Продукція > ISL
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ISL9R3060P2_Q | onsemi / Fairchild | Diodes - General Purpose, Power, Switching 30A 600V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9R460P2 | onsemi | Description: DIODE GEN PURP 600V 4A TO220-2 Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Packaging: Tube Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 4 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Obsolete Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-220-2 Current - Average Rectified (Io): 4A Technology: Avalanche Reverse Recovery Time (trr): 22 ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9R460PF2 | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 600V 4A 22ns 2-Pin(2+Tab) TO-220F Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9R460PF2 Код товару: 128923
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| ISL9R460PF2 | ONSEMI | Description: ONSEMI - ISL9R460PF2 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 4 A, Einfach, 2.4 V, 22 ns, 50 A Bauform - Diode: TO-220F Durchlassstoßstrom: 50 Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2.4 Sperrverzögerungszeit: 22 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 4 Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600 Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: ISL9R Betriebstemperatur, max.: 175 SVHC: No SVHC (19-Jan-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9R460PF2 | onsemi | Small Signal Switching Diodes 4A 600V Stealth | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9R460PF2 | ONS/FAI | DIODE FAST REC 600V 4A TO220AC Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9R460PF2 | onsemi | Description: DIODE AVALANCHE 600V 4A TO220F2L Part Status: Obsolete Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: TO-220F-2L Current - Average Rectified (Io): 4A Technology: Avalanche Reverse Recovery Time (trr): 22 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-2 Full Pack Packaging: Tube Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 4 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9R460PF2_NL | onsemi / Fairchild | Rectifiers 600V, 4A, STEALTH DIODE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9R460S3S | FAIRCHILD | 07+ TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9R460S3ST | ON Semiconductor | Diode Switching 600V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ISL9R460S3ST | Fairchild Semiconductor | Description: DIODE AVALANCHE 600V 4A TO263 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 22 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 4A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 4 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V | на замовлення 12874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ISL9R460S3ST | ON Semiconductor | Diode Switching 600V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | на замовлення 10242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ISL9R460S3ST | ON Semiconductor | Diode Switching 600V 4A 3-Pin(2+Tab) TO-263AB T/R | на замовлення 1759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ISL9R8120P2 | на замовлення 980 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| ISL9R8120P2 | onsemi | Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A TO220-2L Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220-2L Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9R8120P2 | ONS/FAI | 8A 1200V STEALTH Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9R8120S3S | FAIRCHILD | 07+ TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9R8120S3ST | onsemi | Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Technology: Avalanche Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 10V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9R8120S3ST | onsemi | Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 8A D2PAK Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 3.3 V @ 8 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Part Status: Obsolete Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Current - Average Rectified (Io): 8A Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 10V, 1MHz Technology: Avalanche Reverse Recovery Time (trr): 300 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9R860P2 | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 600V 8A 30ns 2-Pin(2+Tab) TO-220 Tube | на замовлення 91 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ISL9R860P2 | onsemi / Fairchild | Diodes - General Purpose, Power, Switching 8a 600V Stealth Single | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9R860P2 | ONS/FAI | Ultrafast 8.0A 600V 30ns TO-220AC Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9R860P2 | onsemi | Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9R860P2_NL | onsemi / Fairchild | Rectifiers 600V, 8A, STEALTH DIODE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9R860P2_Q | onsemi / Fairchild | Diodes - General Purpose, Power, Switching | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9R860PF2 | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 600V 8A 30ns 2-Pin(2+Tab) TO-220F Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9R860PF2 | onsemi | Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220F-2L Packaging: Tube Package / Case: TO-220-2 Full Pack Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-220F-2L Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9R860PF2 | onsemi / Fairchild | Diodes - General Purpose, Power, Switching 8A 600V Stealth | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9R860PF2 Код товару: 193024
Додати до обраних
Обраний товар
| Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| ISL9R860S3S | onsemi / Fairchild | Small Signal Switching Diodes | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9R860S3S | FAIRCHILD | 07+ TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9R860S3ST | ONS/FAI | Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9R860S3ST | onsemi | Description: DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9R860S3ST | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 600V 8A 30ns 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ISL9R860S3ST | onsemi | Description: DIODE GEN PURP 600V 8A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Avalanche Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Part Status: Obsolete Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9R860S3ST | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 600V 8A 30ns 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9R860S3ST | onsemi / Fairchild | Diodes - General Purpose, Power, Switching 8A 600V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9R860S3ST | ON Semiconductor | Rectifier Diode Switching 600V 8A 30ns 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9R860S3ST_NL | Fairchild Semiconductor | Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO263AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 100 µA @ 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.4 V @ 8 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: TO-263AB (D2PAK) Current - Average Rectified (Io): 8A Technology: Avalanche Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Bulk | на замовлення 583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ISL9R860S3ST_NL | ONSEMI | Description: ONSEMI - ISL9R860S3ST_NL - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85411000 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 