Продукція > MRF
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MRF6S18140HSR3 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 68V 1.88GHZ NI880S | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6S18140HSR5 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 68V 1.88GHZ NI880S | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6S19060 | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF6S19060GNR1 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 68V 1.93GHZ TO-270-2 GW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6S19060MBR1 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 68V 1.93GHZ TO272-4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6S19060MR1 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 68V 1.93GHZ TO270-4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6S19060NBR1 | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF6S19060NBR1 | Freescale Semiconductor | Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO272-4 Current - Test: 610 mA Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 68 V Supplier Device Package: TO-272 WB-4 Technology: LDMOS Gain: 16dB Power - Output: 12W Frequency: 1.93GHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: TO-272BB Packaging: Bulk | на замовлення 2474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRF6S19060NR | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF6S19060NR1 | Freescale Semiconductor | Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-4 Packaging: Bulk Package / Case: TO-270AB Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 1.93GHz ~ 1.9GHz Power - Output: 12W Gain: 16dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270 WB-4 Part Status: Active Voltage - Rated: 68 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 610 mA | на замовлення 744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRF6S19060NR1 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF6S19060NR1 | NXP | Description: NXP - MRF6S19060NR1 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 744 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRF6S19100 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF6S19100GNR1 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 68V 1.99GHZ TO-270-2 GW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6S19100H | FREESCALE | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| MRF6S19100HR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-957A Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.99GHz Power - Output: 22W Gain: 16.1dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-780H-2L Voltage - Rated: 68 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 900 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6S19100HR3 | NXP | Description: NXP - MRF6S19100HR3 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRF6S19100HR3 | FREESCALE | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| MRF6S19100HR5 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 68V 1.99GHZ NI-780 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6S19100HS | на замовлення 5 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF6S19100HSR3 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 68V 1.99GHZ NI-780S | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6S19100HSR5 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 68V 1.99GHZ NI-780S | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6S19100MBR1 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 68V 1.99GHZ TO272-4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6S19100MR1 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 68V 1.99GHZ TO270-4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6S19100N | Freescal | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| MRF6S19100NB | на замовлення 27 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF6S19100NBR1 | Freescal | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| MRF6S19100NBR1 | Freescale Semiconductor | Description: RF POWER N-CHANNEL, MOSFET | на замовлення 185 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6S19100NR1 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 68V 1.99GHZ TO270-4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6S19100NR1 | MOT | 07+; | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6S19120HR3 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 68V 1.99GHZ NI-780 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6S19120HR5 | NXP (VIA ROCHESTER) | Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF6S19120HR5 - HF-FET-Transistor, 68 VDC, 1.93 GHz, 1.99 GHz, NI-780 tariffCode: 85423190 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 68VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: TBC Betriebsfrequenz, max.: 1.99GHz Betriebsfrequenz, min.: 1.93GHz euEccn: TBC Verlustleistung: -W Bauform - Transistor: NI-780 Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRF6S19120HR5 | Freescale Semiconductor | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI780 Current - Test: 1 A Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 68 V Part Status: Active Supplier Device Package: NI-780H-2L Technology: LDMOS Gain: 15dB Power - Output: 19W Frequency: 1.99GHz Package / Case: SOT-957A Packaging: Bulk | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRF6S19120HS | FREESCALE | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| MRF6S19120HSR3 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 68V 1.99GHZ NI-780S | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6S19120HSR5 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 68V 1.99GHZ NI-780S | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6S19140H | FREESCALE | на замовлення 714 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| MRF6S19140HR | FREESCALE | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| MRF6S19140HR3 | Freescale Semiconductor | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880H Packaging: Bulk Package / Case: SOT-957A Current Rating (Amps): 10µA Mounting Type: Chassis Mount Frequency: 1.93GHz ~ 1.99GHz Power - Output: 29W Gain: 16dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-880H-2L Part Status: Active Voltage - Rated: 68 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1.15 A | на замовлення 405 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRF6S19140HR3 | на замовлення 3500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF6S19140HR5 | Freescale Semiconductor | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880 Packaging: Bulk Package / Case: NI-880 Frequency: 1.93GHz ~ 1.99GHz Power - Output: 29W Gain: 16dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-880 Part Status: Active Voltage - Rated: 68 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1.15 A | на замовлення 183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRF6S19140HR5 | NXP (VIA ROCHESTER) | Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF6S19140HR5 - HF-FET-Transistor, 68 VDC, 1.93 GHz, 1.99 GHz, NI-880 tariffCode: 85423190 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 68VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: TBC Betriebsfrequenz, max.: 1.99GHz Betriebsfrequenz, min.: 1.93GHz euEccn: TBC Verlustleistung: -W Bauform - Transistor: NI-880 Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRF6S19140HS | FREESCALE | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| MRF6S19140HSR3 | NXP / Freescale | RF MOSFET Transistors HV6 28V29W LDMOS NI880HS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6S19140HSR3 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF6S19140HSR3 | NXP Semiconductors | Trans RF MOSFET N-CH 68V 3-Pin NI-880S T/R | на замовлення 263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRF6S19140HSR3 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 68V 1.99GHZ NI-880S | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6S19140HSR3,128 | NXP | Description: NXP - MRF6S19140HSR3,128 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRF6S19140HSR3,128 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET Current - Test: 1.7 A Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 68 V Supplier Device Package: NI-880S Technology: LDMOS Gain: 16dB Power - Output: 29W Configuration: N-Channel Frequency: 1.93GHz ~ 1.99GHz Mounting Type: Surface Mount Current Rating (Amps): 10µA Package / Case: NI-880S Part Status: Active Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6S19140HSR5 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF6S19140HSR5 | NXP (VIA ROCHESTER) | Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF6S19140HSR5 - HF-FET-Transistor, 68 VDC, 1.93 GHz, 1.99 GHz, NI-880S tariffCode: 85423190 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 68VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: TBC Betriebsfrequenz, max.: 1.99GHz Betriebsfrequenz, min.: 1.93GHz euEccn: TBC Verlustleistung: -W Bauform - Transistor: NI-880S Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6S19140HSR5 | Freescale Semiconductor | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI880S Packaging: Bulk Package / Case: NI-880S Frequency: 1.93GHz ~ 1.99GHz Power - Output: 29W Gain: 16dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-880S Part Status: Active Voltage - Rated: 68 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 1.15 A | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRF6S19170HS | на замовлення 62 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF6S19191HSR3 | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF6S19200H | FREESCALE | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| MRF6S19200HR3 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 66V 1.99GHZ NI780 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6S19200HR5 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 66V 1.99GHZ NI780 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6S19200HR5 | NXP (VIA ROCHESTER) | Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF6S19200HR5 - HF-FET-Transistor, 66 VDC, 1.93 GHz, 1.99 GHz, NI-780 tariffCode: 85423190 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 66VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: TBC Betriebsfrequenz, max.: 1.99GHz Betriebsfrequenz, min.: 1.93GHz euEccn: TBC Verlustleistung: -W Bauform - Transistor: NI-780 Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6S19200HR5 | Freescale Semiconductor | Description: FET RF 66V 1.99GHZ NI780 | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRF6S19200HSR3 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 66V 1.99GHZ NI780S | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6S19200HSR5 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 66V 1.99GHZ NI780S | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6S20010G | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF6S20010GN | FREESCALE | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| MRF6S20010GNR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-270BA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.17GHz Power - Output: 10W Gain: 15.