Продукція > DMC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 35  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DMC2700UDMQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 1.34A SOT26
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.12W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A (Ta), 1.14A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V, 59.76pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V, 0.62nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-26
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.19 грн
14+23.10 грн
100+14.72 грн
500+10.40 грн
1000+9.29 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2700UDMQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 4251 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDW-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.75A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta), 600mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.39 грн
20000+3.86 грн
30000+3.67 грн
50000+3.25 грн
70000+3.13 грн
100000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDW-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT363 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDW-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A T/R
на замовлення 150000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDW-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT363 T&R 3K
на замовлення 58871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDW-7DiodesMOSFET BVDSS: 8V-24V SOT363 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC2710UDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 750 mA, 750 mA, 0.18 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 380mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 380mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3402+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 3402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.75A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta), 600mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 6126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.51 грн
22+14.04 грн
100+8.81 грн
500+6.12 грн
1000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDW-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC2710UDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 750 mA, 750 mA, 0.18 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 380mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 380mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDW-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.75A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta), 600mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.41 грн
6000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDW-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDWQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.75A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta), 600mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.39 грн
20000+3.86 грн
30000+3.67 грн
50000+3.25 грн
70000+3.13 грн
100000+3.02 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDWQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDWQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT363 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDWQ-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDWQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT363 T&R 3K
на замовлення 8878 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.75A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta), 600mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5562 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.73 грн
23+13.59 грн
100+8.50 грн
500+5.91 грн
1000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDWQ-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3402+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 3402 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC2710UDWQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 750 mA, 750 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.75ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 380mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 380mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDWQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.75A SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 290mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta), 600mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.71 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UDWQ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC2710UDWQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 750 mA, 750 mA, 0.45 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 750mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.75ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 380mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 380mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT563 T&R 10K
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 1.1A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 460mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.24 грн
20000+5.52 грн
30000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UV-13Diodes ZetexCOMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 1.1A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 460mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 133971 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.70 грн
16+20.08 грн
100+12.67 грн
500+8.89 грн
1000+7.93 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UV-7Diodes ZetexCOMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT563 T&R 3K
на замовлення 3034 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 1.1A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 460mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.41 грн
6000+6.47 грн
9000+6.13 грн
15000+5.40 грн
21000+5.19 грн
30000+4.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UV-7Diodes ZetexCOMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UV-7Diodes ZetexCOMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UVQ-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563 T&R 10K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UVQ-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 1.1A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 460mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 1.1A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 460mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UVQ-7Diodes ZetexComplementary Pair Enhancement Mode MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UVQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563 T&R 3K
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UVQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 1.1A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 460mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 800mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.43 грн
19+16.15 грн
100+10.14 грн
500+7.07 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UVT-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UVT-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 1.2A TSOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 500mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 900mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TSOT-23-6
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UVT-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 1.2A/0.9A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 1.2A/0.9A 6-Pin TSOT-26 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 1.2A TSOT23-6
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 900mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+7.69 грн
6000+6.72 грн
9000+6.37 грн
15000+5.62 грн
21000+5.40 грн
30000+5.19 грн
75000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UVT-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 20V 1.2A/0.9A 6-Pin TSOT-26 T/R
на замовлення 165000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UVT-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 1.2A TSOT23-6
Supplier Device Package: TSOT-23-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 900mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 500mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 166662 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.49 грн
15+20.68 грн
100+13.11 грн
500+9.21 грн
1000+8.22 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2710UVT-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 3274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC274DMC ToolsTool Kits & Cases AFM8 &36 Positioner Tool Kit
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC286-02DMC ToolsTool Kits & Cases General Aviation Kit Elec Wiring Conn
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC292MITT Cannon, LLCDescription: CIR CRIMP TOOL KIT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2990UDJ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC2990UDJ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 450 mA, 450 mA, 0.6 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 450mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 10555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2990UDJ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.45A SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA, 310mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 22948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.89 грн
12+26.12 грн
25+21.71 грн
50+17.79 грн
100+15.60 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2990UDJ-7Diodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS
на замовлення 32244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2990UDJ-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC2990UDJ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 450 mA, 450 mA, 0.6 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 450mA
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 450mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 450mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.6ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 350mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-963
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.6ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 350mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 10555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2990UDJ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.45A SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA, 310mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-963
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+8.44 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2990UDJQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.45A SOT963
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-963
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V, 0.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6pF @ 15V, 28.7pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta), 310mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-963
