Продукція > irf

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IRFZ34NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+111.11 грн
10+88.09 грн
25+87.67 грн
100+65.93 грн
250+60.66 грн
500+43.69 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 10, Id = 29 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 700 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 10 В, Rds = 40 мОм @ 16 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,8, 68, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 800 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
800+71.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+58.92 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 1416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+144.78 грн
10+88.99 грн
100+60.23 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+175.32 грн
10+120.26 грн
100+70.37 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 55V 29A 40mOhm 22.7nC
на замовлення 109 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 29 A, 0.04 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
на замовлення 1192 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
396+89.09 грн
500+80.18 грн
1000+73.95 грн
Мінімальне замовлення: 396 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
161+87.67 грн
207+68.37 грн
250+65.52 грн
500+45.51 грн
Мінімальне замовлення: 161 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBFINFINEON TECHNOLOGIESCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 29A; 68W; D2PAK
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 68W
Polarisation: unipolar
Technology: HEXFET®
Drain current: 29A
на замовлення 730 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+90.25 грн
10+58.24 грн
50+49.94 грн
100+47.66 грн
250+45.54 грн
500+42.33 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+47.54 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 29A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 25600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+58.90 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34NSTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 29A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 N CHAN 60V
на замовлення 19079 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFZ34PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 30 A, 0.05 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 88W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
68+208.10 грн
71+200.57 грн
Мінімальне замовлення: 68 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 30A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+208.10 грн
10+200.57 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 30A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 N CHAN 60V
на замовлення 4033 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 30A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34SIR09+
на замовлення 5030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34SPBFVishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs 60V Vds 20V Vgs D2PAK (TO-263)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34SPBFIR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34STRLPBFVishay / SiliconixMOSFETs MOSFET N-Channel 60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 88W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34VSIRTO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ34VSPBFIR09+ TO264
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ40Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFZ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ40Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ40STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 50 Volt 50 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+320.17 грн
90+156.80 грн
106+134.26 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ40PBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 200A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 67nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 200A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ40PBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 N-CH 60V 50A
на замовлення 1543 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ40PBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFZ40PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 35 A, 0.028 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
на замовлення 534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ40PBFVishayTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+320.17 грн
10+156.80 грн
100+134.26 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ40PBF
Код товару: 150975
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ40PBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
на замовлення 1844 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+257.92 грн
10+162.12 грн
50+125.02 грн
100+106.10 грн
500+86.41 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ40PBF-BE3Vishay / SiliconixMOSFETs TO220 N-CH 60V 50A
на замовлення 3037 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ40PBF-BE3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ40PBF-BE3VishayTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44JSMicro SemiconductorTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 6mOhm; 110A; 358W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFZ44; IRFZ44-BE3; IRFZ44N; SP001565354; IRFZ44N JSMICRO TIRFZ44n JSM
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
25+24.08 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44SiliconixTrans MOSFET N-CH 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB IRFZ44 VISHAY TIRFZ44
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+74.20 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44Vishay / SiliconixMOSFETs RECOMMENDED ALT IRFZ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44AFAIRCHILD
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44A
Код товару: 123232
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44EInternational RectifierN-MOSFET 48A 60V 110W IRFZ44E TIRFZ44e
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 85 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
20+44.10 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44EInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 48A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ELIR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ELInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 48A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44EPBF
Код товару: 66761
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44EPBFInternational RectifierТранзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44EPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 48A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44EPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFZ44EPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.023 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44EPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 48A 23mOhm 40nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44EPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 48A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ESIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ESInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ESPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 60V 48A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ESPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ESPBF
Код товару: 47701
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ESTRLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ESTRLPBFInfineon TechnologiesMOSFETs MOSFT 60V 48A 23mOhm 40nC
на замовлення 2804 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 151594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
356+99.15 грн
500+89.23 грн
1000+82.30 грн
10000+70.75 грн
100000+54.89 грн
Мінімальне замовлення: 356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ESTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ESTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFZ44ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ESTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ESTRLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 48A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 37050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
356+99.15 грн
500+89.23 грн
1000+82.30 грн
10000+70.75 грн
Мінімальне замовлення: 356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ESTRLPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFZ44ESTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 48 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 48A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 104 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ESTRRInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44ESTRRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 48A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 23mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1360 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44LVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO262-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 31A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44LVishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44LPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-CHANNEL 60V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NInternational RectifierTranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 17,5mOhm; 49A; 94W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ44N; IRFZ 44 N; IRFZ44N; IRFZ44N TIRFZ44n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.32 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44N
Код товару: 1322
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220AB
Напруга сток-витік Uds, В: 55 В
Струм стоку Idd, А: 49 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 0,024 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 1470/63
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+20.00 грн
10+15.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NVishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NInternational RectifierTranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 17,5mOhm; 49A; 94W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ44N; IRFZ 44 N; IRFZ44N; IRFZ44N TIRFZ44n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.32 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NUMWDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO220
Packaging: Tube
на замовлення 497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+88.61 грн
10+53.48 грн
100+35.21 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NUMWTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 21mOhm; 50A; 105W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRFZ44; IRFZ44-BE3; IRFZ44N; SP001565354; IRFZ44N UMW TIRFZ44n UMW
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+20.99 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NNXP SemiconductorsMOSFETs TRENCH 31V-99V G1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NInternational RectifierTranzystor N-MOSFET; 55V; 20V; 17,5mOhm; 49A; 94W; -55°C ~ 175°C; Odpowiednik: IRFZ44N; IRFZ 44 N; IRFZ44N; IRFZ44N TIRFZ44n
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2287 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+23.32 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44N,127NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 49A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44N-MLMOSLEADERTransistor N-Channel MOSFET; 60V; 20V; 20mOhm; 50A; 85W; -55°C ~ 175°C; Equivalent: IRFZ44; IRFZ44-BE3; IRFZ44N; SP001565354; IRFZ44N-ML MOSLEADER TIRFZ44n MOS
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+22.26 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NLInfineon / IRMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 49A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10
Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NLPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 55V 49A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
382+92.53 грн
500+83.27 грн
Мінімальне замовлення: 382 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 49A TO262
Packaging: Tube
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 49A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1470 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NLPBFInternational RectifierN-Channel, 55V, 49A, TO-262 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NLPBFInternational Rectifier/InfineonN-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 49 А, Ptot, Вт = 3,8, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 1470 @ 25, Qg, нКл = 63 @ 10 В, Rds = 17.5 мОм @ 25 A, 10 В, Tексп, °C = -55...+175, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: I2PAK Од. вим: шт
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ44NPNXP SemiconductorsMOSFET Discrete Semiconductor Products FETs - Single - MOSFET N-CH 55V 49A SOT78
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 216 217 218 219 220 221 222 223 224 225  [ Наступна Сторінка >> ]