Продукція > DMC
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMC2004VK-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC2004VK-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 670 mA, 670 mA, 0.55 ohm tariffCode: 85411000 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 670mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 670mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm Verlustleistung, p-Kanal: 450mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.55ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 450mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2478 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC201010R | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS 2NPN 50V 0.1A MINI5 Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: Mini5-G3-B Frequency - Transition: 150MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 100µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 300mW Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: 2 NPN (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-74A, SOT-753 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC201010R | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS 2NPN 50V 0.1A MINI5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74A, SOT-753 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: Mini5-G3-B Part Status: Discontinued at Digi-Key | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC201010R | Panasonic | Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm | на замовлення 4561 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC201A00R | Panasonic | Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC201A00R | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS 2NPN 20V 0.5A MINI5 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC201A00R | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS 2NPN 20V 0.5A MINI5 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC201E0 Код товару: 98713
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| DMC202010R | Panasonic | Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm | на замовлення 10120 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC202010R | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS 2NPN 50V 0.1A MINI5 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-74A, SOT-753 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: Mini5-G3-B Part Status: Discontinued at Digi-Key | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2020USD | International Rectifier | Сборка MOSFET транзисторов SO-8 Транзистори | на замовлення 5 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMC2020USD | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2020USD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 7.8A/6.3A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A, 6.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2020USD-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC2020USD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 7.8 A, 7.8 A, 0.02 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 46 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2020USD-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 7.8A/6.3A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7.8A, 6.3A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1149pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11.6nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2020USD-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 7.8A/6.3A 8-Pin SO T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2020USD-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC2020USD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 7.8 A, 7.8 A, 0.02 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 7.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 7.8A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.02ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2020USD-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 20V Comp Pair ENH 2kV ESD SO-8 Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2025UFDB-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 6A/3.5A 6-Pin UDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2025UFDB-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2025UFDB-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 6A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 3.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486pF @ 10V, 642pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V, 75mOhm @ 2.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, 15nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2025UFDB-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 3K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2025UFDB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 6A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 3.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486pF @ 10V, 642pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V, 75mOhm @ 2.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, 15nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2025UFDB-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 6A/3.5A 6-Pin UDFN EP T/R | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMC2025UFDB-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC2025UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6 A, 6 A, 0.025 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2025UFDB-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 6A/3.5A 6-Pin UDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2025UFDB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 6A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 3.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486pF @ 10V, 642pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V, 75mOhm @ 2.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, 15nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2025UFDB-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC2025UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 6 A, 6 A, 0.025 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.025ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2025UFDBQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 6A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 3.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486pF @ 10V, 642pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V, 75mOhm @ 2.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, 15nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2025UFDBQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2025UFDBQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 6A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 3.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486pF @ 10V, 642pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V, 75mOhm @ 2.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, 15nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2025UFDBQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6 T&R 3K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2025UFDBQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 6A 6UDFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 3.5A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 486pF @ 10V, 642pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25mOhm @ 4A, 4.5V, 75mOhm @ 2.9A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.3nC @ 10V, 15nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, 1.4V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMC2025UFDBQ-7 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 8V24V U-DFN2020-6 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2038LVT | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC2038LVT - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.027 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.027ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.13W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.13W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2038LVT | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC2038LVT - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.027 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: - Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.027ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.13W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.027ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.13W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2038LVT | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2038LVT-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: complementary pair Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 3.1/-4.5A Power dissipation: 1.1W Case: TSOT26 Gate-source voltage: ±12V On-state resistance: 0.035/0.074Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2038LVT-7 | Diodes INC. | Транзистор польовий N+P, Udss, В = 20, Id = 3,7, Ciss, пФ @ Uds, В = 530pF @ 10V, Qg, нКл = 17, Rds = 35 мОм, Ugs(th) = 1 В, Р, Вт = 0,8, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: TSOT-23-6 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2038LVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.7A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 800mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 2.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Part Status: Not For New Designs | на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMC2038LVT-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC2038LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 2.6 A, 0.035 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3.7A Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.074ohm Verlustleistung, p-Kanal: 800mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 800mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2038LVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.1A 6-Pin TSOT-26 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2038LVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V 8V-24V,TSOT23,3K | на замовлення 115800 шт: термін постачання 301-310 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2038LVT-7 | на замовлення 6380 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| DMC2038LVT-7 Код товару: 170904
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| DMC2038LVT-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC2038LVT-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 2.6 A, 0.035 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.074ohm Verlustleistung, p-Kanal: 800mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 800mW Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2038LVT-7 | DIODES/ZETEX | Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.1A Automotive 6-Pin TSOT-26 DMC2038LVT-7 TDMC2038lvt кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMC2038LVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.7A TSOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 800mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A, 2.6A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Part Status: Not For New Designs | на замовлення 68800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMC2038LVTQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.7A TSOT23-6 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 800mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 2.6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 10V, 705pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V, 74mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V, 10nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-23-6 Part Status: Not For New Designs Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2038LVTQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.5A/3.1A Automotive AEC-Q101 6-Pin TSOT-26 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2038LVTQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V TSOT26 T&R 3K | на замовлення 52 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2038LVTQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 3.7A TSOT23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 800mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 2.6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 10V, 705pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V, 74mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7nC @ 4.5V, 10nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate, 1.8V Drive Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-23-6 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2038LVTQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC2038LVTQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.035 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.074ohm Verlustleistung, p-Kanal: 800mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 800mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 11665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2038LVTQ-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Mounting: SMD Power dissipation: 0.5W Polarisation: unipolar Drain current: 3/-2.1A Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 20/-20V Kind of transistor: complementary pair Application: automotive industry Type of transistor: N/P-MOSFET Gate-source voltage: ±12V Kind of package: 7 inch reel; tape Case: TSOT26 On-state resistance: 0.056/0.168Ω | на замовлення 52 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMC2038LVTQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC2038LVTQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 3.7 A, 3.7 A, 0.035 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.074ohm Verlustleistung, p-Kanal: 800mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: TSOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 800mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 11665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2038LVTQ-7-52 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET BVDSS: 8V~24V TSOT26 T&R Packaging: Bulk Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 800mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta), 2.6A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 530pF @ 10V, 705pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 4A, 4.5V, 74mOhm @ 3A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17nC @ 10V, 14nC @ 10V FET Feature: Standard Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2038LVTQ-7-52 | Diodes Zetex | MOSFET BVDSS: 8V24V TSOT26 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC204010R | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS 2NPN 50V 0.1A MINI6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 10V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: Mini6-G4-B Part Status: Discontinued at Digi-Key | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC204010R | PANASONIC | SOT26/SOT363 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC204010R | Panasonic | Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm | на замовлення 4271 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC204020R | Panasonic | Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm | на замовлення 4554 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC204020R | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS 2NPN 50V 500MA MINI6-G4-B Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 150mA, 10V Frequency - Transition: 160MHz Supplier Device Package: Mini6-G4-B Part Status: Discontinued at Digi-Key | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2041UFDB-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 6UDFN Part Status: Active Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 713pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.2A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 1.4W Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) Technology: MOSFET (Metal Oxide) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2041UFDB-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs 20V Complementary 12Vgs 0.6mm ESD | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2041UFDB-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC2041UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.04 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2041UFDB-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.7A/3.2A 6-Pin UDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2041UFDB-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.7A/3.2A 6-Pin UDFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2041UFDB-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs 20V Complementary 12Vgs 0.6mm ESD | на замовлення 2428 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2041UFDB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.7A 6UDFN Part Status: Active Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 713pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.2A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 1.4W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 8539 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMC2041UFDB-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC2041UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.04 ohm tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.09ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.4W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.04ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.4W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2041UFDB-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 4.7A/3.2A 6-Pin UDFN EP T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMC2041UFDB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.7A 6UDFN Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 4.2A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 713pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A, 3.2A Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 1.4W Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.4V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 8V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMC204A00R | Panasonic | Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm | на замовлення 2800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC204A00R | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS 2NPN 20V 0.5A MINI6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 500mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 20mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: Mini6-G4-B Part Status: Discontinued at Digi-Key | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC204B30R | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS 2NPN 50V/20V MINI6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC204B30R | Panasonic | Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC204B30R | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS 2NPN 50V/20V MINI6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC204C00R | Panasonic | Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC204C00R | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS 2NPN 100V 0.02A MINI6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 20mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 2mA, 10V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: Mini6-G4-B | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC205010R | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS 2NPN 50V 0.1A MINI6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC205010R | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS 2NPN 50V 0.1A MINI6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC205010R | Panasonic | Bipolar Transistors - BJT COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2053UFDB | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2053UFDB-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2053UFDB-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.6A 6UDFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 820mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 3.1A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369pF @ 10V, 440pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V, 75mOhm @ 3.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 10V, 12.7nC @ 8V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2053UFDB-7 | Diodes Zetex | Complementary Pair Enhancement Mode Mosfet | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMC2053UFDB-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC2053UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.035 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.14W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.14W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2053UFDB-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.6A 6UDFN Part Status: Active Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 10V, 12.7nC @ 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V, 75mOhm @ 3.5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369pF @ 10V, 440pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 3.1A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 820mW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Complementary Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMC2053UFDB-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V U-DFN2020-6 T and R 3K | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2053UFDB-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC2053UFDB-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.035 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.14W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.14W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2270 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2053UFDBQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2053UFDBQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.6A 6UDFN Part Status: Active Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 3.1A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 820mW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 10V, 12.7nC @ 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V, 75mOhm @ 3.5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369pF @ 10V, 440pF @ 10V Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2053UFDBQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC2053UFDBQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.035 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.14W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.14W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2053UFDBQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC2053UFDBQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 4.6 A, 4.6 A, 0.035 ohm tariffCode: 85412100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.6A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.075ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.14W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: U-DFN2020 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.035ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.14W Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 764 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2053UFDBQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.6A 6UDFN Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7nC @ 10V, 12.7nC @ 8V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V, 75mOhm @ 3.5A, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369pF @ 10V, 440pF @ 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 3.1A (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 820mW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 6-UDFN Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active Supplier Device Package: U-DFN2020-6 (Type B) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMC2053UFDBQ-7 | Diodes Zetex | Complementary Pair Enhancement Mode MOSFET Automotive AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| DMC2053UFDBQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V U-DFN2020-6 T&R 3K | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2053UVT | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2053UVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 301-310 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| DMC2053UVT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 4.6A TSOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 700mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta), 3.2A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 369pF @ 10V, 440pF @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 5A, 4.5V, 74mOhm @ 3.5A, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.6nC @ 4.5V, 5.9nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-26 Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. |