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 1160000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+5.47 грн
20000+4.73 грн
30000+4.71 грн
50000+4.39 грн
70000+4.29 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2990UDJQ-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 54449 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2990UDJQ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.45A SOT963
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta), 310mA (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 350mW (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-963
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SOT-963
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V, 0.4nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6pF @ 15V, 28.7pF @ 15V
на замовлення 1175755 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.14 грн
17+18.72 грн
100+8.92 грн
500+7.20 грн
1000+6.42 грн
2000+6.01 грн
5000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2990UDJQ-7BDiodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V
на замовлення 29540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2991UDA-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.48A 6DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 350mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta), 350mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5pF @ 16V, 17pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 4.5V, 0.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN0806-6
на замовлення 2318457 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.32 грн
39+7.77 грн
100+4.82 грн
500+3.29 грн
1000+2.86 грн
2000+2.56 грн
5000+2.13 грн
10000+1.93 грн
50000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2991UDA-7BDiodes IncorporatedMOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN0806-6 T&R 10K
на замовлення 9374 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2991UDJ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 380mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5pF @ 15V, 17pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 4.5V, 0.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 519695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.38 грн
26+11.85 грн
100+7.39 грн
500+5.11 грн
1000+4.52 грн
2000+4.02 грн
5000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2991UDJ-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 380mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5pF @ 15V, 17pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 4.5V, 0.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 510000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.48 грн
20000+3.05 грн
30000+2.89 грн
50000+2.55 грн
70000+2.46 грн
100000+2.36 грн
250000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2991UDJ-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A SOT963
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 380mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5pF @ 15V, 17pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 4.5V, 0.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 470000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.29 грн
20000+2.78 грн
30000+2.62 грн
50000+2.32 грн
70000+2.31 грн
100000+2.30 грн
250000+2.23 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2991UDJ-7BDiodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A SOT963
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-963
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 380mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5pF @ 15V, 17pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 4.5V, 0.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-963
на замовлення 475637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.38 грн
26+11.85 грн
100+5.65 грн
500+4.39 грн
1000+3.91 грн
2000+3.63 грн
5000+3.29 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2991UDR4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 370mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14.6pF @ 16V, 17pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.28nC @ 4.5V, 0.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1010-6 (Type UXC)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC2991UDR4-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 370mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 360mA (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14.6pF @ 16V, 17pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.28nC @ 4.5V, 0.3nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: X2-DFN1010-6 (Type UXC)
на замовлення 2825 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
31+9.89 грн
100+6.14 грн
500+4.22 грн
1000+3.72 грн
2000+3.30 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC30DMC ToolsTool Kits & Cases Airbus A300,310,330 340 Tool Kit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LDVDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LDV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 21A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), 15A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 10V, 25mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.54 грн
10+42.42 грн
100+27.74 грн
500+20.10 грн
1000+18.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LDV-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 31V-40V
на замовлення 1645 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LDV-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 21A/15A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+22.54 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LDV-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3016LDV-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 21 A, 21 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LDV-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 21A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), 15A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 10V, 25mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.92 грн
6000+15.03 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LDV-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 21A/15A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LDV-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 21A/15A 8-Pin PowerDI EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+31.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LDV-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3016LDV-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 21 A, 21 A, 0.012 ohm
tariffCode: 85411000
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LDV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3016LDV-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 21 A, 21 A, 9500 µohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9500µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LDV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 21A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), 15A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 10V, 25mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.19 грн
10+41.21 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LDV-7Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 21A/15A 8-Pin PowerDI 3333 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LDV-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3016LDV-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 21 A, 21 A, 9500 µohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 9500µohm
Verlustleistung, p-Kanal: 900mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 9500µohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 900mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LDV-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 21A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 900mW (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), 15A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 10V, 25mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LDV-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 31V-40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LNS-13Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 31V-40V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LNS-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9A PWRDI3333
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 6.8A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Power - Max: 1.3W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LNS-7Diodes ZetexCOMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+20.12 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LNS-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3016LNS-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LNS-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9A PWRDI3333
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 6.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2000+15.55 грн
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LNS-7DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3016LNS-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 9 A, 9 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PowerDI3333
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LNS-7Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 9A PWRDI3333
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.3W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 6.8A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 7A, 10V, 28mOhm @ 7A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: PowerDI3333-8
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.22 грн
10+36.91 грн
100+25.35 грн
500+18.86 грн
1000+17.24 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LNS-7Diodes IncorporatedMOSFETs MOSFET BVDSS 31V-40V
на замовлення 2133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LSDDiodes IncorporatedMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A, 6.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LSD-13Diodes IncorporatedMOSFETs 30V N & P Comp FET Enh 2.3Vgs 25nC 22nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3016LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LSD-13Diodes IncorporatedDescription: MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A, 6.2A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1415pF @ 15V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 12A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.1nC @ 10V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LSD-13Diodes ZetexTrans MOSFET N/P-CH 30V 8.2A/6.2A 8-Pin SO T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DMC3016LSD-13DIODES INC.Description: DIODES INC. - DMC3016LSD-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 8.2 A, 8.2 A, 0.016 ohm
tariffCode: 85411000
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.2A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.028ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.016ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 35  [ Наступна Сторінка >> ]