Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 35  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMC266040RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC266040RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC266050RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W MINI6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC266050RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC266060RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 300mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Supplier Device Package: Mini6-G4-B
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC266060RPanasonicBipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC266060RPanasonic Electronic ComponentsDescription: TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6
Supplier Device Package: Mini6-G4-B
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Power - Max: 300mW
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2700UDM-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 1.34A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.12W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A, 1.14A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 915722 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.51 грн
18+17.20 грн
100+10.85 грн
500+7.59 грн
1000+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2700UDM-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 1.34A/1.14A 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2700UDM-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 1.34A/1.14A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 286 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2700UDM-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 1.34A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.12W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A, 1.14A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
на замовлення 912000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.88 грн
6000+5.12 грн
9000+4.85 грн
15000+4.26 грн
21000+4.09 грн
30000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2700UDM-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC2700UDM-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.34 A, 1.34 A, 0.3 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.34A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.12W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.12W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+27.46 грн
48+16.91 грн
123+6.58 грн
500+5.09 грн
1000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2700UDM-7DIODES INCORPORATEDCategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 1.14/-1.34A
Power dissipation: 1.12W
Case: SOT26
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.4/0.7Ω
Mounting: SMD
Kind of package: 7 inch reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Kind of transistor: complementary pair
на замовлення 3145 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.27 грн
39+10.89 грн
72+5.78 грн
100+5.04 грн
250+4.67 грн
500+4.50 грн
1000+4.47 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2700UDM-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 1.34A/1.14A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
286+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 286 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2700UDM-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC2700UDM-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.34 A, 1.34 A, 0.3 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.34A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.12W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.12W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1323 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.09 грн
1000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2700UDM-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS
на замовлення 125507 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.37 грн
21+15.40 грн
100+5.25 грн
500+4.35 грн
1000+4.00 грн
3000+3.87 грн
6000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2700UDM-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 1.34A/1.14A 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 6447000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3219+4.40 грн
Мінімальне замовлення: 3219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2700UDMQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC2700UDMQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.34 A, 1.34 A, 0.3 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.34A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.12W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.12W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.68 грн
500+10.25 грн
1000+8.84 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2700UDMQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 1.34A/1.14A Automotive AEC-Q100 6-Pin SOT-26 T/R
на замовлення 552000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2700UDMQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 1.34A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.12W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A (Ta), 1.14A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V, 59.76pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V, 0.62nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.83 грн
14+22.88 грн
100+14.58 грн
500+10.30 грн
1000+9.21 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2700UDMQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 4251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+40.83 грн
13+24.61 грн
100+13.67 грн
500+10.29 грн
1000+9.18 грн
3000+7.80 грн
6000+7.04 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2700UDMQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 1.34A/1.14A Automotive AEC-Q100 6-Pin SOT-26 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2700UDMQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 1.34A SOT26
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.12W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A (Ta), 1.14A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V, 59.76pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V, 0.62nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2700UDMQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC2700UDMQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.34 A, 1.34 A, 0.3 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.34A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.34A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.12W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-26
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.12W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+30.04 грн
40+20.22 грн
100+10.63 грн
500+8.45 грн
1000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT363 T&R 10K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.75A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta), 600mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.35 грн
20000+3.83 грн
30000+3.64 грн
50000+3.22 грн
70000+3.11 грн
100000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC2710UDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 750 mA, 750 mA, 0.18 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 380mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 380mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDW-7DiodesMOSFET BVDSS: 8V-24V SOT363 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.75A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta), 600mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.37 грн
6000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3402+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 3402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT363 T&R 3K
на замовлення 58871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.52 грн
23+14.21 грн
100+7.80 грн
500+5.73 грн
1000+4.90 грн
3000+2.76 грн
9000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC2710UDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 750 mA, 750 mA, 0.18 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 380mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 380mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+25.29 грн
52+15.54 грн
100+9.75 грн
500+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.50 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.75A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta), 600mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 6126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.30 грн
22+13.91 грн
100+8.73 грн
500+6.06 грн
1000+5.38 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDWQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT363 T&R 10K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.75A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta), 600mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.35 грн
20000+3.83 грн
30000+3.64 грн
50000+3.22 грн
70000+3.11 грн
100000+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDWQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC2710UDWQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 750 mA, 750 mA, 0.18 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 380mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 380mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 11831 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.91 грн
1000+5.39 грн
5000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.75A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta), 600mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3402+4.17 грн
Мінімальне замовлення: 3402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC2710UDWQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 750 mA, 750 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.75ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 380mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 380mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+26.26 грн
51+16.03 грн
100+10.07 грн
500+6.95 грн
1000+5.49 грн
Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.75A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta), 600mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.52 грн
23+13.46 грн
100+8.42 грн
500+5.85 грн
1000+5.19 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT363 T&R 3K
на замовлення 8878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.01 грн
21+15.72 грн
100+8.56 грн
500+6.35 грн
1000+5.38 грн
3000+4.14 грн
6000+3.80 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UV-13Diodes ZetexCOMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 1.1A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 460mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.18 грн
20000+5.47 грн
30000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT563 T&R 10K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT563 T&R 3K
на замовлення 3034 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+33.91 грн
16+20.72 грн
100+11.39 грн
500+8.56 грн
1000+7.59 грн
3000+6.35 грн
6000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UV-7Diodes ZetexCOMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 1.1A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 460mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 152605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
