Продукція > IRL
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLML2246TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 16 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2246TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML2246TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.135 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm | на замовлення 542 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2246TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -2.6A; 1.3W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -20V Drain current: -2.6A Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Technology: HEXFET® Features of semiconductor devices: logic level Power dissipation: 1.3W | на замовлення 5051 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2246TRPBF | International Rectifier | MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2246TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 20V 2.6A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 16729 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2246TRPBF Код товару: 116616
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRLML2246TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 20V 2.6A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 2.6A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 220 pF @ 16 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2246TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML2246TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 2.6 A, 0.135 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V Verlustleistung: 1.3W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm | на замовлення 542 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2246TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT PCh -20V -2.6A 135mOhm -2.5V cpbl | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2246TRPBF-1-ML | MOSLEADER | Description: P -20V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 299000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2402 Код товару: 22518
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, V: 20 V Струм стоку Idd, A: 1,2 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,25. Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 110/2,6 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||
| IRLML2402 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2402 | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 350mOhm; 1,2A; 540mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2402TR; IRLML2402GTR; SP001552710; SP001572972; IRLML2402TR UMW TIRLML2402 UMW кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2402 TR | IR | на замовлення 82985 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRLML2402-SL | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 20V 1.2A 540MW 250M@4.5V,930MA S | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2402-SL | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 20V 1.2A 540MW 250M@4.5V,930MA S | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2402GPBF-ML | MOSLEADER | Description: N 20V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2402GTRPBF | Infineon Technologies | MOSFET MOSFT 20V 1.2A 250mOhm 2.6nC LogLvl | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2402GTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 930mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2402GTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 930mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2402GTRPBF | International Rectifier | MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2402GTRPBF-ML | MOSLEADER | Description: N 20V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2402PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 20V 1.2A 3-Pin SOT-23 | на замовлення 1238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2402PbF | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2402TR | Infineon | Tranzystor N-MOSFET; 20V; 12V; 350mOhm; 1,2A; 540mW; -55°C ~ 150°C; LTB:31-JULY-2024; Odpowiednik: IRLML2402TR; IRLML2402; YJL2302B; YJL2302B-F2-0000HF; IRLML2402 TIRLML2402 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2976 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2402TR | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 1,2 А, Ptot, Вт = 0,54, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 110 @ 15, Qg, нКл = 3,9 @ 4,5 В, Rds = 250 мОм @ 930 мА, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 0,7 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2402TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 930mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2402TR | Infineon | Tranzystor N-MOSFET; 20V; 12V; 350mOhm; 1,2A; 540mW; -55°C ~ 150°C; LTB:31-JULY-2024; Odpowiednik: IRLML2402TR; IRLML2402; YJL2302B; YJL2302B-F2-0000HF; IRLML2402 TIRLML2402 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2402TR Код товару: 206381
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, V: 20 V Струм стоку Idd, A: 4,2 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 740/8 Монтаж: SMD | у наявності: 1008 шт
|
| ||||||||||||||||
| IRLML2402TR-HXY | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 72mOhm; 2,3A; 900mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2402TR; IRLML2402GTR; SP001552710; SP001572972; IRLML2402TR HXY MOSFET TIRLML2402 HXY кількість в упаковці: 250 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2402TR/1A9P | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML2402TR/1AJM | IR | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRLML2402TR/A2 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML2402TR/A5E5E | на замовлення 1150 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML2402TR/ABE3M | IR | 09+ | на замовлення 2268 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2402TR/TRPBF | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML2402TRPBF | IRLML2402TRPBF Транзисторы MOS FET Small Signal | на замовлення 5174 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRLML2402TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 930mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2402TRPBF | Infineon | MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23 Транзистори | на замовлення 1 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2402TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 20V 1.2A 250mOhm 2.6nC LogLvl | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2402TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML2402TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 540mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: To Be Advised | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2402TRPBF | IRLML2402TRPBF Транзисторы MOS FET Small Signal | на замовлення 968 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRLML2402TRPBF Код товару: 1173
2
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, V: 20 V Струм стоку Idd, A: 1,2 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 110/2,6 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD | у наявності: 3722 шт
|
| ||||||||||||||||
| IRLML2402TRPBF | INTERNATIONAL RECTIFIER | MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23 | на замовлення 677 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2402TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 930mA, 4.5V Power Dissipation (Max): 540mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min) Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.9 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 110 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2402TRPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 1,2 А, Ptot, Вт = 0,54, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 110 @ 15, Qg, нКл = 3,9 @ 10 В, Rds = 250 мОм @ 930 мA, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 700 мВ @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 2450 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2402TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 20V 1.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 269 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2402TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML2402TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 1.2 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 700mV euEccn: NLR Verlustleistung: 540mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: To Be Advised | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2402TRPBF-(SOT-23) : IRLML2402-(SOT-23) IRLML2402TRPBF | KLS | MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2402TRPBF-1-ML | MOSLEADER | Description: N 20V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2402TR\ABE3M | IRF | SOT-23 | на замовлення 2350 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2404TRPBF | IR | 09+ | на замовлення 5018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2502 Код товару: 4180
