Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFS540A
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS540AONSEMIDescription: ONSEMI - IRFS540A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 88157 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
509+58.82 грн
Мінімальне замовлення: 509 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS540AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
на замовлення 82180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
361+98.33 грн
500+88.50 грн
1000+81.61 грн
10000+70.17 грн
Мінімальне замовлення: 361 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS540AFairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 17A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 8.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 25 V
на замовлення 88937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
288+70.31 грн
Мінімальне замовлення: 288 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS540Aonsemi / FairchildMOSFETs 100V N-Channel A-FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS540AON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(3+Tab) TO-220F Rail
на замовлення 6491 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
361+98.33 грн
500+88.50 грн
1000+81.61 грн
Мінімальне замовлення: 361 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS5615Infineon TechnologiesArray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS5615PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS5615TRLPBFInfineon / IRMOSFET Audio MOSFT 150V 33A 42mOhm 26nC
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS5615TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS5615TRLPBFInfineon
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS5615TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 150V 33A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 42mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS5620PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS5620TRLPBF
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS5620TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS5620TRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 200V 24A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 77.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 144W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1710 pF @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS59N10DPBFInfineon TechnologiesMOSFET 100V 1 N-CH HEXFET 25mOhms 76nC
на замовлення 3575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS59N10DPBFInternational RectifierD2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS59N10DPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 35.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS59N10DTRL
на замовлення 803 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS59N10DTRLPInfineon
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS59N10DTRLPInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 100V 59A 25mOhm 76nC
на замовлення 2504 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS59N10DTRLPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 35.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS59N10DTRLPBFIR09+
на замовлення 10018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS59N10DTRRPInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 114 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 200W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 35.4A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 59A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS610BFP001Fairchild SemiconductorDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.65A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 225 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220F
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS614BONSEMIDescription: ONSEMI - IRFS614B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9332 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2004+14.91 грн
Мінімальне замовлення: 2004 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS614BFAIRCHILDIRFS614B
на замовлення 77516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2037+17.40 грн
Мінімальне замовлення: 2037 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS614BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 22W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 25 V
на замовлення 77516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1137+17.36 грн
Мінімальне замовлення: 1137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS614B_FP001ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 2.8A TO-220F
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS630AFAIRCHILD2002 TO-220F
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS630AON SemiconductorIRFS630A
на замовлення 54970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
647+54.77 грн
1000+50.51 грн
10000+45.03 грн
Мінімальне замовлення: 647 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS630AFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3.25A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 650 pF @ 25 V
на замовлення 55970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
466+42.73 грн
Мінімальне замовлення: 466 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS630AONSEMIDescription: ONSEMI - IRFS630A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 55970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
822+36.42 грн
Мінімальне замовлення: 822 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS630AON SemiconductorIRFS630A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
647+54.77 грн
1000+50.51 грн
Мінімальне замовлення: 647 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS630BFairchild SemiconductorDescription: 9A, 200V, 0.4OHM, N-CHANNEL MOSF
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
363+55.42 грн
Мінімальне замовлення: 363 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS630BONSEMIDescription: ONSEMI - IRFS630B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
642+46.68 грн
Мінімальне замовлення: 642 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS630BFAIRCHILDTO-220F
на замовлення 2848 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS630BON SemiconductorIRFS630B
на замовлення 743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
455+78.02 грн
505+70.21 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS630B_FP001onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS634AFAIRCHILDTO-220 05+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS634BFAIRCHILDTO-220F
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS634BON Semiconductor / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS634BFAIRCHILDIRFS634B
на замовлення 4633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2037+17.40 грн
Мінімальне замовлення: 2037 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS634BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 4633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1137+17.36 грн
Мінімальне замовлення: 1137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS634BONSEMIDescription: ONSEMI - IRFS634B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 4633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2004+14.91 грн
Мінімальне замовлення: 2004 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS634BTFairchild SemiconductorDescription: TRANS MOSFET N-CH 250V 8.1A T/R
Packaging: Bulk
на замовлення 3482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1137+17.36 грн
Мінімальне замовлення: 1137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS634BTONSEMIDescription: ONSEMI - IRFS634BT - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 3482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2004+14.91 грн
