Продукція > DMC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 33 35  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMC2004VKDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2004VK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.67A SOT563
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 670mA, 530mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 450mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2004VK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC2004VK-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 670 mA, 670 mA, 0.55 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 670mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 670mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 450mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.55ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 450mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+50.58 грн
25+32.86 грн
100+22.47 грн
500+15.03 грн
1000+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2004VK-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.67A/0.53A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
787+17.35 грн
3000+13.66 грн
Мінімальне замовлення: 787 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2004VK-7Diodes IncorporatedMOSFETs 400mW 20V
на замовлення 10029 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.06 грн
10+44.14 грн
100+23.95 грн
500+16.50 грн
1000+13.88 грн
3000+12.22 грн
6000+10.70 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2004VK-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.67A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 450mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 670mA, 530mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2004VK-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC2004VK-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 670 mA, 670 mA, 0.55 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 670mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 670mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 450mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.55ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 450mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2478 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.47 грн
500+15.03 грн
1000+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC201010RPanasonicBipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
на замовлення 4561 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC201010RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS 2NPN 50V 0.1A MINI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: Mini5-G3-B
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC201010RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS 2NPN 50V 0.1A MINI5
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Supplier Device Package: Mini5-G3-B
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC201A00RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS 2NPN 20V 0.5A MINI5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC201A00RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS 2NPN 20V 0.5A MINI5
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC201A00RPanasonicBipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC201E0
Код товару: 98713
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC202010RPanasonicBipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
на замовлення 10120 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC202010RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS 2NPN 50V 0.1A MINI5
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74A, SOT-753
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: Mini5-G3-B
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2020USDInternational RectifierСборка MOSFET транзисторов SO-8 Транзистори
на замовлення 5 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
5+62.40 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2020USDDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2020USD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC2020USD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 7.8 A, 7.8 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.43 грн
14+58.63 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2020USD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 7.8A/6.3A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A, 6.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2020USD-13Diodes IncorporatedMOSFETs 20V Comp Pair ENH 2kV ESD SO-8 Mosfet
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2020USD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC2020USD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 7.8 A, 7.8 A, 0.02 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 46 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 46 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2020USD-13DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Kind of transistor: complementary pair
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Mounting: SMD
Case: SO8
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.02/0.033Ω
Power dissipation: 1.8W
Drain current: 6.3/-7.8A
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 20/-20V
Kind of package: 13 inch reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2020USD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 7.8A/6.3A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A, 6.3A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2020USD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 7.8A/6.3A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2025UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486pF @ 10V, 642pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V, 75mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, 15nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2025UFDB-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 6A/3.5A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2025UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2025UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486pF @ 10V, 642pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V, 75mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, 15nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2025UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 6A/3.5A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2025UFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC2025UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6 A, 6 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+17.15 грн
500+12.04 грн
1000+10.22 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2025UFDB-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar
Type of transistor: N/P-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2025UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2025UFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC2025UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6 A, 6 A, 0.025 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.36 грн
30+26.90 грн
100+17.15 грн
500+12.04 грн
1000+10.22 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2025UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486pF @ 10V, 642pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V, 75mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, 15nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2025UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 6A/3.5A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2025UFDBQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2025UFDBQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486pF @ 10V, 642pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V, 75mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, 15nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2025UFDBQ-7Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 8V24V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2025UFDBQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6A 6UDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486pF @ 10V, 642pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V, 75mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, 15nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+41.94 грн
12+25.20 грн
100+16.07 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2025UFDBQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2025UFDBQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 700mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 3.5A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486pF @ 10V, 642pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V, 75mOhm @ 2.9A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, 15nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 1.4V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2038LVTDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2038LVTDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC2038LVT - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.027 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.027ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.13W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.13W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.61 грн
500+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2038LVTDIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC2038LVT - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.027 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.027ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.13W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.13W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+26.98 грн
50+18.28 грн
100+13.61 грн
500+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2038LVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC2038LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 2.6 A, 0.035 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.074ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 800mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 800mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 18218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+18.52 грн
65+12.48 грн
100+9.02 грн
500+7.02 грн
1500+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2038LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3.7A TSOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.28 грн
6000+5.48 грн
9000+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2038LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.1A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.49 грн
6000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2038LVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC2038LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.027 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.027ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 800mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 800mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2038LVT-7Diodes INC.Транзистор польовий N+P, Udss, В = 20, Id = 3,7, Ciss, пФ @ Uds, В = 530pF @ 10V, Qg, нКл = 17, Rds = 35 мОм, Ugs(th) = 1 В, Р, Вт = 0,8, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: TSOT-23-6 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2038LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.1A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 87000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.45 грн