16+19.52 грн
100+12.32 грн
500+8.65 грн
1000+7.71 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UV-7Diodes ZetexCOMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UV-7Diodes ZetexCOMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 1.1A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 460mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.21 грн
6000+6.30 грн
9000+5.97 грн
15000+5.25 грн
21000+5.05 грн
30000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UVQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 1.1A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 460mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UVQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563 T&R 10K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UVQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563 T&R 3K
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 1.1A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 460mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.18 грн
19+16.00 грн
100+10.04 грн
500+7.00 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UVQ-7Diodes ZetexComplementary Pair Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 1.1A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 460mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UVT-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 1.2A/0.9A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 1.2A TSOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 900mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 1.2A TSOT23-6
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 900mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 166662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.17 грн
15+20.49 грн
100+12.99 грн
500+9.13 грн
1000+8.14 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 1.2A/0.9A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 3274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.73 грн
15+22.15 грн
100+11.32 грн
500+9.18 грн
1000+7.87 грн
3000+6.97 грн
6000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 1.2A TSOT23-6
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 900mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.62 грн
6000+6.66 грн
9000+6.32 грн
15000+5.56 грн
21000+5.35 грн
30000+5.14 грн
75000+4.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 1.2A/0.9A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC274DMC ToolsTool Kits & Cases AFM8 &36 Positioner Tool Kit
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+459365.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
DMC286-02DMC ToolsTool Kits & Cases General Aviation Kit Elec Wiring Conn
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC292MITT Cannon, LLCDescription: CIR CRIMP TOOL KIT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2990UDJ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC2990UDJ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 450 mA, 450 mA, 0.6 ohm
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 450mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 7485 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+23.92 грн
250+11.28 грн
1000+8.68 грн
5000+6.90 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2990UDJ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
на замовлення 32244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+21.75 грн
19+16.75 грн
100+8.08 грн
1000+5.94 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2990UDJ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.45A SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA, 310mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.81 грн
20000+6.05 грн
30000+5.79 грн
50000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2990UDJ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC2990UDJ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 450 mA, 450 mA, 0.6 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 450mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+43.01 грн
50+26.26 грн
250+16.91 грн
1000+9.50 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2990UDJ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.45A SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA, 310mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 104061 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.50 грн
14+21.69 грн
100+13.83 грн
500+9.78 грн
1000+8.74 грн
2000+7.87 грн
5000+6.82 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2990UDJQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.45A SOT963
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta), 310mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-963
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V, 0.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6pF @ 15V, 28.7pF @ 15V
на замовлення 1175755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.84 грн
17+18.55 грн
100+8.84 грн
500+7.13 грн
1000+6.36 грн
2000+5.96 грн
5000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2990UDJQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.45A SOT963
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-963
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V, 0.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6pF @ 15V, 28.7pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta), 310mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.42 грн
20000+4.68 грн
30000+4.67 грн
50000+4.35 грн
70000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2990UDJQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 54449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.17 грн
17+18.89 грн
100+8.70 грн
500+7.18 грн
1000+5.73 грн
2500+5.66 грн
5000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2990UDJQ-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 29540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.17 грн
17+18.89 грн
100+10.42 грн
500+7.80 грн
1000+6.21 грн
2500+6.14 грн
5000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2991UDA-7BDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN0806-6 T&R 10K
на замовлення 9374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
21+15.71 грн
31+10.40 грн
100+5.80 грн
1000+2.55 грн
2500+2.28 грн
10000+1.66 грн
20000+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2991UDA-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.48A 6DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta), 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5pF @ 16V, 17pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 4.5V, 0.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-6
на замовлення 2318457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.20 грн
39+7.70 грн
100+4.77 грн
500+3.26 грн
1000+2.84 грн
2000+2.54 грн
5000+2.11 грн
10000+1.92 грн
50000+1.89 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2991UDJ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 380mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5pF @ 15V, 17pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 4.5V, 0.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 510000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.44 грн
20000+3.02 грн
30000+2.87 грн
50000+2.53 грн
70000+2.43 грн
100000+2.34 грн
250000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2991UDJ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 380mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5pF @ 15V, 17pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 4.5V, 0.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 519695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.19 грн
26+11.74 грн
100+7.32 грн
500+5.06 грн
1000+4.47 грн
2000+3.98 грн
5000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2991UDJ-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 380mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5pF @ 15V, 17pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 4.5V, 0.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 475637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.19 грн
26+11.74 грн
100+5.60 грн
500+4.35 грн
1000+3.88 грн
2000+3.59 грн
5000+3.25 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2991UDJ-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 380mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5pF @ 15V, 17pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 4.5V, 0.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 470000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.26 грн
20000+2.75 грн
30000+2.60 грн
50000+2.29 грн
100000+2.28 грн
250000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2991UDR4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 370mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14.6pF @ 16V, 17pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.28nC @ 4.5V, 0.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1010-6 (Type UXC)
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.31 грн
31+9.80 грн
100+6.09 грн
500+4.18 грн
1000+3.69 грн
2000+3.27 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2991UDR4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 370mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14.6pF @ 16V, 17pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.28nC @ 4.5V, 0.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1010-6 (Type UXC)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC30DMC ToolsTool Kits & Cases Airbus A300,310,330 340 Tool Kit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LDVDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LDV-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 21A/15A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.59 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LDV-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3016LDV-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 21 A, 21 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.86 грн
500+23.56 грн
1000+19.74 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LDV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 21A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), 15A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 10V, 25mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.90 грн
10+42.03 грн
100+27.48 грн
500+19.92 грн
1000+18.02 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LDV-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 21A/15A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.13 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LDV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 31V-40V
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+72.73 грн
10+42.79 грн
100+24.92 грн
500+19.61 грн
1000+18.09 грн
3000+14.84 грн
6000+14.64 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LDV-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3016LDV-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 21 A, 21 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+80.54 грн
17+50.26 грн
100+32.86 грн
500+23.56 грн
1000+19.74 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LDV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 21A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), 15A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 10V, 25mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.76 грн
6000+14.89 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 35  Наступна Сторінка >> ]