Продукція > 2N7
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N7002WT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 280mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V | на замовлення 32465 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002WT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N7002WT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 340mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 330mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm | на замовлення 22749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002WT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 31606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002WT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002WT1G | ONS/FAI | Транзистор N-MOSFET, полевой, 60В, 0,115А, 0,2Вт, SOT323 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002WT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 19632 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002WT1G | ON-Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.115A 3-Pin SOT-323 T/R 2N7002WT1G T2N7002wt1g кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002WT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 280mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SC-70-3 (SOT323) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V | на замовлення 32450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002WT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 31606 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002WT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 0.31A 3-Pin SC-70 T/R | на замовлення 30584 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002WT1G | ON Semiconductor | N-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 115 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 24,5, Rds = 1,6@ 500 mA, Ugs(th) = 2.5V @ 250µA, Р, Вт = 0,2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-323-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 4 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7002WT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N7002WT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 340 mA, 1.6 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 340mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V Verlustleistung: 330mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.6ohm | на замовлення 22749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002WT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 310MA SC70-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SC-70-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 280mW (Tj) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 310mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002\702 | PHILIPS | SOT-23 | на замовлення 5750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002_D87Z | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET NCH 60V 115MA SOT23 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002_L99Z | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002_NB9G002 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002_NL | FAIRCHILD | 05+06+ | на замовлення 102350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002_Q | onsemi / Fairchild | MOSFETs N-CHANNEL 60V 115mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7002_S00Z | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-23 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 115mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7003 | ON | SOT23 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7008 | Microchip Technology | MOSFETs 60V 7.5Ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7008 | onsemi | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7008 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 150MA TO92-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): 40V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Power Dissipation (Max): 400mW (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 50mA, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7008-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7008-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 6826 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7008-G | Microchip Technology | MOSFETs 60V 7.5Ohm | на замовлення 220 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7008-G | Microchip Technology | Description: MOSFET N-CH 60V 230MA TO92-3 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: TO-92-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5Ohm @ 500mA, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Tj) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Bag | на замовлення 1253 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7008-G | MICROCHIP | Description: MICROCHIP - 2N7008-G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 230 mA, 7.5 ohm, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 Dauer-Drainstrom Id: 230 hazardous: false Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 1 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 1 Bauform - Transistor: TO-92 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 7.5 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.5 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7008-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 809 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7008-G | Microchip | N-MOSFET 60V 230mA 7.5Ω 1W 2N7008-G Microchip T2N7008g кількість в упаковці: 5 шт | на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7008-G Код товару: 129444
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N7008-G | Microchip Technology | Trans MOSFET N-CH Si 60V 0.23A 3-Pin TO-92 Bag | на замовлення 366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| 2N7008-G P002 | Microchip Technology | MOSFET N-Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7008-G P003 | Microchip Technology | MOSFET N-Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7008-G P005 | Microchip Technology | MOSFET N-Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7008-G P013 | Microchip Technology | MOSFET N-Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7008-G P014 | Microchip Technology | MOSFET N-Channel MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7008G | onsemi | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N700A | MOTOROLA | на замовлення 2600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N700WT1G | ON | 09+ SOT-323 | на замовлення 270000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N701 | PHILIPS | 09+ | на замовлення 500018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7013 | на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| 2N701A | MOTOROLA | на замовлення 25800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N702 | PHILIPS | 09+ | на замовлення 500018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N702A | MOTOROLA | на замовлення 25800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N703 | MOTOROLA | на замовлення 26600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N703A | MOTOROLA | на замовлення 25800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N704 | MOTOROLA | на замовлення 26600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N704A | MOTOROLA | на замовлення 25800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N705 | MOTOROLA | на замовлення 26600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N7051 | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 100V 1.5A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 200nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7051 | onsemi / Fairchild | Darlington Transistors NPN Transistor Darlington | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7051_D10Z | onsemi / Fairchild | Darlington Transistors NPN Transistor Darlington | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7051_D10Z | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 100V 1.5A TO92-3 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 200nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN - Darlington Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7051_J61Z | onsemi / Fairchild | Darlington Transistors HIGH VOLTAGE NPN DARLINGTON TR. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7051_Q | onsemi / Fairchild | Darlington Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7051_S00Z | onsemi / Fairchild | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7052 | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 100V 1.5A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 200nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7052 | onsemi / Fairchild | Darlington Transistors NPN Transistor Darlington | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7052_D74Z | onsemi / Fairchild | Darlington Transistors NPN Transistor Darlington | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7052_D74Z | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 100V 1.5A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 200nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7052_Q | onsemi / Fairchild | Darlington Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7053 Код товару: 15190
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-92 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N7053 | onsemi | Darlington Transistors NPN Transistor Darlington | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7053 | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 100V 1.5A TO226-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 200nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-226-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7053 | onsemi / Fairchild | Darlington Transistors NPN Transistor Darlington | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7053_D26Z | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 100V 1.5A TO226-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 200nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-226-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7053_D26Z | onsemi / Fairchild | Darlington Transistors NPN Transistor Darlington | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7053_D74Z | onsemi / Fairchild | Darlington Transistors NPN Transistor Darlington | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7053_D74Z | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 100V 1.5A TO226-3 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-226-3 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 200nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN - Darlington Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7053_D75Z | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 100V 1.5A TO226-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 200nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: TO-226-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7053_D75Z | onsemi / Fairchild | Darlington Transistors NPN Transistor Darlington | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7053_Q | onsemi / Fairchild | Darlington Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N705A | MOTOROLA | на замовлення 25800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N706 | MOTOROLA | на замовлення 26600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N706 | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N706 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 25V 260mW Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N706A | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N706A | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 25V 260mW Small-Signal BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N706A | MOTOROLA | на замовлення 25800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N706A | Microchip Technology | BJT, NPN, Multiple Transistor, IC 0.05A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N706A PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Fast SW SS | на замовлення 1349 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N706A TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 60Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 8.0pF | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N706B | MOT | CAN | на замовлення 648 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N706C | CAN | на замовлення 1030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N707 | MOTOROLA | на замовлення 26600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N7072 | SI | TO-254 | на замовлення 657 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7075 | SI | TO-254 | на замовлення 295 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7075-2 | Vishay / Siliconix | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N7076 | SI | TO-254 | на замовлення 336 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N707A | MOTOROLA | на замовлення 25800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N708 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 15V TO18 Packaging: Bulk Package / Case: TO-206AA, TO-18-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TA) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 25nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 1V Supplier Device Package: TO-18 (TO-206AA) Part Status: Active Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 15 V Power - Max: 360 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N708 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N708 | MOTOROLA | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N708 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N708 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 15V 360mW 3-Pin TO-18 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N708 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 15V 360mW NPN Small-Signal BJT THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2N708 Код товару: 173160
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| 2N708 | Motorola | (NPN,40V,0.2A,1.2W,TO-18) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