6000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2038LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.1A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.37 грн
6000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2038LVT-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC2038LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 2.6 A, 0.035 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.7A
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.074ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 800mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 800mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 18218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.02 грн
500+7.02 грн
1500+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2038LVT-7
на замовлення 6380 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2038LVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3.7A TSOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 2.6A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Not For New Designs
на замовлення 11970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.51 грн
18+17.57 грн
100+11.11 грн
500+7.79 грн
1000+6.93 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2038LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.1A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.37 грн
6000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2038LVT-7
Код товару: 170904
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2038LVT-7DIODES/ZETEXTrans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.1A Automotive 6-Pin TSOT-26 DMC2038LVT-7 TDMC2038lvt
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
100+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2038LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.1A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.37 грн
6000+5.81 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2038LVT-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 3.1/-4.5A
Power dissipation: 1.1W
Case: TSOT26
Gate-source voltage: ±12V
On-state resistance: 0.035/0.074Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 2384 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
21+21.48 грн
27+15.46 грн
50+10.72 грн
100+9.14 грн
500+6.65 грн
1000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2038LVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.1A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2038LVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V 8V-24V,TSOT23,3K
на замовлення 136564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.44 грн
19+16.83 грн
100+8.01 грн
500+7.66 грн
1000+6.83 грн
3000+5.18 грн
6000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2038LVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.1A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.52 грн
6000+11.36 грн
9000+10.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2038LVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3.7A TSOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 2.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 10V, 705pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V, 74mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V, 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.94 грн
6000+10.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2038LVTQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC2038LVTQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.035 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.074ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 800mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 800mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.93 грн
500+9.80 грн
1000+8.08 грн
5000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2038LVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.1A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2038LVTQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V TSOT26 T&R 3K
на замовлення 5894 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+41.56 грн
13+25.33 грн
100+14.08 грн
500+10.63 грн
1000+9.53 грн
3000+7.73 грн
6000+6.97 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2038LVTQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.1A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.45 грн
6000+11.29 грн
9000+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2038LVTQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC2038LVTQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.035 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.074ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 800mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: TSOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 800mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+35.36 грн
37+21.83 грн
100+13.93 грн
500+9.80 грн
1000+8.08 грн
5000+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2038LVTQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 3.7A TSOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 2.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 10V, 705pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V, 74mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V, 10nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Part Status: Not For New Designs
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6726 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+50.48 грн
10+30.51 грн
100+19.63 грн
500+14.02 грн
1000+12.59 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2038LVTQ-7-52Diodes ZetexMOSFET BVDSS: 8V24V TSOT26 T&R 3K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2038LVTQ-7-52Diodes IncorporatedDescription: MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 800mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 2.6A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 10V, 705pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V, 74mOhm @ 3A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V, 14nC @ 10V
FET Feature: Standard
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-26
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC204010RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS 2NPN 50V 0.1A MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: Mini6-G4-B
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC204010RPanasonicBipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
на замовлення 4271 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC204010RPANASONICSOT26/SOT363
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC204020RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS 2NPN 50V 500MA MINI6-G4-B
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V
Frequency - Transition: 160MHz
Supplier Device Package: Mini6-G4-B
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC204020RPanasonicBipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
на замовлення 4554 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2041UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 6UDFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 713pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.4W
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2041UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFET 20V Complementary 12Vgs 0.6mm ESD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2041UFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC2041UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.04 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.42 грн
14+59.20 грн
100+41.72 грн
500+28.49 грн
1000+24.16 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2041UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 4.7A/3.2A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2041UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 4.7A 6UDFN
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 713pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.10 грн
10+50.26 грн
100+33.17 грн
500+24.16 грн
1000+21.81 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2041UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 4.7A/3.2A 6-Pin UDFN EP T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+26.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2041UFDB-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC2041UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.04 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: U-DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+41.72 грн
500+28.49 грн
1000+24.16 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2041UFDB-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 4.7A 6UDFN
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 713pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.2A
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 1.4W
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2041UFDB-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 4.7A/3.2A 6-Pin UDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2041UFDB-7Diodes IncorporatedMOSFETs 20V Complementary 12Vgs 0.6mm ESD
на замовлення 2428 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+86.98 грн
10+53.35 грн
100+30.93 грн
500+24.02 грн
1000+21.81 грн
3000+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC204A00RPanasonicBipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC204A00RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS 2NPN 20V 0.5A MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: Mini6-G4-B
Part Status: Discontinued at Digi-Key
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC204B30RPanasonicBipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC204B30RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS 2NPN 50V/20V MINI6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC204B30RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS 2NPN 50V/20V MINI6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC204C00RPanasonicBipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC204C00RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS 2NPN 100V 0.02A MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 20mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 2mA, 10V
Frequency - Transition: 140MHz
Supplier Device Package: Mini6-G4-B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC205010RPanasonicBipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC205010RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS 2NPN 50V 0.1A MINI6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC205010RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS 2NPN 50V 0.1A MINI6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2053UFDBDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2053UFDB-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2053UFDB-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 4.6A 6UDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 820mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 3.1A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369pF @ 10V, 440pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V, 75mOhm @ 3.5A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 10V, 12.7nC @ 8V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B)
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 19 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 33 35  [ Наступна Сторінка >> ]