Додати до обраних
Обраний товар
| IR | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, V: 20 V Струм стоку Idd, A: 4,2 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 740/8 Монтаж: SMD | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||
| IRLML2502 | HOTTECH | N-Channel MOSFET 4.5A 30V 40m? Zamiennik dla: IRLML2502 SKML2502 IRLML2502 TIRLML2502 c кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1215 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2502 | HUASHUO | N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 70mOhm; 3,6A; 1W; -55°C ~ 150°C; IRLML2502 SOT23-3 HUA TIRLML2502 HUA кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 239 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2502 | MLCCBASE | Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 80mOhm; 4,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; IRLML2502 MLCCBASE TIRLML2502 MLC кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2502 | HUASHUO | N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 70mOhm; 3,6A; 1W; -55°C ~ 150°C; IRLML2502 SOT23-3 HUA TIRLML2502 HUA кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1101 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2502 | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2502 | UMW | Description: 20V 4.2A 1.25W 45MR@4.5V,4.2A 1. Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 300 pF @ 10 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Vgs (Max): ±12V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Supplier Device Package: SOT-23 Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 50µA Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2502 | LGE | Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 40mOhm; 6A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; C-CDM2502; IRLML2502TR LGE TIRLML2502 LGE кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2502GPBF-ML | MOSLEADER | Description: N 20V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2502GTRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2502GTRPBF-ML | MOSLEADER | Description: N 20V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2502PBF | IR | 09+ | на замовлення 500018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2502PBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 | на замовлення 3456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2502PBF | Infineon / IR | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2502PBF | Infineon | N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2502TR | Infineon | N-MOSFET 4.2A 20V 1.25W 0.045Ω IRLML2502 TIRLML2502 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 2646 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2502TR | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2502TR | HXY MOSFET | Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 40mOhm; 6A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; IRLML2502TR HXY MOSFET TIRLML2502 HXY кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 450 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2502TR | International Rectifier/Infineon | N-канальный ПТ (Vds=20V, Id=4.2A@T=25C, Id=3.4A@T=70C, Rds... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2502TR | UMW | Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 80mOhm; 4,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; IRLML2502 UMW TIRLML2502 UMW кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 750 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2502TR | Infineon | N-MOSFET 4.2A 20V 1.25W 0.045Ω IRLML2502 TIRLML2502 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2502TR | Infineon | N-MOSFET 4.2A 20V 1.25W 0.045Ω IRLML2502 TIRLML2502 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 73 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2502TR | JGSEMI | Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 55mOhm; 4A; 1,56W; -55°C ~ 125°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; IRLML2502TR JGSEMI TIRLML2502 JGS кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2502TR | Infineon | N-MOSFET 4.2A 20V 1.25W 0.045Ω IRLML2502 TIRLML2502 кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1168 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2502TR G... | JSMicro Semiconductor | Transistor N-Channel MOSFET; 20V; 10V; 90mOhm; 4,5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2502TR; SP001558336; IRLML2502TR JSMICRO TIRLML2502 JSM кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2502TR-ES | ElecSuper | N-Channel MOSFET 4.5A 30V 40m? Zamiennik dla: IRLML2502 SKML2502 IRLML2502 TIRLML2502 c кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2502TR-VB | VBsemi | N-Channel MOSFET; 20V; 12V; 50mOhm; 5A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; IRLML2502TR TIRLML2502 VBS кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2502TR/TRPBF | на замовлення 102000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| IRLML2502TRPBF | International Rectifier/Infineon | N-канальний ПТ, Udss, В = 20, Id = 4,2 А, Ptot, Вт = 1,25, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 740 @ 15, Qg, нКл = 12 @ 5 В, Rds = 45 мОм @ 4,2 А, 5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,2 В @ 250 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 484 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2502TRPBF | Infineon Technologies | MOSFETs MOSFT 20V 4.2A 45mOhm 8nC Log Lvl | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2502TRPBF | Infineon | N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 Транзистори | на замовлення 55 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2502TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML2502TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2502TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2502TRPBF | International Rectifier | N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 Транзистори | на замовлення 1195 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2502TRPBF | TYS | N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2502TRPBF | IRLML2502TRPBF Транзисторы | на замовлення 11 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| IRLML2502TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2502TRPBF | Infineon (IRF) | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.2A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level On-state resistance: 45mΩ Gate charge: 8nC Gate-source voltage: ±12V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2502TRPBF | INFINEON | Description: INFINEON - IRLML2502TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 4.2 A, 0.045 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1.25W Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2502TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2502TRPBF | UMW | N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 Транзистори | на замовлення 2279 шт: термін постачання 5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2502TRPBF Код товару: 25595
4
Додати до обраних
Обраний товар
| IR/Infineon | Транзистори > Польові N-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, V: 20 V Струм стоку Idd, A: 4,2 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 0,045 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 740/8 Примітка: Керування логічним рівнем Монтаж: SMD | у наявності: 5759 шт
очікується: 6100 шт
|
| ||||||||||||||||
| IRLML2502TRPBF | HOTTECH | N-Channel 20V 4.2A 1.25W SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2502TRPBF | Infineon Technologies | Description: MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.2A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.2V @ 250µA Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 15 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2502TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 4.2A; 1.25W; SOT23 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 4.2A Power dissipation: 1.25W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level | на замовлення 148 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2502TRPBF | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH Si 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 102 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 102 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IRLML2502TRPBF-1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET N-CH 20V 4.2A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IRLML2502TRPBF-1-ML | MOSLEADER | Description: N 20V SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

