Продукція > TPC
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TPCA8103(TE12L,Q,M | Toshiba | MOSFET MOSFET P-Ch 30V 40A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCA8103(TE12LQM | Toshiba | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCA8103A | TOSHIBA | 07+; | на замовлення 400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCA8104 | TOSHIBA | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| TPCA8104(TE12L,Q) | Toshiba | MOSFET Pb-FF SOP8-ADV UMOS,ACTIVE, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCA8104(TE12L,Q,M | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 60V 40A SOP-8 ADV | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCA8104(TE12L,Q,M | Toshiba | MOSFET MOSFET P-Ch 60V 40A Rdson=0.016Ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCA8104(TE12L.Q) | на замовлення 655 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TPCA8104(TE12LQ Код товару: 182490
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| TPCA8104(TE12LQ) | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCA8105 | TOSHIBA | 0626+ | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCA8105(TE12L,Q,M | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 12V 6A SOP-8 ADV | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCA8105-H | на замовлення 75000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TPCA8106 | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCA8106 | на замовлення 73500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TPCA8106(TE12L,Q) | TOSHIBA | SOP8 | на замовлення 26 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCA8106(TE12L,Q) Код товару: 190545
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| TPCA8106(TE12LQ) | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCA8107-H(TE12LQM | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 40V 7.5A SOP-8 ADV | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCA8107-H(TE12LQM | Toshiba | MOSFET MOSFET P-Ch 40V 7.5A Rdson=0.03Ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCA8108(TE12L,Q,M | Toshiba | MOSFET P-ch -40V -40A SOP-Adv | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCA8109 | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCA8109(T2L,A,Q) | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCA8109(TE12L,QM) | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCA8109(TE12L,V,M | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCA8109(TE12L1,V | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCA8109(TE12L1,V | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 30V 24A 8SOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCA8120 | Toshiba | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCA8120,L1Q | Toshiba | MOSFETs LVMOS SOP-8-ADV | на замовлення 1930 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPCA8120,L1Q(CM | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 30V 45A 8-Pin SOP Advance T/R | на замовлення 3710 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPCA8120,LQ(CM | Toshiba | MOSFET N-Ch -30V FET 2.8W -45.A 1650pF | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCA8120,LQ(CM | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 30V 45A 8-Pin SOP Advance | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCA8120,LQ(CM | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 30V 45A 8SOP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCA8120L1Q(CM | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCA8128 | Toshiba | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCA8128,L1Q | Toshiba | MOSFET Pb-F POWER MOSFET TRANSISTOR TSON-ADV PD=104W F=1MHZ | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCA8128,L1Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 30V 34A 8SOP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): +20V, -25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 17A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCA8128,L1Q(CM | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 30V 34A 8-Pin SOP Advance T/R | на замовлення 4931 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPCA8128,LQ(CM | Toshiba | MOSFET P-CH FET -30V 3.7 mOhm 45W | на замовлення 845 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCA8128,LQ(CM | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 30V 34A 8-Pin SOP Advance | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCA8128,LQ(CM | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET P-CH 30V 34A 8SOP Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): +20V, -25V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-SOP Advance (5x5) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 500µA Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta), 45W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8mOhm @ 17A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCA8128,LQ(M | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 30V 34A 8-Pin SOP Advance | на замовлення 14173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPCA8128,LQ(M | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 30V 34A 8-Pin SOP Advance | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPCA8128L1Q(CM | Toshiba | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCA8131 | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCA8131,LQ | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCA8131,LQ(S | Toshiba | Trans MOSFET P-CH Si 30V 13A 8-Pin SOP Advance T/R | на замовлення 1785 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPCA82020-H | TOSH | SOP8 | на замовлення 2685 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCA8A01-H(TE12L,Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 36A SOP8 ADV | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCA8A02-H | на замовлення 75000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TPCA8A02-H(TE12LQM | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 34A 8SOP ADV | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCA8A04-H(TE12L,Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 44A 8SOP ADV | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCA8A04-H/44a | TOSHIBA | 0921+ QFN-8 | на замовлення 800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCB02593-12-AM-AGDP-L | Nearson Inc. | Description: ANTENNA EMBEDDED MICROSTRIPE R/A Frequency (Center/Band): 892MHz, 1.85GHz Frequency Group: UHF (300MHz ~ 1GHz), UHF (1GHz ~ 2GHz) Height (Max): 0.016" (0.40mm) Antenna Type: PCB Trace VSWR: 2 Number of Bands: 4 Termination: MMCX Gain: 0dBi, 2dBi Frequency Range: 824MHz ~ 960MHz, 1.71GHz ~ 1.99GHz Packaging: Bulk | на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPCB02593-6-RMM-AGDP-L | Nearson Inc. | Description: ANTENNA EMBEDDED MICROSTRIPE R/A Frequency (Center/Band): 892MHz, 1.85GHz Frequency Group: UHF (300MHz ~ 1GHz), UHF (1GHz ~ 2GHz) Height (Max): 0.016" (0.40mm) Antenna Type: PCB Trace VSWR: 2 Number of Bands: 4 Termination: SMA Gain: 0dBi, 2dBi Frequency Range: 824MHz ~ 960MHz, 1.71GHz ~ 1.99GHz Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCB30DWF | Vishay / Dale | SI4825 DIE IN WAFER FORM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCC-R-1.125A | OptiFuse | Description: CLASS CC FUSE, TIME DELAY 1.125A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCC-R-1.5A | OptiFuse | Description: CLASS CC FUSE, TIME DELAY 1.5A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCC-R-10A | OptiFuse | Description: UL CLASS CC FUSE, TIME DELAY 10A | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCC-R-15A | OptiFuse | Description: CLASS CC FUSE, TIME DELAY 15A | на замовлення 54 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPCC-R-1A | OptiFuse | Description: UL CLASS CC FUSE, TIME DELAY 1A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCC-R-20A | OptiFuse | Description: UL CLASS CC FUSE, TIME DELAY 20A | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCC-R-250MA | OptiFuse | Description: CLASS CC FUSE, TIME DELAY 250MA | на замовлення 79 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCC-R-2A | OptiFuse | Description: UL CLASS CC FUSE, TIME DELAY 2A | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCC-R-30A | OptiFuse | Description: FUSE CERM 30A 600VAC 300VDC 5AG Packaging: Bulk Package / Case: 5AG, 10mm x 38mm (Midget) Size / Dimension: 0.409" Dia x 1.500" L (10.40mm x 38.10mm) Fuse Type: Cartridge, Ceramic Mounting Type: Requires Holder Response Time: Slow Blow Approval Agency: CSA, UL Breaking Capacity @ Rated Voltage: 200kA AC, 100kA DC Part Status: Active Current Rating (Amps): 30 A Voltage Rating - AC: 600 V Voltage Rating - DC: 300 V | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| TPCC-R-3A | OptiFuse | Description: UL CLASS CC FUSE, TIME DELAY 3A | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCC-R-4A | OptiFuse | Description: FUSE CERM 4A 600VAC 300VDC 5AG Packaging: Bulk Package / Case: 5AG, 10mm x 38mm (Midget) Size / Dimension: 0.409" Dia x 1.500" L (10.40mm x 38.10mm) Fuse Type: Cartridge, Ceramic Mounting Type: Requires Holder Response Time: Slow Blow Approval Agency: CSA, UL Breaking Capacity @ Rated Voltage: 200kA AC, 100kA DC Part Status: Active Current Rating (Amps): 4 A Voltage Rating - AC: 600 V Voltage Rating - DC: 300 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCC-R-500MA | OptiFuse | Description: CLASS CC FUSE, TIME DELAY 500MA | на замовлення 33 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCC-R-5A | OptiFuse | Description: UL CLASS CC FUSE, TIME DELAY 5A | на замовлення 34 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCC-R-6A | OptiFuse | Description: UL CLASS CC FUSE, TIME DELAY 6A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCC-R-8A | OptiFuse | Description: UL CLASS CC FUSE, TIME DELAY 8A | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCC8001-H(TE12LQM | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 11A, 10V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCC8001-H(TE12LQM | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCC8002-H(TE12L,Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 11A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCC8002-H(TE12L,Q | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCC8002-H(TE12LQM | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCC8002-H(TE12LQM | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 11A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCC8003-H(TE12LQM | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 13A 8TSON Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 22W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.9mOhm @ 6.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCC8005-H(TE12LQM | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 26A 8TSON Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 13A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCC8005-H(TE12LQM | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 26A 8TSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 26A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.4mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 500µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCC8006-H(TE12LQM | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 11A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCC8006-H(TE12LQM | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 22A 8TSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 200µA Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2200 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCC8007(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 20V 27A 8TSON-ADV | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCC8007(TE12LQ) | Toshiba | MOSFET N-Ch 20V FET 27A 30W 1879pF 26nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCC8008 | TOSHIBA | QFN | на замовлення 498 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCC8008(TE12L,Q) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON-ADV | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCC8008(TE12L,QM) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 25A 8TSON Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-VDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 700mW (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1A Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.3x3.3) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCC8008(TE12LQ) | Toshiba | MOSFET N-Ch 30V FET 25A 30W 30nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCC8009 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TPCC8009,LQ(O | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 24A 8TSON Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1270 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 26 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Supplier Device Package: 8-TSON Advance (3.1x3.1) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 200µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerVDFN Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCC8061-H,LQ(O | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8TSON-ADV | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCC8061-H,LQ(S | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 30V 8A 8TSON-ADV | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCC8061-HLQ(O | Toshiba | MOSFET N-Ch 30V FET 8A 15W 11nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCC8061-HLQ(S | Toshiba | MOSFET N-Ch 30V FET 8A 15W 11nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCC8062-H,L1MQ(CM | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCC8062-H,L1Q(CJ | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCC8062-H,L1Q(CM | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCC8062-H,LMU1Q(J | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCC8062-H,LMU1Q(M | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| TPCC8062-H,LQ(M | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

