Продукція > 2SA
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SA1586-Y,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 0.15A USM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: USM Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1586-Y,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SA1586-Y,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 100 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 2378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1586-Y,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SA1586-Y,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 100 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 2378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1586-Y/SY | на замовлення 2400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SA1586-Y/YS | TOS | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| 2SA1586-Y\SY | TOSHIBA | SOT-323 | на замовлення 9100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1586SU-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 0.15A USM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1586SU-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 0.15A USM | на замовлення 2334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1586SU-GR,LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT SM Sig PNP Trans VCEO -50V IC -150mA | на замовлення 666 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1586SU-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 0.15A USM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1586SU-GR,LF(D | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 0.15A USM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1586SU-GRLF(D | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1586SU-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC70 Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Supplier Device Package: SC-70 Frequency - Transition: 80MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Operating Temperature: 125°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1586SU-Y,LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT SM Sig PNP Trans VCEO -50V IC -150mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 9000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1586SU-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 0.15A SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: SC-70 Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1586Y(SY) | на замовлення 2340 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SA1587 | Toshiba | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1587 | на замовлення 66000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SA1587-BL(TE85R) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT USM PLN(LF),ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1587-BL,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 120V 0.1A SC-70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-70 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 100 mW | на замовлення 1003 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1587-BL,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 120V 0.1A SC-70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 350 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-70 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 100 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1587-BL,LF | Toshiba | Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 100mW 3-Pin USM T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1587-BL,LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor | на замовлення 3066 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1587-BL,LF | Toshiba | Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 100mW 3-Pin USM T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 163 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 163 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1587-BL,LF(B | Toshiba | 2SA1587-BL,LF(B | на замовлення 2197 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1587-BL,LF(B | Toshiba | 2SA1587-BL,LF(B | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1587-BL,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SA1587-BL,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 2675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1587-BL,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 100mW 3-Pin USM T/R | на замовлення 2691 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 660 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1587-BL,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SA1587-BL,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1587-BL/C2 | TOSHIBA | на замовлення 2819 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| 2SA1587-GR(T5L,F,T | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1587-GR(T5LFT | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1587-GR(TE85L,F) | TOSHIBA | SOT23 | на замовлення 5263 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1587-GR(TE85R) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT USM PLN(LF),DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-07)/OBSOLETE(10-04), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1587-GR(TE85R,F | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Pb-F USM PLN(LF),ACTIVE, | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1587-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 120V 0.1A SC-70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-70 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 100 mW | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1587-GR,LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification | на замовлення 123 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1587-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 120V 0.1A SC-70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-70 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 100 mW | на замовлення 17936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1587-GR,LF | Toshiba | Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 100mW 3-Pin USM T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1587-GR,LF(B | Toshiba | 2SA1587-GR,LF(B | на замовлення 2129 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1587-GR,LF(T | TOSHIBA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 0.1A; 0.1W; SC70 Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Current gain: 200...700 Kind of package: reel; tape Case: SC70 Frequency: 100MHz Collector current: 0.1A Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 120V Power dissipation: 0.1W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1587-GR,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 100mW 3-Pin USM T/R | на замовлення 9432 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1587-GR,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 100mW 3-Pin USM T/R | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2778 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1587-GR,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SA1587-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 35830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1587-GR,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 100mW 3-Pin USM T/R | на замовлення 10377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1587-GR,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 100mW 3-Pin USM T/R | на замовлення 1498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 660 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1587-GR,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 100mW 3-Pin USM T/R | на замовлення 10377 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1587-GR,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SA1587-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 35830 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1587-GR,LXGF(T | Toshiba | Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 100mW 2-Pin USM T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1587-GR,LXGF(T | Toshiba | Trans GP BJT PNP 120V 0.1A 100mW 2-Pin USM T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1587-GRLF(T | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1587-T1B | NEC | на замовлення 24500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| 2SA1587GRTE85LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT PNP Trans -0.1A LN -120V VCEO | на замовлення 678 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1588 | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1588-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 30V 0.5A SC-70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SC-70 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 