Продукція > 2N5
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N5545JTX01 | Vishay Siliconix | Description: JFET N-CH 50V TO-71 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5545JTXL01 | Vishay Siliconix | Description: JFET N-CH 50V TO-71 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5545JTXV01 | Vishay Siliconix | Description: JFET N-CH 50V TO-71 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5546 | InterFET | JFET JFET N-Channel(Dual) -50V Low Ciss | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5546 | MOTOROLA | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N5546 | Microchip Technology | JFETs JFET - Dual | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5546 | Microchip Technology | Description: JFET - DUAL Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5546JTX01 | Vishay Siliconix | Description: JFET N-CH 50V TO-71 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5546JTXL01 | Vishay Siliconix | Description: JFET N-CH 50V TO-71 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5546JTXV01 | Vishay Siliconix | Description: JFET N-CH 50V TO-71 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5547 | MOTOROLA | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N5547 | Microchip Technology | Description: JFET - DUAL Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5547 | Microchip Technology | JFETs JFET - Dual | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5547JTX01 | Vishay Siliconix | Description: JFET N-CH 50V TO-71 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5547JTXL01 | Vishay Siliconix | Description: JFET N-CH 50V TO-71 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5547JTXV01 | Vishay Siliconix | Description: JFET N-CH 50V TO-71 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5548 | MOTOROLA | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N5549 | MOTOROLA | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N554A | MOTOROLA | на замовлення 550 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N555 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N5550 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT Small Signal NPN Bipolar Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5550 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Box | на замовлення 2970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5550 | CDIL | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 625mW/1.5W; TO92 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 140V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625/1.5W Case: TO92 Current gain: 20...250 Mounting: THT Frequency: 100...300MHz | на замовлення 2997 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5550 | LGE | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold 2N5550G 2N5550RLRPG 2N5550TA 2N5550TAR 2N5550TFR 2N5550-LGE 2N5550 T2N5550 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5550 | onsemi | Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5550 | LGE | NPN, Bipolar, Uce=40V, Ic=0.6A, Pd=625mW, TO92 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5550 (біполярний транзистор NPN) Код товару: 28033
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-92 Гранична частота fT: 200 МГц Напруга колектор-емітер Uceo, В: 140 В Напруга колектор-база Ucbo, В: 160 В Струм колектора Ic, А: 0,6 А Коефіцієнт передачі струму h21: 250 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N5550 APM PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 140V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 4V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5550 APM PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 140V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5550 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 140V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5550 APM TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 140V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 4V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5550 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 140V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 4V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5550 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Gen Pur SS | на замовлення 3577 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5550 TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 140V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S Packaging: Box Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 4V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5550 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 160Vcbo 140Vceo 6.0Vebo 600mA 625mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5550 TRE PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: 140V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 4V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5550 TRE PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 140V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5550 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor Corp | Description: 140V 600MA 625MW TH TRANSISTOR-S Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 4V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5550 TRE TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 140V,600mA,625mW Through-Hole Transistor-Small Signal (<=1A) NPN High Voltage | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5550-AP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92 Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92 Frequency - Transition: 300MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Power - Max: 625 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5550-D26Z | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5550/D26Z | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5550A | MOTOROLA | на замовлення 8600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N5550BU | onsemi | Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5550G | On Semiconductor | NPN, Bipolar, Uce=40V, Ic=0.6A, Pd=625mW, TO92 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5550G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 600mA 160V NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5550G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Box | на замовлення 57 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5550G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5550G - 2N5550G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2106 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5550G | onsemi | Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5550RLRA | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5550RLRA - 2N5550RLRA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5550RLRA | onsemi | Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5550RLRA | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 15850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5550RLRA | onsemi | Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 15850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5550RLRAG | onsemi | Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5550RLRAG | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5550RLRAG | onsemi | Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5550RLRAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5550RLRAG - 2N5550RLRAG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5550RLRP | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Ammo | на замовлення 164000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5550RLRP | onsemi | Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 164000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5550RLRP | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5550RLRP - 2N5550RLRP, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 164000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5550RLRP | onsemi | Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 16000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5550RLRPG | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | на замовлення 368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 368 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5550RLRPG | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | на замовлення 368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 368 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5550RLRPG | onsemi | Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO92 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5550RLRPG | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5550RLRPG - 2N5550RLRPG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 29839 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5550TA Код товару: 220769
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2N5550TA | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | на замовлення 32000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5550TA | onsemi | Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 1167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5550TA | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5550TA | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5550TA - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 140 V, 600 mA, 1.5 W, TO-92, Durchsteckmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 20hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1.5W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-92 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5550TA | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 29620 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5550TA | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | на замовлення 160000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5550TA | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 140V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Current gain: 50...200 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 100...300MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5550TA | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5550TA | onsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial | на замовлення 4237 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5550TA | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5550TA | onsemi | Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5550TA | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5550TAR | onsemi | Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 122000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5550TAR | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 140V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Current gain: 50...200 Mounting: THT Kind of package: Ammo Pack Frequency: 100MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5550TAR | onsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial | на замовлення 5756 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5550TAR | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5550TAR | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5550TAR | onsemi | Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 93928 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5550TAR | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold | на замовлення 71 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5550TF | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5550TF - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 29681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 13889 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5550TF | ON Semiconductor | 2N5550TF | на замовлення 18424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5550TF | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 29681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5550TF | onsemi | Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5550TFR | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 9590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5550TFR | onsemi | Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 16985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5550TFR | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5550TFR | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5550TFR | onsemi | Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5550TFR | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 9590 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5550TFR | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N5550TFR | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 140V 0.6A TO-92-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TO-92-3 Current - Collector (Ic) (Max): 600 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V Power - Max: 625 mW | на замовлення 113792 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5550TFR | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 140V; 0.6A; 0.625W; TO92 Formed Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 140V Collector current: 0.6A Power dissipation: 0.625W Case: TO92 Formed Current gain: 50...200 Mounting: THT Kind of package: reel; tape Frequency: 100...300MHz | на замовлення 1274 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5550TFR | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2N5550TFR | onsemi | Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial | на замовлення 5891 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

