Продукція > TSM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 220 227  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
TSM2301CXRF
на замовлення 2558 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2302CXTaiwan SemiconductorMOSFET 20V N channel MOSFET
на замовлення 11900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2302CXJGSEMITransistor N-MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 4A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: TSM2302CX RFG; TSM2302CX JGSEMI TTSM2302cx JGS
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 820 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
250+2.50 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2302CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 20V 3.9A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 587 pF @ 10 V
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.24 грн
6000+9.90 грн
9000+9.44 грн
15000+8.36 грн
21000+8.07 грн
30000+7.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2302CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.76 грн
6000+14.29 грн
9000+13.50 грн
15000+12.17 грн
21000+10.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2302CX RFGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 3.2A; 300mW; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 3.2A
Gate charge: 7.8nC
On-state resistance: 65mΩ
Power dissipation: 0.3W
Gate-source voltage: ±8V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+46.06 грн
11+37.74 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2302CX RFGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2302CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.11 грн
50+33.65 грн
100+22.11 грн
500+16.15 грн
1500+13.10 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2302CX RFGTaiwan Semiconductor Co., Ltd.Transistor N-MOSFET; 20V; 8V; 95mOhm; 2,4A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; NRND item and EOL soon; Odpowiednik: TSM250N02CX RFG; TSM2302CX RFG; TSM2302CXR TSM2302CX TTSM2302cx
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2302CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.92 грн
6000+14.45 грн
9000+13.64 грн
15000+12.30 грн
21000+11.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2302CX RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs 20V, 3.9A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2302CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 20V 3.9A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 587 pF @ 10 V
на замовлення 36531 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.60 грн
11+28.76 грн
100+18.50 грн
500+13.20 грн
1000+11.86 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2302CX RFGTaiwan Semiconductor Co., Ltd.Transistor N-MOSFET; 20V; 8V; 95mOhm; 2,4A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; NRND item and EOL soon; Odpowiednik: TSM250N02CX RFG; TSM2302CX RFG; TSM2302CXR TSM2302CX TTSM2302cx
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 14758 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2302CX RFGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2302CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 2.8 A, 0.04 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 4295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.11 грн
500+16.15 грн
1500+13.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2302CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 2.4A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2302CX RFG-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 20V 3.9A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.63 грн
1000+2.47 грн
3000+2.30 грн
6000+2.12 грн
15000+2.05 грн
30000+1.97 грн
75000+1.82 грн
150000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2302CX(транзистор)
Код товару: 48007
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2302CX-CNCHIPNOBOTransistor N-Channel MOSFET; 20V; 8V; 115mOhm; 4A; 1,25W; -50°C ~ 150°C; Equivalent: TSM2302CX RFG; TSM2302CX-CN CHIPNOBO TTSM2302cx CNB
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
500+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2302CXRF
на замовлення 37000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2303CX RFGTaiwan SemiconductorMOSFET -30V, -1.3A, Single P-Channel Power MOSFET
на замовлення 11745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2303CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2303CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 1.3A SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2303CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 1.3A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
48+15.93 грн
60+12.64 грн
105+6.94 грн
250+6.36 грн
500+6.03 грн
1000+5.96 грн
3000+5.88 грн
Мінімальне замовлення: 48 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2303CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 1.3A SOT23
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2303CX RFG-MLMOSLEADERDescription: P-Channel -30V -1.3A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+3.59 грн
3000+3.14 грн
6000+3.04 грн
15000+2.75 грн
30000+2.66 грн
75000+2.41 грн
150000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2305CXTaiwan SemiconductorMOSFET -20V, -3.2A, Single P-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2305CX RFGTaiwan SemiconductorP Channel Power MOSFET
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+9.84 грн
15000+9.33 грн
21000+9.02 грн
30000+8.58 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2305CX RFGTaiwan Semiconductor Co., Ltd.Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 130mOhm; 3,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; TSM2305CX RFG TSM2305CX TTSM2305cx
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 170 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.31 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2305CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 3.2A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 10 V
на замовлення 91054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.71 грн
10+37.59 грн
100+24.40 грн
500+17.56 грн
1000+15.84 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2305CX RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs -20V, -3.2A, Single P-Channel Power MOSFET
на замовлення 14990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2305CX RFGTaiwan SemiconductorP Channel Power MOSFET
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+9.83 грн
15000+9.32 грн
21000+9.00 грн
30000+8.56 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2305CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 3.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 3.2A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 10 V
