Продукція > 2N6

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2N65LUMWDescription: TO-252 N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 311 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252 (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N660MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6600MOTCAN
на замовлення 627 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6601MOTCAN
на замовлення 837 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6605MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6605AMOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6606MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6606AMOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6607MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6607AMOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6608MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6608AMOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6609Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6609MULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N6609 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 140 V, 16 A, 150 W, TO-3, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
DC-Stromverstärkung hFE: 60
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 16
Verlustleistung: 150
Bauform - Transistor: TO-3
Anzahl der Pins: 2
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 200
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6609Microchip TechnologyDescription: TRANS PNP 140V 16A TO204AA
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6609ON
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6609Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6609onsemiDescription: TRANS PNP 140V 16A TO204
Packaging: Tray
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
Current - Collector Cutoff (Max): 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 4V
Supplier Device Package: TO-204 (TO-3)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Power - Max: 150 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6609onsemiBipolar Transistors - BJT 16A 140V 150W PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6609Microchip TechnologyTrans GP BJT PNP 140V 16A 3-Pin(2+Tab) TO-3
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6609
Код товару: 88687
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6609 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT PNP 140V 16A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6609 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 160Vcbo 140Vceo 160Vceb 7.0Vebo 16A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6609 PBFREECentral SemiconductorTrans GP BJT PNP 140V 16A 150000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+484.31 грн
3+279.72 грн
10+273.67 грн
20+260.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6609 PBFREECentral Semiconductor CorpDescription: TRANS PNP 140V 16A TO-3
Supplier Device Package: TO-3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 4V
Current - Collector Cutoff (Max): 10mA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.4V @ 800mA, 8A
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Packaging: Tube
Power - Max: 150 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 140 V
Current - Collector (Ic) (Max): 16 A
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6609 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT 160Vcbo 140Vceo 160Vceb 7.0Vebo 16A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6609AMOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6609HMULTICOMP PRODescription: MULTICOMP PRO - 2N6609H - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 140 V, 16 A, 150 W, TO-3, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 5hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-3
Dauerkollektorstrom: 16A
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar PNP Transistor
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 140V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: -
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+777.21 грн
10+518.68 грн
100+424.44 грн
500+309.62 грн
1000+222.29 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N660AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N661MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N661AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N662MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6622MOT01+ TO-3
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N662AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N663MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N663AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N664MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6648Microchip TechnologyDarlington Transistors 40V PNP Power BJT THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6648Rochester Electronics, LLCDescription: POWER BIPOLAR TRANSISTOR, PNP
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6648Microchip / MicrosemiDarlington Transistors Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6648Microsemi CorporationDescription: PNP TRANSISTOR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6648MOT01+ TO-3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6649Microchip TechnologyDarlington Transistors 60V PNP Power BJT THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6649Microsemi CorporationDescription: PNP TRANSISTOR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6649MOT01+ TO-3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6649Microchip / MicrosemiDarlington Transistors Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N664AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N665MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6650Microchip TechnologyDescription: PNP TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-204AA, TO-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP - Darlington
Operating Temperature: -65°C ~ 175°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100µA, 10A
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V
Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 5 W
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6650MOT01+ TO-3
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6650STMicroelectronicsDarlington Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6650Microchip TechnologyDarlington Transistors 80V PNP Power BJT THT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6650 PBFREECentral SemiconductorDarlington Transistors PNP Pwr Darlington
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 460 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6653MOT01+ TO-3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6654MOT01+ TO-3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6655MOT01+ TO-3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6656MOT01+ TO-3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6657MOT01+ TO-3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6658MOT01+ TO-3
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6659VISHAY
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6659Vishay / SiliconixMOSFET 35V 1.8 OHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6659-2Vishay / SiliconixMOSFETs MOSPOWER TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N66595SILICONI
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6659N2SILICONI
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N665AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N666MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6660Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6660Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1389.15 грн
25+1346.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N6660SOLID STATEDescription: SOLID STATE - 2N6660 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 1.1 A, 2.7 ohm, TO-205AD, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.25W
Bauform - Transistor: TO-205AD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.7ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+430.08 грн
10+360.01 грн
100+298.80 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6660Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6660Semelab / TT ElectronicsMOSFET N-CHANNEL TO39
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6660Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 559 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5196.56 грн
25+5119.16 грн
50+5041.76 грн
125+4789.44 грн
250+2340.73 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6660Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6660Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 60V 410MA TO39
Packaging: Bag
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 410mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-39
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 24 V
на замовлення 1072 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1057.77 грн
25+933.49 грн
100+899.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N6660Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1389.15 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6660Microchip TechnologyMOSFET 60V 3Ohm
на замовлення 603 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1191.18 грн
25+1077.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N6660Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 60V 0.41A 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
478+2852.05 грн
Мінімальне замовлення: 478 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6660-2Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 990mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-205AD (TO-39)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6660-E3Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 990mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-205AD (TO-39)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N66605SILICONI
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6660CS4-JQR-B.01TT ElectronicsTT Electronics N-CHANNEL LCC3 SN/PB DIP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6660CSM4-JQR-BSemelab (TT electronics)Mosfet
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6660CSM4-JQR-B.01Semelab (TT electronics)2N6660CSM4-JQR-B.01^SEMELAB
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6660JAN02Vishay SiliconixDescription: JFET N-CH
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6660JTVP02Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 990mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-205AD (TO-39)
Grade: Military
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Qualification: MIL-PRF-19500
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6660JTX02Vishay / SiliconixMOSFET 19500/547 JANTX2N6660
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6660JTX02Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD
Packaging: Tube
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 990mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-205AD (TO-39)
Grade: Military
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Qualification: MIL-PRF-19500
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6660JTXL02Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 990mA (Tc)
Qualification: MIL-PRF-19500
Grade: Military
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-205AD (TO-39)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6660JTXP02Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD
Qualification: MIL-PRF-19500
Grade: Military
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-205AD (TO-39)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 990mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Tube
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6660JTXV02Vishay SiliconixDescription: MOSFET N-CH 60V 990MA TO205AD
Qualification: MIL-PRF-19500
Grade: Military
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-205AD (TO-39)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 725mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 990mA (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N6660N2SILICONI
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661Microchip TechnologyDescription: MOSFET N-CH 90V 350MA TO39
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 50 pF @ 24 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 90 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Supplier Device Package: TO-39
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350mA (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can
Packaging: Bag
на замовлення 2082 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1057.77 грн
25+933.49 грн
100+899.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+1238.90 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661Microchip TechnologyMOSFETs 90V 4Ohm
на замовлення 575 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+1191.18 грн
25+1077.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
177+2850.18 грн
Мінімальне замовлення: 177 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661Semelab (TT electronics)Trans MOSFET N-CH 90V 0.9A 3-Pin TO-39
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 141 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1499.54 грн
25+1475.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+1346.62 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661MICROCHIPDescription: MICROCHIP - 2N6661 - Leistungs-MOSFET, DMOS-FET, vertikal, n-Kanal, 90 V, 1.5 A, 4 ohm, TO-39, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 90V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 6.25W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-39
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4ohm
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1369.18 грн
25+1101.78 грн
100+1080.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2N6661Microchip TechnologyTrans MOSFET N-CH Si 90V 0.35A 3-Pin TO-39 Bag
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2197.79 грн
10+1900.49 грн
25+1754.30 грн
50+1683.35 грн
100+1501.62 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30  [ Наступна Сторінка >> ]