Продукція > SI4
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI4456DY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 33A; Idm: 70A; 7.8W Type of transistor: N-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 40V Drain current: 33A Power dissipation: 7.8W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 4.5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 122nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 70A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4456DY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET N-CH 40V 33A 8-SOIC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4458DY-T1 | VISHAY | на замовлення 338 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SI4459ADY-1-E3 | VISHAY | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SI4459ADY-T1-E3 | VISHAY | SOP8 09+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4459ADY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4459ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 29 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 8106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4459ADY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI4459ADY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -23.5A; 5W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -23.5A Power dissipation: 5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5mΩ Mounting: SMD Gate charge: 61nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4459ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 29A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V | на замовлення 31952 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI4459ADY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 3472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI4459ADY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI4459ADY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4459ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 29 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) | на замовлення 8045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4459ADY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI4459ADY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 29A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 195 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V | на замовлення 30490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI4459ADY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4459ADY-T1-GE3 | Siliconix | Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,7mOhm; 29A; 7,8W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI4459ADY-T1-E3; SI4459ADY-T1-GE3; SI4459ADY TSI4459ady кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI4459ADY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI4459ADY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI4459ADY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -30V Vds 20V Vgs SO-8 | на замовлення 167 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4459ADY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 29A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI4459ADY-T1-GE3 Код товару: 184525
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові P-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SI4459ADY-T1-GE3 | Siliconix | Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 7,7mOhm; 29A; 7,8W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI4459ADY-T1-E3; SI4459ADY-T1-GE3; SI4459ADY TSI4459ady кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI4459BDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI4459BDY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4459BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 27.8 A, 4900 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 7617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4459BDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4459BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 20.5A/27.8A 8SO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Ta), 27.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V | на замовлення 4854 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI4459BDY-T1-GE3 | Vishay Semiconductors | MOSFETs -30V Vds 16V Vgs SO-8 | на замовлення 30695 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4459BDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI4459BDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI4459BDY-T1-GE3 | VISHAY | Description: VISHAY - SI4459BDY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 27.8 A, 4900 µohm, SOIC, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 27.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 5.6W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4900µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) | на замовлення 7617 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4459BDY-T1-GE3 | VISHAY | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -30V; -27.8A; 5.6W; SO8 Type of transistor: P-MOSFET Technology: TrenchFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -30V Drain current: -27.8A Power dissipation: 5.6W Case: SO8 On-state resistance: 8.2mΩ Mounting: SMD Gate charge: 84nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -150A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4459BDY-T1-GE3 | Vishay Siliconix | Description: MOSFET P-CH 30V 20.5A/27.8A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.5A (Ta), 27.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 5.