100 mW | на замовлення 8868 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1588-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 30V 0.5A SC-70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SC-70 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 100 mW | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1588-GR,LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor | на замовлення 7963 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1588-GR,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SA1588-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 500 mA, 200 mW, USM, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1588-GR,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT PNP 30V 0.5A 100mW 3-Pin USM T/R | на замовлення 5835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1588-GR,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT PNP 30V 0.5A 100mW 3-Pin USM T/R | на замовлення 5835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1588-GR,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SA1588-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 500 mA, 200 mW, USM, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: USM Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1588-GR,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT PNP 30V 0.5A 100mW 3-Pin USM T/R | на замовлення 5835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1588-O(TE85L,F) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor -30V USM -0.5A -0.25V | на замовлення 2695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1588-O,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 30V 0.5A SC-70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SC-70 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 100 mW | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1588-O,LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Bias Resistor Built-in transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1588-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 30V 0.5A SC-70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SC-70 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 100 mW | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1588-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 30V 0.5A SC-70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 125°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SC-70 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 100 mW | на замовлення 7516 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1588-Y,LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq. Amplification | на замовлення 16666 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1588-Y,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT PNP 30V 0.5A 100mW 3-Pin USM T/R | на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1588-Y,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SA1588-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 2373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1588-Y,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT PNP 30V 0.5A 100mW 3-Pin USM T/R | на замовлення 2100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1588-Y,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SA1588-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 30 V, 500 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 500mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 2373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1588-Y,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT PNP 30V 0.5A 100mW 3-Pin USM T/R | на замовлення 2130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA159 | NEC | CAN | на замовлення 689 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1592 | на замовлення 17400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| 2SA1593 | SANYO | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| 2SA1593S-E | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 100V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 385-394 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1593S-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 2A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 21 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1593S-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 2A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1593S-E | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 2A TP | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1593S-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SA1593S-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 15 W, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage DC-Stromverstärkung hFE: 140 Verlustleistung Pd: 15 Übergangsfrequenz ft: 120 Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: 2SA1593 Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 2 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: Lead (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1593S-TL-E | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 2A TP-FA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1593S-TL-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SA1593S-TL-E - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 109900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1593S-TL-E | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 2A; 1W; DPAK Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Current gain: 140...280 Kind of package: reel; tape Case: DPAK Collector current: 2A Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 100V Power dissipation: 1W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 700 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1593S-TL-E | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 100V | на замовлення 314 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1593S-TL-E | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 2A TP-FA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TP-FA Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W | на замовлення 1779 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1593T-E | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 100V | на замовлення 2469 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1593T-E | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 2A TP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1593T-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 2A 1000mW 3-Pin(3+Tab) TP Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1593T-TL-E | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 100V | на замовлення 1495 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1593T-TL-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SA1593T-TL-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 15 W, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage DC-Stromverstärkung hFE: 200 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 15 Übergangsfrequenz ft: 120 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 100 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: 2SA1593 Wandlerpolarität: PNP DC-Kollektorstrom: 2 Betriebstemperatur, max.: 150 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1593T-TL-E | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 2A TP-FA Supplier Device Package: TP-FA Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1593T-TL-E | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 2A; 1W; DPAK Polarisation: bipolar Type of transistor: PNP Current gain: 200...400 Kind of package: reel; tape Case: DPAK Frequency: 120MHz Collector current: 2A Mounting: SMD Collector-emitter voltage: 100V Power dissipation: 1W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1593T-TL-E | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 2A TP-FA Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 120MHz Supplier Device Package: TP-FA Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W | на замовлення 5602 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1593T-TL-E | ON Semiconductor | на замовлення 650 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| 2SA1593T-TL-E | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 2A TP-FA Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Supplier Device Package: TP-FA Frequency - Transition: 120MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1597 | SANYO | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| 2SA1597-TB | SANYO | SOT-23 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| 2SA1597-TB-E | ON Semiconductor | 2SA1597-TB-E | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| 2SA1597-TB-E | ON Semiconductor | 2SA1597-TB-E | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