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.10 грн
6000+13.37 грн
9000+12.77 грн
15000+11.35 грн
21000+10.98 грн
30000+10.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2305CX RFGTaiwan SemiconductorP Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2306CXTaiwan SemiconductorMOSFETs 30V N channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 15000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2306CXTaiwan Semiconductor Co., Ltd.Trans MOSFET N-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R TSM2306CX RFG TTSM2306cx
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 45 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+8.41 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2306CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 42000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2306CX RFGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2306CX RFG - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 3.5 A, 0.046 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 4850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+75.35 грн
50+46.74 грн
100+30.48 грн
500+21.81 грн
1500+18.18 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2306CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 3.5A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
на замовлення 61190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.98 грн
10+41.36 грн
100+26.92 грн
500+19.43 грн
1000+17.55 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2306CX RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs 30V, 3.5A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2306CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 3.5A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 42000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2306CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 30V 3.5A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 57mOhm @ 3.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 15 V
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.78 грн
6000+14.88 грн
9000+14.22 грн
15000+12.66 грн
21000+12.25 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2306CX RFG-MLMOSLEADERDescription: N-Channel 30V 3.5A SOT-23
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 300000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+2.55 грн
1000+2.40 грн
3000+2.23 грн
6000+2.06 грн
15000+1.99 грн
30000+1.91 грн
75000+1.76 грн
150000+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2307CXTaiwan SemiconductorMOSFET 30V P channel MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2307CX RFGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2307CX RFG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.076 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm
на замовлення 18249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.90 грн
50+65.19 грн
100+63.48 грн
500+45.59 грн
1500+26.41 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2307CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 3A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2307CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 42000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2307CX RFGTAIWAN SEMICONDUCTORDescription: TAIWAN SEMICONDUCTOR - TSM2307CX RFG - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 3 A, 0.076 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.076ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 29218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.22 грн
500+49.36 грн
1500+44.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2307CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 30V 3A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 565 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 42000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2307CX RFGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -3A; 800mW; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -3A
Gate charge: 15nC
On-state resistance: 95mΩ
Power dissipation: 0.8W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 194 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+47.87 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2307CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 3A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 42000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2307CX RFGTaiwan SemiconductorMOSFET -30V -3A Single P-Ch annel Power MOSFET
на замовлення 13935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2307CX RFG 07..Taiwan Semiconductor Co., Ltd.Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 140mOhm; 3A; 1,25W; -50°C ~ 150°C; TSM2307CX RFG TSM2307CX TTSM2307cx
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+19.38 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2308CXTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 3A, Single, N-Channel Low Voltage MOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2308CX RFGTaiwan SemiconductorN Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 42000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2308CX RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 3A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 42000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2308CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 511 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 7264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+94.84 грн
10+57.36 грн
100+37.83 грн
500+27.64 грн
1000+25.10 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2308CX RFGTaiwan SemiconductorN Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 42000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2308CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 3A SOT23
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 511 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SOT-23
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 156mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.32 грн
6000+20.08 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2308CX RFGTaiwan Semiconductor Co., Ltd.Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 192mOhm; 3A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; TSM2308CX RFG TSM2308CX TTSM2308cx
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+25.07 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2308CX RFG-VBVBsemiTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 86mOhm; 4A; 1,66W; -55°C ~ 150°C; Replacement for: TSM2308CX RFG; TSM2308CX RFG-VB SOT23(T/R) VBSEMI TTSM2308cx VBS