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): +20V, -16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3490 pF @ 15 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI4459BDY-T1-GE3 | Vishay | Trans MOSFET P-CH 30V 20.5A 8-Pin SOIC N T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI445DV-T1 | VISHAY | 03+ | на замовлення 1210 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4460 | SMD-4 | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SI4460-B0B-FM | Silicon Labs | SI4460-B0B-FM SI4460 кількість в упаковці: 75 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4460-B0B-FM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN Packaging: Tube Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Sensitivity: -126dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 119MHz ~ 1.05GHz Type: TxRx Only Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm (Max) Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 18mA Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) GPIO: 4 Modulation: 4GFSK, GFSK, GMSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: SPI Part Status: Obsolete DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4460-B0B-FMR | Silicon Labs | SI4460-B0B-FMR SI4460 кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4460-B1B-FDI | Silicon Labs | RF Transceiver | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4460-B1B-FM | SiLabs | TXRX ISM EZ RADIO PRO 20QFN Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4460-B1B-FM | Silicon Laboratories | +13/-126 dBm Sub-GHz Transmitter | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4460-B1B-FM | SILICON LABS | Category: Interfaces others - integrated circuits Description: IC: RF transceiver; 1Mbps; 1.8÷3.6VDC; SPI; SMD; QFN20; 50nA; 13dBm Case: QFN20 Mounting: SMD Frequency: 142...1050MHz Transmitter output power: 13dBm Supply voltage: 1.8...3.6V DC TX/RX buffer size: 64 B/64 B Type of integrated circuit: RF transceiver Data transfer rate: 1Mbps DC supply current: 18mA Operating temperature: -40...85°C Integrated circuit features: AFC; AGC; CRC; RSSI Quiescent current: 50nA Kind of modulation: FSK; GFSK; GMSK; MSK; OOK Communictions protocol: IEEE 802.15.4 g; ISM Interface: SPI | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4460-B1B-FM | Silicon Laboratories | +13/-126 dBm Sub-GHz Transmitter | на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 7 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4460-B1B-FM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN Packaging: Tray Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Sensitivity: -126dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 119MHz ~ 1.05GHz Type: TxRx Only Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm (Max) Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 18mA Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) GPIO: 4 Modulation: 4GFSK, GFSK, GMSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: SPI Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 1966 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI4460-B1B-FM | Silicon Labs | SI4460-B1B-FM SI4460 кількість в упаковці: 75 шт | на замовлення 275 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4460-B1B-FM | Silicon Labs | RF Transceiver +13/-126 dBm sub-GHz transmitter | на замовлення 394 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4460-B1B-FM | Silicon Laboratories | +13/-126 dBm Sub-GHz Transmitter | на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI4460-B1B-FM | Silicon Laboratories | +13/-126 dBm Sub-GHz Transmitter | на замовлення 2001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI4460-B1B-FM RF Transceiver +13/-126 dBm Код товару: 177179
Додати до обраних
Обраний товар
| Модульні елементи > Радіомодулі | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| SI4460-B1B-FMR | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Sensitivity: -126dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 119MHz ~ 1.05GHz Type: TxRx Only Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 18mA Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) GPIO: 4 Modulation: 4GFSK, GFSK, GMSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: SPI Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 57500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI4460-B1B-FMR | Silicon Labs | RF Transceiver +13/-126 dBm sub-GHz transmitter | на замовлення 361 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4460-B1B-FMR | Silicon Laboratories | +13/-126 dBm Sub-GHz Transmitter | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI4460-B1B-FMR | Silicon Laboratories | +13/-126 dBm Sub-GHz Transmitter | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI4460-B1B-FMR | Silicon Laboratories | +13/-126 dBm Sub-GHz Transmitter | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI4460-B1B-FMR | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Sensitivity: -126dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 119MHz ~ 1.05GHz Type: TxRx Only Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 13dBm Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 18mA Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) GPIO: 4 Modulation: 4GFSK, GFSK, GMSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: SPI Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 59389 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI4460-B1B-FMR | Silicon Labs | QFN 20/I°/TRX SI4460 кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4460-B1B-FMR | Silicon Laboratories | +13/-126 