Продукція > NTM
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NTMFS5H400NLT1G | onsemi | MOSFET T8 40V LOW COSS | на замовлення 2305 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5H400NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 46A/330A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 160W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 330A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 798 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5H400NLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS5H400NLT1G - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 45321 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5H400NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 145031 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5H400NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5H400NLT1G | ON Semiconductor | на замовлення 980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NTMFS5H400NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5H400NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5H400NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 46A/330A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 160W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 330A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5H400NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5H400NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5H400NLT3G | ON Semiconductor | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NTMFS5H400NLT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5H400NLT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 46A/330A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 330A (Tc) Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 20 V | на замовлення 11845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5H400NLT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 46A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5H400NLT3G | ON Semiconductor | MOSFET T8 40V LOW COSS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5H400NLT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 46A/330A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 46A (Ta), 330A (Tc) Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7700 pF @ 20 V | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5H409NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 41A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5H409NLT1G | onsemi | MOSFETs T8 40V LOW COSS | на замовлення 4019 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5H409NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 41A/270A 5DFN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 140W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 270A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5H409NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 41A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5H409NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 41A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 13500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5H409NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 41A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5H409NLT1G | ON Semiconductor | MOSFET T8 40V LOW COSS | на замовлення 1809 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5H409NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 41A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5H409NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 41A/270A 5DFN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 140W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 270A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) | на замовлення 30586 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5H409NLT1G | ON Semiconductor | на замовлення 3291 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NTMFS5H409NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 41A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5H409NLT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 41A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5H409NLT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 41A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5H409NLT3G | onsemi | MOSFETs T8 40V LOW COSS | на замовлення 4950 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5H409NLT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 41A/270A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 270A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 20 V | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5H409NLT3G | ON Semiconductor | на замовлення 4980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NTMFS5H409NLT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 41A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5H409NLT3G | ON Semiconductor | MOSFET T8 40V LOW COSS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5H409NLT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 41A/270A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Ta), 270A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5700 pF @ 20 V | на замовлення 49829 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5H414NLT1G | ON Semiconductor | NTMFS5H414NLT1G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 40V 35A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com | на замовлення 167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5H414NLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS5H414NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 210 A, 0.0011 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 71990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5H414NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 35A/210A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4550 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 210A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 1410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5H414NLT1G | ON Semiconductor | NTMFS5H414NLT1G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 40V 35A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5H414NLT1G | ON Semiconductor | NTMFS5H414NLT1G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 40V 35A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com | на замовлення 67500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5H414NLT1G | ON Semiconductor | NTMFS5H414NLT1G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 40V 35A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5H414NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 35A/210A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4550 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 75 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 110W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 20A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 210A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5H414NLT1G | ON Semiconductor | NTMFS5H414NLT1G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 40V 35A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5H414NLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS5H414NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 210 A, 0.0011 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 210A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.55V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pins Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 71990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5H414NLT1G | ON Semiconductor | NTMFS5H414NLT1G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 40V 35A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5H414NLT1G | ON Semiconductor | NTMFS5H414NLT1G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 40V 35A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com | на замовлення 167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5H414NLT1G | onsemi | MOSFET T8 40V LOW COSS POWER MOSFET | на замовлення 575 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5H414NLT1G | ON Semiconductor | NTMFS5H414NLT1G ON Semiconductor Transistors MOSFETs N-CH 40V 35A 5-Pin(4+Tab) SO-FL T/R - Arrow.com | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5H419NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 29A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5H419NLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS5H419NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 155 A, 0.0017 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 155A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5H419NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 29A/155A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 155A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 20 V | на замовлення 1110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5H419NLT1G | onsemi | MOSFETs T8 40V LOW COSS | на замовлення 1890 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5H419NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 29A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5H419NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 29A/155A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Ta), 155A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.1mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 89W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5H419NLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS5H419NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 155 A, 0.0017 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 155A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 89W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1438 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5H419NLT1G | ON Semiconductor | на замовлення 2950 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NTMFS5H425NLT1G | onsemi | MOSFET T8 40V LOW COSS | на замовлення 1365 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5H425NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 25A/118A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 118A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 20 V | на замовлення 481 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5H425NLT1G | ON Semiconductor | на замовлення 1480 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NTMFS5H425NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 25A/118A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 118A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 69W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1950 pF @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5H431NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 23A/106A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 106A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 20 V | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5H431NLT1G | ON Semiconductor | на замовлення 1345 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NTMFS5H431NLT1G | onsemi | MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 40V, 110A, 3.3mohm | на замовлення 2853 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5H431NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 23A/106A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Ta), 106A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.3mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1730 pF @ 20 V | на замовлення 1867 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5H431NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 23A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5H600NL | onsemi | MOSFET T8 60V LOW COSS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5H600NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 35A/250A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 250A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 30 V | на замовлення 2277 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5H600NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 35A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 4499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5H600NLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTMFS5H600NLT1G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 250 A, 0.0011 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 250A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0011ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5H600NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 35A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 4499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5H600NLT1G | ON Semiconductor | на замовлення 91837 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NTMFS5H600NLT1G | onsemi | MOSFETs T8 60V LOW COSS | на замовлення 8388 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5H600NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 35A/250A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 250A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 30 V | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5H600NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 35A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5H600NLT1G-IRH1 | onsemi | Description: T8 60V LOW COSS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 250A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 30 V | на замовлення 1498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5H600NLT1G-IRH1 | onsemi | MOSFET T8 60V LOW COSS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5H600NLT1G-IRH1 | onsemi | Description: T8 60V LOW COSS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 250A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 30 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5H600NLT3G | onsemi | MOSFETs T8 60V LOW COSS | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5H600NLT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 35A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5H600NLT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 35A/250A 5DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 250A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 30 V | на замовлення 9585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5H600NLT3G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 35A/250A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Ta), 250A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.3mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6680 pF @ 30 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5H600NLT3G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 35A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5H610NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 12A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5H610NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 12A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 1340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5H610NLT1G | ON Semiconductor | на замовлення 2970 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NTMFS5H610NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 12A 44A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 43W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) 44A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 6565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5H610NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 12A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5H610NLT1G | onsemi | MOSFETs T8 60V LOW COSS | на замовлення 31889 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5H610NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 12A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5H610NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 12A 44A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.7 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 40µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 43W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) 44A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5H610NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 12A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5H615NL | onsemi | MOSFET T8 60V LOW COSS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5H615NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 28A/185A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4860 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 139W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 49A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 185A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5H615NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 28A 5-Pin SO-FL EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5H615NLT1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 28A/185A 5DFN Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4860 pF @ 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 63 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 5-DFN (5x6) (8-SOFL) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 139W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8mOhm @ 49A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 28A (Ta), 185A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-PowerTDFN, 5 Leads Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 5729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5H615NLT1G | onsemi | MOSFETs T8 60V LOW COSS | на замовлення 1458 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NTMFS5H615NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 28A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 4500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| NTMFS5H615NLT1G | ON Semiconductor | на замовлення 1365 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| NTMFS5H630NLT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 22A 5-Pin SO-FL EP T/R | на замовлення 490500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

