Продукція > DMC
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DMC266040R | Panasonic | Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMC266040R | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMC266050R | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W MINI6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMC266050R | Panasonic | Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMC266060R | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 300mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Supplier Device Package: Mini6-G4-B | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMC266060R | Panasonic | Bipolar Transistors - Pre-Biased COMPOSITE TRANSISTOR GL WNG 2.9x2.8mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMC266060R | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS PREBIAS DUAL NPN MINI6 Supplier Device Package: Mini6-G4-B Resistor - Base (R1): 4.7kOhms DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 300mW Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMC2700UDM-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.34A SOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.12W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A, 1.14A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active | на замовлення 915722 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2700UDM-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.34A/1.14A 6-Pin SOT-26 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMC2700UDM-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.34A/1.14A 6-Pin SOT-26 T/R | на замовлення 286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 286 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMC2700UDM-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.34A SOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.12W Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A, 1.14A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active | на замовлення 912000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2700UDM-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC2700UDM-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.34 A, 1.34 A, 0.3 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.34A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.12W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.12W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2700UDM-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V Type of transistor: N/P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20/-20V Drain current: 1.14/-1.34A Power dissipation: 1.12W Case: SOT26 Gate-source voltage: ±6V On-state resistance: 0.4/0.7Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement Version: ESD Kind of transistor: complementary pair | на замовлення 3145 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2700UDM-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.34A/1.14A 6-Pin SOT-26 T/R | на замовлення 286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2700UDM-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC2700UDM-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.34 A, 1.34 A, 0.3 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.34A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.12W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.12W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1323 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2700UDM-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS | на замовлення 125507 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2700UDM-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.34A/1.14A 6-Pin SOT-26 T/R | на замовлення 6447000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2700UDMQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC2700UDMQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.34 A, 1.34 A, 0.3 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.34A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.12W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.12W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2700UDMQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.34A/1.14A Automotive AEC-Q100 6-Pin SOT-26 T/R | на замовлення 552000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2700UDMQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.34A SOT26 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.12W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A (Ta), 1.14A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V, 59.76pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V, 0.62nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2700UDMQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | на замовлення 4251 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2700UDMQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.34A/1.14A Automotive AEC-Q100 6-Pin SOT-26 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMC2700UDMQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.34A SOT26 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 1.12W (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.34A (Ta), 1.14A (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 60.67pF @ 16V, 59.76pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.74nC @ 4.5V, 0.62nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-26 Part Status: Active Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMC2700UDMQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC2700UDMQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 1.34 A, 1.34 A, 0.3 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 1.34A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 1.34A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.3ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.12W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-26 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.3ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.12W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 2925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2710UDW-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT363 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMC2710UDW-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMC2710UDW-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A T/R | на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2710UDW-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.75A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 290mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta), 600mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 | на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2710UDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2710UDW-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC2710UDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 750 mA, 750 mA, 0.18 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 750mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm Verlustleistung, p-Kanal: 380mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 380mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2710UDW-7 | Diodes | MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT363 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMC2710UDW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.75A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 290mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta), 600mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2710UDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 54000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2710UDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A 6-Pin SOT-363 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMC2710UDW-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT363 T&R 3K | на замовлення 58871 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2710UDW-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC2710UDW-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 750 mA, 750 mA, 0.18 ohm tariffCode: 85412100 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 750mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm Verlustleistung, p-Kanal: 380mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 380mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 1040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2710UDW-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2710UDW-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.75A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 290mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta), 600mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 | на замовлення 6126 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2710UDWQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 160000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2710UDWQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT363 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 11 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMC2710UDWQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.75A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 290mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta), 600mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 160000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2710UDWQ-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMC2710UDWQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC2710UDWQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 750 mA, 750 mA, 0.18 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 750mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.18ohm Verlustleistung, p-Kanal: 380mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.18ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 380mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 11831 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2710UDWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.75A SOT363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 290mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta), 600mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2710UDWQ-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.75A/0.6A Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2710UDWQ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC2710UDWQ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 750 mA, 750 mA, 0.45 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 750mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 750mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.75ohm Verlustleistung, p-Kanal: 380mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.45ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 380mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1711 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2710UDWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.75A SOT363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 290mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 750mA (Ta), 600mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 600mA, 4.5V, 750mOhm @ 430mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-363 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5562 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2710UDWQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT363 T&R 3K | на замовлення 8878 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2710UV-13 | Diodes Zetex | COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2710UV-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.1A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 460mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 800mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2710UV-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT563 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMC2710UV-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V~24V SOT563 T&R 3K | на замовлення 3034 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2710UV-7 | Diodes Zetex | COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMC2710UV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.1A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 460mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 800mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 152605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2710UV-7 | Diodes Zetex | COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET | на замовлення 84000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2710UV-7 | Diodes Zetex | COMPLEMENTARY PAIR ENHANCEMENT MODE MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMC2710UV-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.1A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 460mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 800mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2710UVQ-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.1A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 460mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 800mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMC2710UVQ-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563 