Продукція > 2N3
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N3744 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Power - Max: 30 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: TO-111 Transistor Type: PNP Mounting Type: Stud Mount Package / Case: TO-111-4, Stud Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3745 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3746 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Power - Max: 30 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: TO-111 Transistor Type: PNP Mounting Type: Stud Mount Package / Case: TO-111-4, Stud Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3746 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3747 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3747 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Power - Max: 30 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: TO-111 Transistor Type: PNP Mounting Type: Stud Mount Package / Case: TO-111-4, Stud Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3748 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3749 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 80 5W 2A NPN Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3749 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 5A TO111 Power - Max: 2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: TO-111 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 20µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Stud Mount Package / Case: TO-111-4, Stud Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3749 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 80V 5A 2000mW 3-Pin TO-59 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N374A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N375 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N3750 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-111-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: NPN Supplier Device Package: TO-111 Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 30 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3750 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3751 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Power - Max: 30 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Supplier Device Package: TO-111 Transistor Type: PNP Mounting Type: Stud Mount Package / Case: TO-111-4, Stud Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3752 | GENERAL SEMI GSI | 2N3752 | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N3752 | General Semiconductor | Description: TRANS 80V 5A TO111 Power - Max: 30 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-111 Frequency - Transition: 50MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 1A Mounting Type: Stud Mount Package / Case: TO-111-4, Stud Packaging: Bulk | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N3752 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N375A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N376 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N3762 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3762 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 40V 1.5A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3762 | MOTOROLA | на замовлення 15500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N3762 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 40V 1.5A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3762A | MOTOROLA | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N3762L | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 40V 1.5A 1W Long-Lead Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3762L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3762L | Microsemi Corporation | Description: PNP TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3762S | MOTOROLA | на замовлення 11800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N3762U4 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 40V 1.5A 1W Power BJT SMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3763 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3763 | MOTOROLA | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N3763 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 60V 1.5A 500Mw Power BJT THT | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3763 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 1.5A TO-39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 200°C Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1.5A, 5V Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 1.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3763 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT Small Signal | на замовлення 268 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3763 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 60Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 15pF | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3763L | Microsemi Corporation | Description: PNP TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3763L | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3763L | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 60V 1.5A 500Mw Long-Lead Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3763S | MOTOROLA | на замовлення 18500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N3763U4 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 60V 1.5A 500Mw Power BJT SMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3763U4 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1000mW 3-Pin Case U4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3763U4 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3763U4 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1000mW 3-Pin Case U4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3763U4 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 60V 1.5A 1000mW 3-Pin Case U4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3764 | MOTOROLA | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N3764 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 40V 1.5A 1W Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3764A | CAN | на замовлення 1030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N3764S | MOTOROLA | на замовлення 18600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N3765 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 60V 1.5A 500mW Power BJT THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3765 | MOTOROLA | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N3765U4 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 60V 1.5A 500mW Power BJT SMT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3765UA | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3765UA/TR | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 60V 1.5A 500mW Power BJT SMT TR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3766 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 60V 4A 25000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3766 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 60V 4A 25000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3766 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 60V 4A NPN Power BJT THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3766 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 60V 4A 25000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3766 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 60V 4A TO66 Power - Max: 25 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 100mA, 1A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3766 | MOTOROLA | на замовлення 550 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N3766 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 80Vcbo 60Vceo 6.0Vebo 4.0A 25W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3766 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 80Vcbo 60Vceo 6.0Vebo 4.0A 25W | на замовлення 44 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3767 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 80V 4A 25000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3767 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 500UA TO66 Power - Max: 25 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 µA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 100mA, 1A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3767 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 80V 4A NPN Power BJT THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3767 | MOT | на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N3767 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 80V 4A 25000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3767 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 80V 4A 25000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3767 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 100Vcbo 80Vceo 6.0Vebo 4.0A 25W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3767 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 100Vcbo 80Vceo 6.0Vebo 4.0A 25W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3767JANTX | Aeroflex | Trans GP BJT NPN 80V 4A 25000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 33 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N376A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N377 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N3770 | CAN | на замовлення 1030 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N3771 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 40V 30A 6W Power BJT THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3771 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3771 | STMicroelectronics | Description: TRANS NPN 40V 30A TO-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Chassis Mount Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6A, 30A Current - Collector Cutoff (Max): 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 4V Frequency - Transition: 200kHz Supplier Device Package: TO-3 Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 150 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 600 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3771 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 40V 30A 6000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3771 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 30A 40V 150W NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3771 | CDIL | Tranzystor NPN; 60; 150W; 40V; 30A; 200kHz; -65°C ~ 200°C; Odpowiednik: 2N3771G; 2N3771-NTE; 2N3771 T2N3771 кількість в упаковці: 25 шт | на замовлення 80 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N3771 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT NPN Power Switching | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3771 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 40V 30A TO-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6A, 30A Current - Collector Cutoff (Max): 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 4V Supplier Device Package: TO-3 Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 6 W Qualification: MIL-PRF-19500/518 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3771G | Sanyo | Description: TRANS NPN 40V 30A TO204AA Packaging: Bulk Part Status: Active Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6A, 30A Current - Collector Cutoff (Max): 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 4V Frequency - Transition: 200kHz Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 150 W | на замовлення 10077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N3771G | Sanyo Electric | 2N3771G | на замовлення 10077 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N3771G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N3771G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 30 A, 150 W, TO-204, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5 DC-Stromverstärkung hFE: 5 Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 30 Verlustleistung: 150 Bauform - Transistor: TO-204 Anzahl der Pins: 2 Produktpalette: 2NXXXX Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40 Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 200 Betriebstemperatur, max.: 200 SVHC: Lead (19-Jan-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3771G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 30A 40V 150W NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3771G | onsemi | Description: TRANS NPN 40V 30A TO204 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 6A, 30A Current - Collector Cutoff (Max): 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 4V Frequency - Transition: 200kHz Supplier Device Package: TO-204 (TO-3) Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V Power - Max: 150 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3771G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 30A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | на замовлення 389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N3771P | ST | TO3P 05+ | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3772 | Cicor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3772 | EVVO | Description: TRANS NPN 60V 30A TO-3 Packaging: Tray Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 4A, 20A Current - Collector Cutoff (Max): 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 4V Frequency - Transition: 200kHz Supplier Device Package: TO-3 Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 150 W | на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N3772 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 20A 60V 150W NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3772 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 60V 20A 6000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3772 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 60V 20A TO-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 4A, 20A Current - Collector Cutoff (Max): 5mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 4V Supplier Device Package: TO-3 Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 6 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3772 | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3772 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 60V 20A 6W Power BJT THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3772 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N3772 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 20 A, 150 W, TO-3, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 150W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-3 Dauerkollektorstrom: 20A Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200kHz Betriebstemperatur, max.: 200°C | на замовлення 270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3772 | STMicroelectronics | Description: TRANS NPN 60V 20A TO-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Chassis Mount Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 4A, 20A Current - Collector Cutoff (Max): 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 4V Frequency - Transition: 200kHz Supplier Device Package: TO-3 Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 150 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3772 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT NPN Power Switching | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N3772 (біполярний транзистор NPN) Код товару: 36119
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-3 Гранична частота fT: 0,2 МГц Напруга колектор-емітер Uceo, В: 80 В Напруга колектор-база Ucbo, В: 100 В Струм колектора Ic, А: 20 А Коефіцієнт передачі струму h21: 40 | товару немає в наявності
|
|

