на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 62 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMH1NTR | на замовлення 4971 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| UMH2 NFS TN | ROHM | SOT363-H2 PB-FRE | на замовлення 2115 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMH2 NFS TN SOT363-H2 PB | ROHM | на замовлення 2115 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| UMH2/H2 | ROHM | на замовлення 512 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| UMH25NFHATN | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN 100mA 50V digital transistor. Built-in bias resistors enable the configuration of an inverter circuit without external input resistors. | на замовлення 2572 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMH25NFHATN | ROHM | Description: ROHM - UMH25NFHATN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| UMH25NFHATN | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: UMT6 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| UMH25NFHATN | ROHM | Description: ROHM - UMH25NFHATN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| UMH25NFHATN | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: UMT6 Grade: Automotive Part Status: Active Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMH25NTN | ROHM Semiconductor | Digital Transistors TRANS-SS NPN SOT363 50V | на замовлення 919 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMH2N | ROHM | 07+ SOT-363 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMH2N TN | ROHM | 04+ | на замовлення 1392 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMH2N-TN | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| UMH2N-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT363 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMH2N-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - Pre-Biased 61.1KOhms 250MHz | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMH2N-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT363 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| UMH2NFHATN | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased NPN+NPN Digital transistor (Corresponds to AEC-Q101) | на замовлення 2574 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMH2NFHATN | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT6 Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 150mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: UMT6 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 47kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMH2NFHATN | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT6 Qualification: AEC-Q101 Supplier Device Package: UMT6 Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Resistor - Base (R1): 47kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 150mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Grade: Automotive | на замовлення 344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| UMH2NFSTNSOT363-H2PB-FREE | на замовлення 2115 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| UMH2NHE3-TP | Micro Commercial Co | Description: MOSFET Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Resistor - Base (R1): 47kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMH2NL02TV(H2) | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| UMH2NTN | Rohm Semiconductor | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| UMH2NTN | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 6-Pin UMT T/R | на замовлення 2393 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| UMH2NTN | ROHM | 09+ | на замовлення 28608 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMH2NTN | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NPN 50V 30MA | на замовлення 5074 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMH2NTN | Rohm Semiconductor | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| UMH2NTN(H2) | на замовлення 4945 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| UMH2TN-UM6 | ROHM | 00+ SC-88 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMH2TR(H2) | на замовлення 2770 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| UMH3/H3 | ROHM | 09+ | на замовлення 6018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMH33NTN | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 20V 400mA 150mW 6-Pin UMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| UMH33NTN | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 20V 400mA 150mW 6-Pin UMT T/R | на замовлення 333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 332 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMH33NTN | ROHM Semiconductor | Digital Transistors TRANS-SS NPN SOT363 50V | на замовлення 5932 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMH33NTN | Rohm Semiconductor | Description: NPN+NPN, SOT-363, DUAL DIGITAL T Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 400mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 35MHz Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Supplier Device Package: UMT6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMH33NTN | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 20V 400mA 150mW 6-Pin UMT T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| UMH33NTN | Rohm Semiconductor | Description: NPN+NPN, SOT-363, DUAL DIGITAL T Supplier Device Package: UMT6 Resistor - Base (R1): 2.2kOhms Frequency - Transition: 35MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V Current - Collector (Ic) (Max): 400mA Power - Max: 150mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| UMH37NTN | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 20V UMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 400mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 35MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: UMT6 | на замовлення 1906 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| UMH37NTN | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 20V 0.4A 150mW 6-Pin UMT T/R | на замовлення 192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 18 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMH37NTN | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 20V UMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 400mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 3mA, 30mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 820 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 35MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: UMT6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMH37NTN | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 20V 0.4A 150mW 6-Pin UMT T/R | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMH37NTN | ROHM Semiconductor | Digital Transistors TRANS-SS NPN SOT363 20V | на замовлення 396 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMH37NTN | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 20V 0.4A 150mW 6-Pin UMT T/R | на замовлення 192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMH3N | HXY MOSFET | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W TSSOP-6 (SC-88, SOT-363) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMH3N | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMH3N | ROHM | на замовлення 57200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| UMH3N | Yangjie Electronic Technology | UMH3N | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| UMH3N | Yangjie Technology | Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si Part Status: Active Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| UMH3N-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: Interface Packaging: Bulk Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhm Supplier Device Package: SOT-363 Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMH3N-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Digital Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMH3NFHA | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMH3NFHATN | ROHM | Description: ROHM - UMH3NFHATN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, zweifach NPN, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| UMH3NFHATN Код товару: 208037