dBm Sub-GHz Transmitter | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4460-B1B-ZM | Silicon Labs | RF Transceiver TXRX SubG +13/-126dBm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4460-B1B-ZM0 | Silicon Labs | RF Transceiver TXRX SubG +13/-126dBm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4460-B1B-ZM0R | Silicon Labs | RF Transceiver TXRX SubG +13/-126dBm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4460-B1B-ZM1 | Silicon Labs | RF Transceiver TXRX SubG +13/-126dBm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4460-B1B-ZM1R | Silicon Labs | RF Transceiver TXRX SubG +13/-126dBm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4460-B1B-ZMR | Silicon Labs | RF Transceiver TXRX SubG +13/-126dBm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4460-C2A-AM | Silicon Labs | RF Transceiver Transceiver AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 490 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4460-C2A-AMR | Silicon Labs | RF Transceiver Transceiver AEC-Q100 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4460-C2A-GM | Silicon Laboratories | RF Transceiver FSK/GFSK/GMSK/MSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray | на замовлення 12295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI4460-C2A-GM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN Packaging: Tray Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Sensitivity: -129dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Type: TxRx Only Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 12.5dBm (Max) Current - Receiving: 10.9mA ~ 13.7mA Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 18mA ~ 24mA Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) GPIO: 4 Modulation: 4GFSK, GFSK, GMSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: SPI Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 2217 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI4460-C2A-GM | Silicon Labs | RF Transceiver +13/-126 dBm sub-GHz transmitter | на замовлення 379 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4460-C2A-GM | Silicon Laboratories | RF Transceiver FSK/GFSK/GMSK/MSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray | на замовлення 91 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI4460-C2A-GM | Silicon Laboratories | RF Transceiver FSK/GFSK/GMSK/MSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray | на замовлення 12295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI4460-C2A-GM | Silicon Laboratories | RF Transceiver FSK/GFSK/GMSK/MSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP Tray | на замовлення 91 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI4460-C2A-GMR | Silicon Labs | RF Transceiver +13/-126 dBm sub-GHz transmitter | на замовлення 68256 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4460-C2A-GMR | Silicon Laboratories | RF Transceiver FSK/GFSK/GMSK/MSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R | на замовлення 107500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI4460-C2A-GMR | Silicon Laboratories | RF Transceiver FSK/GFSK/GMSK/MSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R | на замовлення 7498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI4460-C2A-GMR | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Sensitivity: -129dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Type: TxRx Only Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 12.5dBm (Max) Current - Receiving: 10.9mA ~ 13.7mA Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 18mA ~ 24mA Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) GPIO: 4 Modulation: 4GFSK, GFSK, GMSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: SPI Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 101705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI4460-C2A-GMR | Silicon Laboratories | RF Transceiver FSK/GFSK/GMSK/MSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4460-C2A-GMR | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Sensitivity: -129dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 142MHz ~ 1.05GHz Type: TxRx Only Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 12.5dBm (Max) Current - Receiving: 10.9mA ~ 13.7mA Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 18mA ~ 24mA Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) GPIO: 4 Modulation: 4GFSK, GFSK, GMSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: SPI Part Status: Active DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 97500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI4460-C2A-GMR | SILICON LABS | Description: SILICON LABS - SI4460-C2A-GMR - +13/-126 DBM SUB-GHZ TRANSMITTER tariffCode: 85423990 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Übertragungsstrom: 24mA Bauform - HF-IC: QFN-EP Ausgangsleistung (dBm): 12.5dBm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Garagen- und Toröffner, private Überwachungs- und Alarmanlagen, Fernsteuerung, intelligente Zähler, Telemetrie IC-Gehäuse / Bauform: QFN-EP MSL: MSL 1 - unbegrenzt HF-Primärfunktion: Transceiver Frequenz, min.: 142MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V Empfangsstrom: 13.7mA Empfindlichkeit (dBm): -129dBm SVHC: To Be Advised HF/IF-Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, MSK, GMSK, OOK Anzahl der Pins: 20Pin(s) Übertragungsrate: 1Mbps Frequenzgang HF, max.: 1.05GHz Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: 5A991.b Frequenzgang HF, min.: 142MHz Versorgungsspannung, max.: 3.8V Frequenz, max.: 1.05GHz