Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 218 219 220 221 222 223
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFZ48RLPBFVishay / SiliconixMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48RPBFVishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48RPBFVishay SemiconductorsMOSFETs TO220 N-CH 60V 50A
на замовлення 1384 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+282.69 грн
10+141.33 грн
100+111.03 грн
500+91.47 грн
1000+87.28 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48RPBFVISHAYCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 291A; 190W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 291A
Power dissipation: 190W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 257 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+240.78 грн
5+176.51 грн
10+155.50 грн
50+115.99 грн
100+104.22 грн
250+92.46 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48RPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 872 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+271.02 грн
50+132.32 грн
100+119.83 грн
500+91.92 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48RPBFVishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+284.44 грн
67+211.68 грн
100+190.51 грн
250+163.30 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48RSIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48RSPBFVishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48RSPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Chan 60V 50 Amp
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+342.97 грн
10+224.04 грн
100+138.26 грн
500+113.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48RSPBFVishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48RSPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48RSPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A TO263
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 142 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+329.15 грн
10+209.62 грн
100+148.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48SVishay / SiliconixMOSFET N-Chan 60V 50 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48SVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48SPBFVishay SemiconductorsMOSFETs N-Channel 60V Power MOSFET
на замовлення 723 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+303.05 грн
10+152.57 грн
100+130.58 грн
500+109.63 грн
1000+96.36 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48SPBFVishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48SPBFVishay SiliconixMOSFET N-Channel, 60V, 50A D2PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFZ48SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+257.43 грн
10+131.97 грн
100+129.53 грн
500+97.58 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48SPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+291.44 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48SPBFVishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48SPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48SPBFVISHAYDescription: VISHAY - IRFZ48SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.018 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 190W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
на замовлення 745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+129.53 грн
500+97.58 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48STRLVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48STRLPBFVISHAYCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; Idm: 290A; 190W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 290A
Power dissipation: 190W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48STRLPBFVishay / SiliconixMOSFETs TO263 N-CH 60V 50A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48STRLPBFVishayTrans MOSFET N-CH Si 60V 50A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48STRLPBFVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.32 грн
10+131.70 грн
100+90.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48STRRVishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 50A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.7W (Ta), 190W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48VInternational RectifierTO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48VHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48VPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 72A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1985 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48VPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48VPBFInternational RectifierTO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48VPBFROCHESTER ELECTRONICSDescription: ROCHESTER ELECTRONICS - IRFZ48VPBF - IRFZ48 - HEXFET POWER MOSFET
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48VPBF
Код товару: 122337
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 60 V
Idd,A: 72 A
Rds(on), Ohm: 12 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1985/110
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+33.00 грн
10+28.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48VPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 60V 72A 12mOhm 73.3nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48VPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH Si 60V 72A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+114.09 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48VSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 72A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1985 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48VSIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48VSHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48VSPBFInfineon / IRMOSFET D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48VSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 72A D2PAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48VSPBFIR
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48VSTRLInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48VSTRLHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48VSTRLPBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48VSTRLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 60V 72A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 72A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1985 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48VSTRRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48VSTRRHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48ZInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 61A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 350 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48ZLInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 61A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48ZLPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 55V 61A 11mOhm 43nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48ZLPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 61A TO262
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-262
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48ZPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 55V 61A TO-220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48ZPBFInfineon TechnologiesMOSFET MOSFT 55V 61A 11mOhm 43nC Qg
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48ZPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 61A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48ZPBF
Код товару: 45935
Додати до обраних Обраний товар
IRТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220
Uds,V: 55 V
Idd,A: 64 A
Rds(on), Ohm: 0,014 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1970/81
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+26.00 грн
10+23.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48ZSIR07+ TO-263
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48ZSInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48ZSHRInfineon / IRInfineon
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48ZSPBFInternational RectifierD2PAK/55V SINGLE N-CHANNEL HEXFET, D2-PAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48ZSPBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 55V 61A 11mOhm 43nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48ZSPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 61A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 37A, 10V
Power Dissipation (Max): 91W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1720 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZ48ZSPBF
Код товару: 72073
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFZR4N08+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 132 154 176 198 218 219 220 221 222 223