T&R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMC2710UVQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V SOT563 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 13 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMC2710UVQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.1A SOT563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 460mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 800mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2710UVQ-7 | Diodes Zetex | Complementary Pair Enhancement Mode MOSFET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMC2710UVQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.1A SOT563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 460mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta), 800mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMC2710UVT-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.2A/0.9A 6-Pin TSOT-26 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMC2710UVT-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMC2710UVT-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.2A TSOT23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 500mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 900mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TSOT-23-6 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMC2710UVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.2A TSOT23-6 Supplier Device Package: TSOT-23-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 900mA (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 500mW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Complementary Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 166662 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2710UVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.2A/0.9A 6-Pin TSOT-26 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMC2710UVT-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | на замовлення 3274 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2710UVT-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 1.2A TSOT23-6 Supplier Device Package: TSOT-23-6 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.6nC @ 4.5V, 0.7nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 600mA, 4.5V, 700mOhm @ 430mA, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 42pF @ 16V, 49pF @ 16V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), 900mA (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 500mW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Complementary Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 165000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2710UVT-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 20V 1.2A/0.9A 6-Pin TSOT-26 T/R | на замовлення 165000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC274 | DMC Tools | Tool Kits & Cases AFM8 &36 Positioner Tool Kit | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC286-02 | DMC Tools | Tool Kits & Cases General Aviation Kit Elec Wiring Conn | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMC292M | ITT Cannon, LLC | Description: CIR CRIMP TOOL KIT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMC2990UDJ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC2990UDJ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 450 mA, 450 mA, 0.6 ohm tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 450mA Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 450mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 450mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.6ohm Verlustleistung, p-Kanal: 350mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-963 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.6ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 350mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | на замовлення 7485 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2990UDJ-7 | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS | на замовлення 32244 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2990UDJ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.45A SOT963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 350mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA, 310mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-963 Part Status: Active | на замовлення 100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2990UDJ-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC2990UDJ-7 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 450 mA, 450 mA, 0.6 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 450mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V MSL: - usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 450mA Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.6ohm Verlustleistung, p-Kanal: 350mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-963 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.6ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 350mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2990UDJ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.45A SOT963 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 350mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA, 310mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-963 Part Status: Active | на замовлення 104061 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2990UDJQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.45A SOT963 Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta), 310mA (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 350mW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Complementary Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-963 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: SOT-963 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V, 0.4nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6pF @ 15V, 28.7pF @ 15V | на замовлення 1175755 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2990UDJQ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.45A SOT963 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Supplier Device Package: SOT-963 Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V, 0.4nC @ 4.5V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 27.6pF @ 15V, 28.7pF @ 15V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 450mA (Ta), 310mA (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Power - Max: 350mW (Ta) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Configuration: N and P-Channel Complementary Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-963 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 1160000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2990UDJQ-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | на замовлення 54449 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2990UDJQ-7B | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS: 8V-24V | на замовлення 29540 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2991UDA-7B | Diodes Incorporated | MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V X2-DFN0806-6 T&R 10K | на замовлення 9374 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2991UDA-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.48A 6DFN Packaging: Bulk Package / Case: 6-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 350mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 480mA (Ta), 350mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5pF @ 16V, 17pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 4.5V, 0.3nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN0806-6 | на замовлення 2318457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2991UDJ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A SOT963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 380mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 360mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5pF @ 15V, 17pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 4.5V, 0.3nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-963 | на замовлення 510000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2991UDJ-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A SOT963 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 380mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 360mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5pF @ 15V, 17pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 4.5V, 0.3nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-963 | на замовлення 519695 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2991UDJ-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A SOT963 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 380mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 360mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5pF @ 15V, 17pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 4.5V, 0.3nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-963 | на замовлення 475637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2991UDJ-7B | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A SOT963 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-963 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 380mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 360mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.5pF @ 15V, 17pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.35nC @ 4.5V, 0.3nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-963 | на замовлення 470000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2991UDR4-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A 6DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 370mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 360mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14.6pF @ 16V, 17pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.28nC @ 4.5V, 0.3nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1010-6 (Type UXC) | на замовлення 2825 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC2991UDR4-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.5A 6DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 370mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta), 360mA (Ta) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 14.6pF @ 16V, 17pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 990mOhm @ 100mA, 4.5V, 1.9Ohm @ 100mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.28nC @ 4.5V, 0.3nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: X2-DFN1010-6 (Type UXC) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMC30 | DMC Tools | Tool Kits & Cases Airbus A300,310,330 340 Tool Kit | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMC3016LDV | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DMC3016LDV-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 21A/15A 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC3016LDV-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC3016LDV-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 21 A, 21 A, 0.012 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm Verlustleistung, p-Kanal: 900mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerDI3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm productTraceability: No Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 900mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC3016LDV-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 21A PWRDI3333 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), 15A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 10V, 25mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6930 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC3016LDV-13 | Diodes Zetex | Trans MOSFET N/P-CH 30V 21A/15A 8-Pin PowerDI EP T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC3016LDV-13 | Diodes Incorporated | MOSFETs MOSFET BVDSS 31V-40V | на замовлення 1645 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC3016LDV-13 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - DMC3016LDV-13 - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 21 A, 21 A, 0.012 ohm tariffCode: 85411000 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 21A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 21A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.025ohm Verlustleistung, p-Kanal: 900mW Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerDI3333 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.012ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 900mW Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3515 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| DMC3016LDV-13 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET N/P-CH 30V 21A PWRDI3333 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Complementary Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW (Ta) Drain to Source Voltage (Vdss): 30V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 21A (Tc), 15A (Tc) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1184pF @ 15V, 1188pF @ 15V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 7A, 10V, 25mOhm @ 7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.5nC @ 4.5V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PowerDI3333-8 Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