583 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 517 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9R860S3ST_Q | onsemi / Fairchild | Rectifiers 8A 600V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9V2040D3S | FAIRCHILD | TO-252 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9V2040D3S | onsemi | Description: IGBT 430V 10A 130W TO252AA Power - Max: 130 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Part Status: Obsolete Gate Charge: 12 nC Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V Td (on/off) @ 25°C: -/3.64µs Supplier Device Package: TO-252AA Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4V, 6A Input Type: Logic Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9V2040D3ST | ONSEMI | Category: SMD IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; 400V; 10A; 130W; DPAK; Features: logic level; ESD Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 400V Collector current: 10A Power dissipation: 130W Case: DPAK Gate-emitter voltage: ±10V Mounting: SMD Gate charge: 12nC Kind of package: reel; tape Version: ESD Features of semiconductor devices: logic level Application: ignition systems | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9V2040D3ST | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 390V 10A 130W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ISL9V2040D3ST | ONSEMI | Description: ONSEMI - ISL9V2040D3ST - IGBT, 10 A, 1.45 V, 130 W, 430 V, TO-252AA, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 130W SVHC: Lead (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: TO-252AA Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: ECoSPARK Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 430V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 1462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9V2040D3ST | onsemi | Description: IGBT 430V 10A TO-252AA Power - Max: 130 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Part Status: Active Gate Charge: 12 nC Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V Td (on/off) @ 25°C: -/3.64µs Supplier Device Package: TO-252AA Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4V, 6A Input Type: Logic Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ISL9V2040D3ST | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 390V 10A 130W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9V2040D3ST | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 390V 10A 130W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ISL9V2040D3ST | On Semiconductor | IGBT 430 V 10 A 130 W Surface Mount TO-252AA Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9V2040D3ST | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 390V 10A 130W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 711 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ISL9V2040D3ST | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 390V 10A 130W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 439 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ISL9V2040D3ST | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 390V 10A 130W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 711 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ISL9V2040D3ST | ONSEMI | Description: ONSEMI - ISL9V2040D3ST - IGBT, 10 A, 1.45 V, 130 W, 430 V, TO-252AA, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.45V MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 130W SVHC: Lead (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: TO-252AA Dauerkollektorstrom: 10A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: ECoSPARK Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 430V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 1462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9V2040D3ST | onsemi | Description: IGBT 430V 10A TO-252AA Power - Max: 130 W Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4V, 6A Input Type: Logic Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Part Status: Active Gate Charge: 12 nC Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V Td (on/off) @ 25°C: -/3.64µs Supplier Device Package: TO-252AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9V2040D3ST | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 390V 10A 130W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9V2040D3ST | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 390V 10A 130W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 94400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ISL9V2040D3ST | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 390V 10A 130W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9V2040D3ST | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 390V 10A 130W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2923 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ISL9V2040D3ST | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 390V 10A 130W 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ISL9V2040D3ST | onsemi / Fairchild | Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers 10a 400V IGBT LL avalanche | на замовлення 775 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9V2040D3STV | onsemi | IGBT Transistors ECOSPARK1 IGN IGBT TO252 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9V2040D3STV | onsemi | Description: IGBT, 430V, 10A, 1.95V, 200MJ, D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4V, 6A Supplier Device Package: TO-252AA Td (on/off) @ 25°C: 610ns/3.64µs Gate Charge: 12 nC Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V Power - Max: 130 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9V2040P3 | onsemi | Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers Sgl N-Ch 400V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9V2040P3 | onsemi | Description: IGBT 430V 10A 130W TO220AB Power - Max: 130 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Part Status: Obsolete Gate Charge: 12 nC Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V Td (on/off) @ 25°C: -/3.64µs Supplier Device Package: TO-220-3 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4V, 6A Input Type: Logic Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9V2040P3 | ONS/FAI | IGBT 430V 10A 130W TO220AB Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9V2040P3 | Fairchild Semiconductor | Description: N-CHANNEL IGBT Input Type: Logic Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube Power - Max: 130 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Part Status: Obsolete Gate Charge: 12 nC Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V Td (on/off) @ 25°C: -/3.64µs Supplier Device Package: TO-220-3 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4V, 6A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9V2040P3 | FAIRCHILD | 02+ | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9V2040S3S | FAIRCHILD | 07+ TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9V2040S3S | onsemi | Description: IGBT 430V 10A TO-263 Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4V, 6A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Td (on/off) @ 25°C: -/3.64µs Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V Gate Charge: 12 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V Power - Max: 130 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9V2040S3ST | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 390V 10A 130W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 48578 