Продукція > WMM
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| WMM8192 | WM | на замовлення 27 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| WMM85N20JN | WAYON | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 50A; Idm: 240A; 180W; TO263 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 50A Pulsed drain current: 240A Power dissipation: 180W Case: TO263 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 13.5mΩ Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 21nC Reverse recovery time: 160ns | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WMM98N25JN | WAYON | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 72A; Idm: 360A; 290W; TO263 Case: TO263 Mounting: SMD Pulsed drain current: 360A Power dissipation: 290W Gate charge: 96nC Polarisation: unipolar Drain current: 72A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 250V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape On-state resistance: 10.6mΩ Reverse recovery time: 198ns | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| WMMB015N08HGS | WAYON | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 358A; Idm: 1432A; 347.2W Case: TO263-7 Mounting: SMD Pulsed drain current: 1432A Power dissipation: 347.2W Gate charge: 238nC Polarisation: unipolar Drain current: 358A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 80V Type of transistor: N-MOSFET Gate-source voltage: ±20V Kind of package: reel; tape On-state resistance: 1.5mΩ | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||
| WMMB020N10HG4 | WAYON | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 238A; Idm: 952A; 277.8W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 238A Pulsed drain current: 952A Power dissipation: 277.8W Case: TO263-7 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 123.4nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 184 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||
| WMMX-1H-473 | на замовлення 2050 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| WMMX2V333KT | на замовлення 24950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| WMMX2V473MT | на замовлення 24300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