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270-2 GULL Part Status: Obsolete Voltage - Rated: 68 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 130 mA | на замовлення 157 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRF6S20010GNR1 | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF6S20010GNR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 Current - Test: 130 mA Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 68 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-270-2 GULL Technology: LDMOS Gain: 15.5dB Power - Output: 10W Frequency: 2.17GHz Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-270BA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6S20010GNR1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors HV6 2GHZ 10W | на замовлення 51 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6S20010NR1 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors HV6 2GHZ 10W TO270-2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6S20010NR1 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V TO270-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-270AA Mounting Type: Surface Mount Frequency: 2.17GHz Power - Output: 10W Gain: 15.5dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: TO-270-2 Voltage - Rated: 68 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 130 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6S21045NB | MOTOROLA | TO-55 | на замовлення 10 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6S21050L | FREESCALE | на замовлення 118 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| MRF6S21050LR3 | FREESCALE | на замовлення 54 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| MRF6S21050LR3 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 68V 2.16GHZ NI-400 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6S21050LR3 | NXP USA Inc. | Description: FET RF 68V 2.16GHZ NI-400 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6S21050LR3 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors HV6 W-CDMA 11.5W NI400L | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6S21050LR5 | NXP (VIA ROCHESTER) | Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF6S21050LR5 - HF-FET-Transistor, 68 VDC, 2.11 GHz, 2.17 GHz, NI-400 tariffCode: 85423190 Transistormontage: Flanschklemme Drain-Source-Spannung Vds: 68VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: TBC Betriebsfrequenz, max.: 2.17GHz Betriebsfrequenz, min.: 2.11GHz euEccn: TBC Verlustleistung: - Bauform - Transistor: NI-400 Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRF6S21050LR5 | Freescale Semiconductor | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI400 Current - Test: 450 mA Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 68 V Part Status: Active Supplier Device Package: NI-400 Technology: LDMOS Gain: 16dB Power - Output: 11.5W Frequency: 2.16GHz Package / Case: NI-400 Packaging: Bulk | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRF6S21050LR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors HV6 W-CDMA 11.5W NI400L | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6S21050LR5 | MOT | 07+; | на замовлення 150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6S21050LS | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6S21050LS | на замовлення 220 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF6S21050LSR3 | NXP USA Inc. | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI400 Current - Test: 450 mA Voltage - Test: 28 V Voltage - Rated: 68 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: NI-400S Technology: LDMOS Gain: 16dB Power - Output: 11.5W Frequency: 2.16GHz Mounting Type: Chassis Mount Package / Case: NI-400S Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6S21050LSR3 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors HV6 W-CDMA 11.5W NI400LS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6S21050LSR3 | на замовлення 280 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF6S21050LSR5 | NXP Semiconductors | RF MOSFET Transistors HV6 W-CDMA 11.5W NI400LS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6S21050LSR5 | Freescale Semiconductor | Description: RF MOSFET LDMOS 28V NI400 Packaging: Bulk Package / Case: NI-400S Frequency: 2.16GHz Power - Output: 11.5W Gain: 16dB Technology: LDMOS Supplier Device Package: NI-400S Part Status: Active Voltage - Rated: 68 V Voltage - Test: 28 V Current - Test: 450 mA | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRF6S21050LSR5 | NXP (VIA ROCHESTER) | Description: NXP (VIA ROCHESTER) - MRF6S21050LSR5 - HF-FET-Transistor, 68 VDC, 2.11 GHz, 2.17 GHz, NI-400S tariffCode: 85423190 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 68VDC rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: -A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: TBC Betriebsfrequenz, max.: 2.17GHz Betriebsfrequenz, min.: 2.11GHz euEccn: TBC Verlustleistung: -W Bauform - Transistor: NI-400S Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 225°C SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6S21060BR1 | Freescale Semiconductor | Description: RF POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6S21060MBR1 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 68V 2.12GHZ TO272-4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6S21060MR1 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 68V 2.12GHZ TO270-4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6S21060N | FREESCALE | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| MRF6S21060NB | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF6S21060NBR1 | NXP | Description: NXP - MRF6S21060NBR1 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRF6S21060NBR1 | MOTORO | SMD | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6S21060NBR1 | Freescale Semiconductor | Description: RF S BAND, N-CHANNEL POWER MOSFE | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| MRF6S21060NR1 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF6S21060NR1 | Freescale Semiconductor - NXP | Description: FET RF 68V 2.12GHZ TO270-4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6S21100 | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| MRF6S21100H | freescale | 05+ TO-55 | на замовлення 48 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| MRF6S21100HHS | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