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ISL9V2040S3ST | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 390V 10A 130W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 3344 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ISL9V2040S3ST | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT 430V 10A TO-263 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4V, 6A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Td (on/off) @ 25°C: -/3.64µs Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V Gate Charge: 12 nC Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V Power - Max: 130 W | на замовлення 79885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ISL9V2040S3ST | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 390V 10A 130W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 10640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ISL9V2040S3ST | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 390V 10A 130W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ISL9V2040S3ST | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 390V 10A 130W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2577 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ISL9V2040S3ST Код товару: 188087
Додати до обраних
Обраний товар
| Мікросхеми > Драйвери двигунів | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| ISL9V2040S3ST | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 390V 10A 130W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 5361 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ISL9V2040S3ST | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 390V 10A 130W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ISL9V2040S3ST | onsemi | Description: IGBT 430V 10A TO-263 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 4V, 6A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Td (on/off) @ 25°C: -/3.64µs Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V Gate Charge: 12 nC Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V Power - Max: 130 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9V2040S3ST | onsemi | Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers 10a 400V IGBT LL avalanche | на замовлення 408 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9V2040S3ST | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 390V 10A 130W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ISL9V2040S3ST | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 390V 10A 130W Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 3418 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ISL9V2040S3ST-F085C | onsemi | IGBT Transistors ECOSPARK1 IGN-IGBT TO263 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9V2040S3ST_Q | onsemi / Fairchild | Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9V2540S3S | onsemi | Description: IGBT 430V 15.5A 166.7W D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4V, 6A Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Td (on/off) @ 25°C: -/3.64µs Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V Gate Charge: 15.1 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 15.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V Power - Max: 166.7 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9V2540S3ST | ON Semiconductor | Trans IGBT Chip N-CH 390V 15.5A 166.7W Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9V2540S3ST | onsemi / Fairchild | Motor/Motion/Ignition Controllers & Drivers IGBT Ignition EcoSPARK N-Ch | на замовлення 602 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9V2540S3ST | onsemi | Description: IGBT 430V 15.5A TO-263 Power - Max: 166.7 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V Current - Collector (Ic) (Max): 15.5 A Part Status: Last Time Buy Gate Charge: 15.1 nC Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V Td (on/off) @ 25°C: -/3.64µs Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4V, 6A Input Type: Logic Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9V2540S3ST-F085C | onsemi | IGBT Transistors ECOSPARK1 IGN-IGBT TO263 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9V2540S3ST-F085C | onsemi | Description: IGBT 390V 15.5A TO-263 Packaging: Bulk Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 4V, 6A Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Td (on/off) @ 25°C: 610ns/3.64µs Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V Gate Charge: 15.1 nC Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 15.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 390 V Power - Max: 166.7 W Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9V3036D3S | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT 360V 21A TO-252 Power - Max: 150 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 360 V Current - Collector (Ic) (Max): 21 A Part Status: Obsolete Gate Charge: 17 nC Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V Td (on/off) @ 25°C: -/4.8µs Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A Input Type: Logic Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tube | на замовлення 3615 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ISL9V3036D3S | FAIRCHILD | 07+ TO-252 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9V3036D3ST | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT 360V 21A TO-252 Power - Max: 150 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 360 V Current - Collector (Ic) (Max): 21 A Part Status: Obsolete Gate Charge: 17 nC Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V Td (on/off) @ 25°C: -/4.8µs Supplier Device Package: TO-252 (DPAK) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A Input Type: Logic Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Bulk | на замовлення 12089 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ISL9V3036D3STV | onsemi | Description: IGBT, 360V, 17A, 1.58V, 300MJ, D Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Logic Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A Supplier Device Package: TO-252AA Td (on/off) @ 25°C: 700µs/4.8µs Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V Gate Charge: 17 nC Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 21 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 360 V Power - Max: 150 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9V3036D3STV | onsemi | IGBT Transistors ECOSPARK1 IGN IGBT TO252 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9V3036P3 | Fairchild Semiconductor | Description: IGBT 360V 21A TO-220-3 Power - Max: 150 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 360 V Current - Collector (Ic) (Max): 21 A Part Status: Obsolete Gate Charge: 17 nC Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V Td (on/off) @ 25°C: -/4.8µs Supplier Device Package: TO-220-3 Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A Input Type: Logic Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | на замовлення 2641 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| ISL9V3036S3S | FAIRCHILD | 07+ TO-263 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| ISL9V3036S3S | onsemi | Description: IGBT 360V 21A 150W TO263AB Power - Max: 150 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 360 V Current - Collector (Ic) (Max): 21 A Part Status: Obsolete Gate Charge: 17 nC Test Condition: 300V, 1kOhm, 5V Td (on/off) @ 25°C: -/4.8µs Supplier Device Package: D²PAK (TO-263) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 4V, 6A Input Type: Logic Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

