Продукція > Jan
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| JANTX2N6768 | Microchip / Microsemi | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6768 | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6768 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 400V 14A TO3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AE Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3 Grade: Military Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/543 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6768T1 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 400V 14A TO3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-254-3, TO-254AA (Straight Leads) Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 400 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110 nC @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6769 | MOT/HAR | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| JANTX2N6770 | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6770 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO3 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Military Supplier Device Package: TO-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 12A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AE Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500/543 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6770 | IR/MOT | на замовлення 850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| JANTX2N6770 | Microchip / Microsemi | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6770T1 | Microchip / Microsemi | MOSFET Power Mosfet | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6770T1 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 500V 12A TO254AA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6771 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANTX2N6780 | HARRIS | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| JANTX2N6781 | HARRIS | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| JANTX2N6782 | Microsemi HI-REL [MIL] | Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A TO-205AF | на замовлення 1223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6782 | IR | на замовлення 11000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| JANTX2N6782U | Microsemi HI-REL [MIL] | Description: MOSFET N-CH 100V 3.5A 18-LCC | на замовлення 337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6783 | HARRIS | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| JANTX2N6784 | IR/HARRIS | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| JANTX2N6784 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 200V 2.25A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AF Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.25A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-39 Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/556 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6784U | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 200V 2.25A 18ULCC Packaging: Bulk Package / Case: 18-CLCC Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 2.25A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 15W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49) Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.6 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/556 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6785 | HARRIS | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| JANTX2N6786 | HARRIS | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| JANTX2N6787 | HARRIS | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| JANTX2N6788 | MICROSEMI | TO39/N-CHANNEL MOSFET 2N6788 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6788 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 6A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AF Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-39 Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/555 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6788U | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 4.5A 18ULCC Packaging: Bulk Package / Case: 18-CLCC Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49) Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/555 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6788U | MICROSEMI | U-18 LCC/N-CHANNEL MOSFET 2N6788 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6789 | HARRIS | на замовлення 5500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| JANTX2N6790 | HARRIS | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| JANTX2N6790 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 200V 3.5A TO39 Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Military Supplier Device Package: TO-39 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 800mW (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AF Metal Can Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500/555 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6790U | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 200V 2.8A 18ULCC Packaging: Bulk Package / Case: 18-CLCC Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 850mOhm @ 3.5A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49) Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.3 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/555 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6791 | HARRIS | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| JANTX2N6792 | HARRIS | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| JANTX2N6793 | HARRIS | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| JANTX2N6794 | HARRIS | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| JANTX2N6795 | HARRIS | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| JANTX2N6796 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 8A TO205AF Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39) Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.51 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/557 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6796 | International Rectifier | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6796 | MICROSEMI | TO-39/N CHANNEL MOSFET кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6796U | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 8A 18ULCC Packaging: Bulk Package / Case: 18-CLCC Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 195mOhm @ 8A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49) Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.51 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/557 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6796U | MICROSEMI | U/N Channel MOSFET 2N6796 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6798 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 200V 5.5A TO205AF Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AF Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39) Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.07 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/557 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6798 | MICROSEMI | M°/100 V, 200 V, 400 V & 500 V, N-Channel, Enhancement Mode MOSFET Power Tr 2N6798 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6798U | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 200V 5.5A 18ULCC Packaging: Bulk Package / Case: 18-CLCC Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 800mW (Ta), 25W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 18-ULCC (9.14x7.49) Grade: Military Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42.07 nC @ 10 V Qualification: MIL-PRF-19500/557 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6799 | HARRIS | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| JANTX2N6800 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 400V 3A TO205AF | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 36 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6800 | Microchip / Microsemi | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6800 | на замовлення 135 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANTX2N6800 | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6800U | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 400V 3A 18ULCC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6800U | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6800U | Microchip / Microsemi | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6800UPBF | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6802 | IR | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| JANTX2N6802 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 35 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6802U | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 19 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6804 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 100V 11A 3-Pin(2+Tab) TO-204AE | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6804 | Microchip / Microsemi | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6804 | Microsemi | Trans MOSFET P-CH 100V 11A 3-Pin(2+Tab) TO-3 | на замовлення 714 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||
| JANTX2N6804 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET P-CH 100V 11A TO204AA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 11A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500/562 Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Grade: Military Supplier Device Package: TO-204AA Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 75W (Tc) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6804 | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6804 | на замовлення 718 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANTX2N6806 | на замовлення 127 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANTX2N6806 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 200V 6.5A 3-Pin(2+Tab) TO-204AE | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6844 | HARRIS | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| JANTX2N6845 | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6845 | HARRIS | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| JANTX2N6845U | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6846 | HARRIS | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| JANTX2N6847 | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6847 | IR | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| JANTX2N6847U | Infineon / IR | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6849 | Microsemi HI-REL [MIL] | Description: MOSFET P-CH 100V 6.5A TO-205AF | на замовлення 4902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6849 | MICROSEMI | 2N6849JANTX 2N6849 кількість в упаковці: 1 шт | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6849U | Microsemi HI-REL [MIL] | Description: MOSFET P-CH 100V 6.5A 18-LCC | на замовлення 130 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6849U | MICROSEMI | P Channel MOSFET 2N6849 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N685 | Microsemi Corporation | Description: TRIAC 200V TO-208AA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6850 | HARRIS | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| JANTX2N6851 | HARRIS | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| JANTX2N687 | IR | на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| JANTX2N6895 | MOT | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| JANTX2N6898 | MSC | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| JANTX2N6898 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET P-CHANNEL 100V 25A TO3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: TO-3 Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 15.8A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bulk Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3000 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Vgs (Max): ±20V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6898P | на замовлення 1085 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANTX2N690 | MOTOROLA | на замовлення 145 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| JANTX2N690 | Microchip / Microsemi | Darlington Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6901 | HARRIS | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| JANTX2N6901 | Microsemi Corporation | Description: MOSFET N-CH 100V 1.69A TO205AF Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AF Metal Can Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.69A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.07A, 5V Power Dissipation (Max): 8.33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 nC @ 5 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N6903 | HARRIS | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| JANTX2N6904 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| JANTX2N690A | IR | на замовлення 140 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| JANTX2N691 | Microsemi | SCRs SCR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| JANTX2N691 | MOTOROLA | на замовлення 145 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| JANTX2N691A | IR | на замовлення 140 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| JANTX2N692 | MOTOROLA | на замовлення 145 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| JANTX2N692A | IR | на замовлення 140 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| JANTX2N693 | MOTOROLA | на замовлення 8500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| JANTX2N693A | MOTOROLA | на замовлення 6900 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| JANTX2N694 | MOTOROLA | на замовлення 8500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