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2309CXTaiwan Semiconductor CorporationDescription: -60V, -3.1A, SINGLE P-CHANNEL PO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2309CXTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2309CXTaiwan SemiconductorMOSFET -60V, -3.1A, Single P-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2309CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2309CX RFGTaiwan SemiconductorP Chanel Mosfet Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2309CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.85 грн
6000+11.77 грн
9000+10.48 грн
15000+9.95 грн
21000+8.92 грн
30000+8.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2309CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V 3.1A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 30 V
на замовлення 42210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+46.25 грн
12+27.17 грн
100+17.41 грн
500+12.38 грн
1000+11.10 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2309CX RFGTaiwan SemiconductorMOSFETs -60V, -3.1A, Single P-Channel Power MOSFET
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2309CX RFGTAIWAN SEMICONDUCTORCategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -2A; 1.56W; SOT23
Mounting: SMD
Type of transistor: P-MOSFET
Kind of package: tape
Case: SOT23
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -2A
Gate charge: 8.2nC
On-state resistance: 0.24Ω
Power dissipation: 1.56W
Gate-source voltage: ±20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2987 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+28.00 грн
25+17.36 грн
100+12.92 грн
500+10.73 грн
1000+9.56 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2309CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2309CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 39000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.85 грн
6000+11.77 грн
9000+10.48 грн
15000+9.95 грн
21000+8.92 грн
30000+8.32 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2309CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 60V 3.1A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 425 pF @ 30 V
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.48 грн
6000+9.22 грн
9000+8.77 грн
15000+7.76 грн
21000+7.48 грн
30000+7.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2309CX RFGTaiwan Semiconductor Co., Ltd.Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 240mOhm; 3,1A; 1,56W; -50°C ~ 150°C; TSM2309CX RFG TSM2309CX TTSM2309cx
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 94 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+7.73 грн
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2309CX RFGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2309CX RKGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+20.31 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2309CX RKGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 3.1A 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2309CX RKGTaiwan SemiconductorMOSFET -60V, -3.1A, Single P-Channel MOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06CITaiwan SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06CI C0GTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 50A ITO220
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 42W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: ITO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06CPTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06CPTaiwan Semiconductor CorporationDescription: 60V, 50A, SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 34A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
на замовлення 27500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.54 грн
5000+18.26 грн
7500+17.48 грн
12500+15.58 грн
17500+15.41 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06CP ROGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 50A, Single N-Channel Power MOSFET
на замовлення 3148 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06CP ROGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06CP ROGTaiwan Semiconductor Co., Ltd.Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 28mOhm; 50A; 53W; -55°C ~ 150°C; TSM230N06CP ROG TSM230N06CP TTSM230n06cp
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
30+26.56 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06CP ROGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06CP ROGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 34A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 34A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 25 V
на замовлення 28534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+79.95 грн
10+48.08 грн
100+31.61 грн
500+23.02 грн
1000+20.88 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06CP ROGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+68.11 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06CZ C0GTaiwan SemiconductorMOSFET 60V, 38A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06PQ56Taiwan SemiconductorMOSFET 60V, 44A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06PQ56 RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 44A 8-Pin PDFN EP
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06PQ56 RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+32.29 грн
5000+28.88 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06PQ56 RLGTaiwan SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 44A 8-Pin PDFN EP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06PQ56 RLGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 44A 8PDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PDFN (5x6)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1680 pF @ 20 V
на замовлення 5680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+118.36 грн
10+72.16 грн
100+48.24 грн
500+35.63 грн
1000+32.53 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM230N06PQ56 RLGTaiwan SemiconductorMOSFETs 60V, 44A, Single N-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2310CX
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2310CX RFTaiwan SemiconductorMOSFET 20V N channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2311CXTaiwan SemiconductorMOSFET 20V P channel MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2311CX
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2311CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 4A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 6 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
TSM2311CX RFGTaiwan Semiconductor CorporationDescription: MOSFET P-CHANNEL 20V 4A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 6 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 199 200 201 202 203 204 205 206 207 208 209 220 227  [ Наступна Сторінка >> ]