Мінімальне замовлення: 2004 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS634B_FP001ON Semiconductor / FairchildMOSFET 250V N-Channel B-FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS634B_FP001ONSEMIDescription: ONSEMI - IRFS634B_FP001 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
729+41.06 грн
Мінімальне замовлення: 729 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS634B_FP001onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS634B_FP001Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 250V 8.1A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.05A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+48.74 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS640
на замовлення 611 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS640AFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 4.9A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 25 V
на замовлення 2576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+48.74 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS640AON SemiconductorIRFS640A
на замовлення 2326 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
574+61.80 грн
1000+56.99 грн
Мінімальне замовлення: 574 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS640AFAITO220 01+
на замовлення 59 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS640AONSEMIDescription: ONSEMI - IRFS640A - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2576 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
729+41.06 грн
Мінімальне замовлення: 729 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS640B
на замовлення 930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS640BFPFAIRCHILD05+
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS640BT_FP001onsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS640B_FP001onsemi / FairchildMOSFET TO-220 ISO N-CH 200V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS644FAIRCHILD2002 TO-220F
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS644BFAIRCHILD2002 TO-220
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS644BYDTU_AS001onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 14A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS644B_FP001onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 14A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7A, 10V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS650B
на замовлення 7250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS654FAIRCHILD2002 TO-220F
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS654BONSEMIDescription: ONSEMI - IRFS654B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 9856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
334+89.61 грн
Мінімальне замовлення: 334 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS654BFAIRCHILD07+ 220F
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS654BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
на замовлення 9856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
189+106.15 грн
Мінімальне замовлення: 189 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS654B_FP001onsemiDescription: MOSFET N-CH 250V 21A TO220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 10.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 123 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS720BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.3A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.75Ohm @ 1.65A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 25 V
на замовлення 2317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1665+13.54 грн
Мінімальне замовлення: 1665 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS720BONSEMIDescription: ONSEMI - IRFS720B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2317 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2004+15.64 грн
Мінімальне замовлення: 2004 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS730FAIRCHILD2002 TO-220F
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS730BON SemiconductorIRFS730B
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
971+36.51 грн
1053+33.67 грн
10000+30.01 грн
Мінімальне замовлення: 971 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS730BONSEMIDescription: ONSEMI - IRFS730B - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 23487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1233+24.28 грн
Мінімальне замовлення: 1233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS730BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 2.75A, 10V
Power Dissipation (Max): 38W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220F-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
на замовлення 23487 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
841+23.93 грн
Мінімальне замовлення: 841 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS730BON SemiconductorIRFS730B
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
971+36.51 грн
1053+33.67 грн
Мінімальне замовлення: 971 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS730BON SemiconductorIRFS730B
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
971+36.51 грн
1053+33.67 грн
Мінімальне замовлення: 971 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS740
Код товару: 98636
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS740FAIRCHILD2002 TO-220F
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS740A
Код товару: 184388
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS740AFAIRCHILDTO-220F
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS740BFairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS740Bonsemi / FairchildMOSFET 400V N-Channel B-FET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS740BTonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS740B_NLonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430Infineon Technologies
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430-7PPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 40V StrongIRFET 240A, .75mOhm,305nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430-7PPBF
Код товару: 98280
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430-7PPBFInfineonMOSFET N-CH 40V 240A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430-7PPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 240A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 240A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.75mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13975 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 40V 195A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 460 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14240 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430PBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 426A 3-Pin(2+Tab) D2PAK Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.68 грн
10+105.90 грн
25+95.58 грн
100+85.99 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430PBFInfineon / IRMOSFET 40V StrongIRFET 195A, 1.2mOhm,300nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRL7PPINFINEONDescription: INFINEON - IRFS7430TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 240 A, 750 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 240A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 750µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRL7PPInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 40V 522A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRL7PP
Код товару: 106258
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRL7PPInfineon TechnologiesMOSFETs 40V StrongIRFET 240A, .75mOhm,305nC
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+304.68 грн
10+191.92 грн
100+122.90 грн
500+97.06 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFS7430TRL7PPInfineonMOSFET N-CH 40V 522A D2PAK-7 (TO-263-7) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 197 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]