Betriebstemperatur, max.: 85°C | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4460-C2A-GMR | Silicon Laboratories | RF Transceiver FSK/GFSK/GMSK/MSK/OOK 3.3V 20-Pin QFN EP T/R | на замовлення 7498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI4460-C2A-YM0 | Silicon Labs | RF Transceiver | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4460-C2A-YM0R | Silicon Labs | RF Transceiver | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4460-C2B-GM | Silicon Labs | RF Transceiver | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4460-C2B-GMR | Silicon Labs | RF Transceiver | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4460-C3A-GM | Silicon Labs | RF Transceiver | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4460-C3A-GMR | Silicon Labs | RF Transceiver | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4460DY-T1-E3 | на замовлення 702 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| SI4461-868-DK | Silicon Labs | Description: KIT DEV WIRELESS SI4461 868MHZ Packaging: Bulk For Use With/Related Products: Si4461 Frequency: 868MHz Type: Transceiver Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply, Accessories Utilized IC / Part: Si4461 Supplied Contents: Board(s), Cable(s), Power Supply, Accessories | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4461-B0B-FM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX+MCU ISM<1GHZ 20VFQFN Packaging: Tube Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Sensitivity: -126dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 119MHz ~ 1.05GHz Type: TxRx Only Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 16dBm (Max) Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 29mA ~ 43mA Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) GPIO: 4 Modulation: 4GFSK, GFSK, GMSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: SPI DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4461-B0B-FM | Silicon Labs | SI4461-B0B-FM SI4461 кількість в упаковці: 75 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4461-B0B-FMR | Silicon Labs | EZRADIOPRO TRX SI4461 кількість в упаковці: 2500 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4461-B1B-FM | Silicon Labs | SI4461-B1B-FM SI4461 кількість в упаковці: 75 шт | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4461-B1B-FM | Silicon Labs | RF Transceiver +16/-116 dBm sub-GHz Transceiver | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4461-B1B-FM | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN Packaging: Tray Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Sensitivity: -126dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 119MHz ~ 1.05GHz Type: TxRx Only Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 16dBm (Max) Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 29mA ~ 43mA Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) GPIO: 4 Modulation: 4GFSK, GFSK, GMSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: SPI Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 2272 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI4461-B1B-FM | Silicon Laboratories | RF Transceiver, 119?1050MHz, Po 16dBm, Si -126dBm, 1.8?3.6V, -40?85°C Si4461-B1B-FM Silicone Labs UISI4461b1bfm кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI4461-B1B-FM | SILICON LABS | Description: SILICON LABS - SI4461-B1B-FM - HF-Transceiver, 119MHz bis 1.05GHz, 4FSK/4GFSK, FSK/GFSK, MSK/GMSK, OOK, 1.8-3.6V, QFN-20 tariffCode: 85423990 rohsCompliant: YES Übertragungsstrom: 33mA Bauform - HF-IC: QFN Ausgangsleistung (dBm): 16dBm hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Anwendungsbereiche HF-Transceiver: Automatische Zählerablesung (AMR), drahtlose Sensornetze, Haus- und Gebäudeautomatisierung usEccn: 5A991.b.4.b Frequenz, min.: 119MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C Versorgungsspannung, min.: 1.8V Empfangsstrom: 13mA Empfindlichkeit (dBm): -97dBm euEccn: NLR HF/IF-Modulation: 4FSK, 4GFSK, FSK, GFSK, MSK, GMSK, OOK Anzahl der Pins: 20Pin(s) Übertragungsrate: 1Mbps Produktpalette: - productTraceability: No Versorgungsspannung, max.: 3.6V Frequenz, max.: 1.05GHz Betriebstemperatur, max.: 85°C | на замовлення 258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4461-B1B-FM | SiLabs | 119—1050 MHz Transceiver Радіочастотні/НВЧ компоненти та вироби | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4461-B1B-FM | Silicon Laboratories | +16/-116 dBm Sub-GHz Transmitter | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2450 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4461-B1B-FMR | Silicon Laboratories | +16/-116 dBm Sub-GHz Transmitter | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SI4461-B1B-FMR | Silicon Labs | Description: IC RF TXRX ISM<1GHZ 20QFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 20-VFQFN Exposed Pad Sensitivity: -126dBm Mounting Type: Surface Mount Frequency: 119MHz ~ 1.05GHz Type: TxRx Only Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Voltage - Supply: 1.8V ~ 3.6V Power - Output: 16dBm (Max) Current - Receiving: 10.7mA ~ 13.7mA Data Rate (Max): 1Mbps Current - Transmitting: 29mA ~ 43mA Supplier Device Package: 20-QFN (4x4) GPIO: 4 Modulation: 4GFSK, GFSK, GMSK, OOK RF Family/Standard: General ISM < 1GHz Serial Interfaces: SPI Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 77648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| SI4461-B1B-FMR | Silicon Labs | RF Transceiver +16/-116 dBm sub-GHz Transceiver | на замовлення 29313 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