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| UMH3NFHATN | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW Automotive 6-Pin UMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| UMH3NFHATN | ROHM Semiconductor | Digital Transistors NPN+NPN SOT-363 4.7kO Input Resist | на замовлення 9010 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMH3NFHATN | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: UMT6 Part Status: Active Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| UMH3NFHATN | ROHM | Description: ROHM - UMH3NFHATN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, zweifach NPN, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| UMH3NFHATN | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: UMT6 Part Status: Active Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5569 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| UMH3NTN | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: UMT6 Part Status: Active | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| UMH3NTN | ROHM | Description: ROHM - UMH3NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, zweifach, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: UMH3N Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| UMH3NTN | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 6-Pin UMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| UMH3NTN | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 6-Pin UMT T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMH3NTN | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: UMT6 Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMH3NTN | ROHM | Description: ROHM - UMH3NTN - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, zweifach, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: - euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: UMH3N Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 1193 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| UMH3NTN | Rohm | TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W TSSOP-6 (SC-88, SOT-363) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMH3NTN | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 6-Pin UMT T/R | на замовлення 2947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| UMH3NTN | ROHM Semiconductor | Digital Transistors DUAL NPN 50V 100MA SOT-363 | на замовлення 4440 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMH3NTN | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 6-Pin UMT T/R | на замовлення 9153 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| UMH3NTR | ROHM | на замовлення 264200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| UMH4/H4 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| UMH400 | на замовлення 66000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| UMH4N | ROHM | 03/04+ SOT-363 | на замовлення 3100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMH4NFHATN | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: UMT6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| UMH4NFHATN | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN+NPN Digital transistor (Corresponds to AEC-Q101) | на замовлення 2868 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMH4NFHATN | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V UMT6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: UMT6 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 8969 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| UMH4NTL | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| UMH4NTN | Rohm Semiconductor | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Resistor - Base (R1): 10kOhms Supplier Device Package: UMT6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMH4NTN | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NPN 50V 100MA SOT-363 | на замовлення 2424 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMH4NTN | Rohm Semiconductor | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6 Supplier Device Package: UMT6 Resistor - Base (R1): 10kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 150mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| UMH4NTN(H4) | на замовлення 291000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| UMH4NTNSOT363-H4 | ROHM | на замовлення 2700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| UMH4TL(H4) | на замовлення 360 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| UMH4TN | на замовлення 93000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| UMH4TN(H4) | на замовлення 95495 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| UMH4TR | на замовлення 200000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| UMH5 | ROHM | на замовлення 1627 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| UMH5 TR/H5 | ROHM | SMD | на замовлення 86200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMH5/H5 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| UMH5N | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMH5N | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| UMH5NTR | Rohm Semiconductor | Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 6-Pin UMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| UMH5NTR | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - Pre-Biased DUAL NPN 50V 30MA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMH5NTR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6 Supplier Device Package: UMT6 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms Resistor - Base (R1): 22kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 150mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMH5NTR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W UMT6 Resistor - Base (R1): 22kOhms Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 56 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 150mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: UMT6 Resistor - Emitter Base (R2): 22kOhms | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMH5TR(H5) | на замовлення 1550 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| UMH6 N TR | ROHM | SOT363-H6 | на замовлення 602910 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| UMH6 N TR SOT363-H6 | ROHM | на замовлення 570000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| UMH6 N TR SOT363-H6 | ROHM | на замовлення 602910 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

