Продукція > DTC

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DTC143ECAHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1516 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143ECAHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1574+9.01 грн
Мінімальне замовлення: 1574 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143ECAT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1398+10.14 грн
1446+9.81 грн
Мінімальне замовлення: 1398 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143ECAT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143ECAT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 2979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+20.70 грн
61+12.51 грн
62+12.38 грн
65+11.28 грн
100+6.90 грн
250+6.41 грн
500+4.86 грн
1000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143ECAT116ROHMDescription: ROHM - DTC143ECAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC143E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143ECAT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 2979 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1212+11.70 грн
1834+7.73 грн
1897+7.47 грн
2500+5.47 грн
Мінімальне замовлення: 1212 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143ECAT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 350mW 3-Pin SST T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2233+6.35 грн
Мінімальне замовлення: 2233 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143ECAT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Current gain: 30
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143ECAT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2785 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.31 грн
30+10.02 грн
100+6.18 грн
500+4.25 грн
1000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143ECAT116ROHMDescription: ROHM - DTC143ECAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 350mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC143E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143ECAT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 100mA 50V w/bias resistor
на замовлення 5877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EELUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.15W; SOT523; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SOT523
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
150+3.26 грн
175+2.71 грн
500+2.40 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EEYangjie Electronic TechnologyDTC143EE
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8929+1.59 грн
Мінімальне замовлення: 8929 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EE FRATLROHMSOT23/SOT323
на замовлення 1602 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EE TLROHMSOT23/SOT323
на замовлення 13587 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EE-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT523
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-523
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-523
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EE-TPMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin SOT-523 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EE-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors NPN Digital Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EE3HZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EE3HZGTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1516 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EE3HZGTLROHMDescription: ROHM - DTC143EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EE3HZGTLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 5250 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EE3HZGTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
813+17.45 грн
1311+10.82 грн
1790+7.92 грн
2039+6.71 грн
3000+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 813 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EE3HZGTLROHMDescription: ROHM - DTC143EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EE3HZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2092 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+20.97 грн
24+12.49 грн
100+7.79 грн
500+5.40 грн
1000+4.78 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EE3HZGTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 4427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.78 грн
44+17.45 грн
100+10.82 грн
500+7.64 грн
1000+6.21 грн
3000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EE3TLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
900+15.75 грн
1458+9.72 грн
Мінімальне замовлення: 900 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EE3TLROHMDescription: ROHM - DTC143EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC143E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EE3TLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 1575 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+25.95 грн
48+15.75 грн
100+9.72 грн
500+6.83 грн
1000+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 30 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EE3TLROHMDescription: ROHM - DTC143EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC143E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2385 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EE3TLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 1730 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 1 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 617 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+19.42 грн
27+11.22 грн
100+7.01 грн
500+4.84 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EE3TLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 1714 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1613 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EEB TLROHMSOT23/SOT323
на замовлення 13256 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EEBHZGTLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN SOT-416FL 4.7kO Input Resist
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EEBHZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1A EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EEBHZGTLROHMDescription: ROHM - DTC143EEBHZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EEBHZGTLROHMDescription: ROHM - DTC143EEBHZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2702 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EEBHZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1A EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EEBMGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS NPN 100MA 50V SC-89
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EEBTLROHMDescription: ROHM - DTC143EEBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC143E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 74780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+21.59 грн
58+13.09 грн
100+8.03 грн
500+5.62 грн
1000+4.54 грн
3000+3.53 грн
6000+3.13 грн
9000+2.75 грн
15000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 74780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1084+13.09 грн
1765+8.03 грн
2432+5.83 грн
2789+4.90 грн
3441+3.68 грн
6000+3.13 грн
9000+2.75 грн
15000+2.62 грн
21000+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 1084 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EEBTLROHMDescription: ROHM - DTC143EEBTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416FL
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC143E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 1915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 6556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3425+4.14 грн
3522+4.03 грн
5000+3.91 грн
Мінімальне замовлення: 3425 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.31 грн
32+9.42 грн
100+5.83 грн
500+4.00 грн
1000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EEBTLROHM SemiconductorDigital Transistors TRANS DIGI BJT NPN 100MA TR
на замовлення 2050 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EET1ONSEMIDescription: ONSEMI - DTC143EET1 - DTC143EET1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EET1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EET1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 87330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6834+5.19 грн
10000+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 6834 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EET1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 87330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4537+4.62 грн
Мінімальне замовлення: 4537 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 120347 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.43 грн
41+7.33 грн
100+4.50 грн
500+3.07 грн
1000+2.70 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3887+3.65 грн
9000+3.39 грн
Мінімальне замовлення: 3887 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.21 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 11167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1396+10.16 грн
2266+6.26 грн
3152+4.50 грн
3650+3.75 грн
4703+2.69 грн
6000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 1396 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 510000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EET1GONSEMIDescription: ONSEMI - DTC143EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 35704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EET1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 312831 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.31 грн
6000+1.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 510000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8671+1.63 грн
Мінімальне замовлення: 8671 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EET1GON-SemiconductorNPN 100mA 50V 300mW +res. 4.7k+4.7k DTC143EET1G TDTC143eet1g
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1000+0.91 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 11167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+17.10 грн
75+10.16 грн
121+6.26 грн
500+4.34 грн
1000+3.47 грн
3000+2.58 грн
6000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EET1GONSEMIDescription: ONSEMI - DTC143EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 35704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EET1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC75; SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Current gain: 30
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EET1GONSEMIDescription: ONSEMI - DTC143EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 15hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-75
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EETLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 100MA
на замовлення 26140 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 77445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2852+4.97 грн
2936+4.83 грн
5000+4.70 грн
10000+4.42 грн
25000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 2852 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 56124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.52 грн
23+13.16 грн
100+8.23 грн
500+5.71 грн
1000+5.06 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 378377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
813+17.45 грн
1291+10.98 грн
1757+8.07 грн
2000+6.83 грн
3283+3.86 грн
6000+3.31 грн
9000+3.16 грн
15000+3.13 грн
21000+3.10 грн
Мінімальне замовлення: 813 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EETLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC75A,SOT416
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Case: SC75A; SOT416
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Current gain: 30
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 378377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+28.78 грн
44+17.45 грн
100+10.98 грн
500+7.78 грн
1000+6.33 грн
3000+3.70 грн
6000+3.31 грн
9000+3.16 грн
15000+3.13 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 54000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.67 грн
6000+4.05 грн
9000+3.83 грн
15000+3.35 грн
21000+3.21 грн
30000+3.07 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2605+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 2605 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EETL (транзистор)
Код товару: 45514
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EKROHM09+
на замовлення 16718 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EK FRAT146ROHMSOT23/SOT323
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EK HRAT146ROHMSOT23/SOT323
на замовлення 1064 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EK(23)ROHM97+ SOT-23
на замовлення 15999 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EKAROHMSOT23
на замовлення 17410 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EKA T146ROHMSOT23/SOT323
на замовлення 2727 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EKA-T146
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EKA-T146/23
на замовлення 3700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EKA/23ROHM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 4054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2505+5.66 грн
2578+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 2505 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EKAT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC59; SOT346
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Current gain: 30
на замовлення 4143 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
28+16.11 грн
37+11.30 грн
43+9.81 грн
62+6.76 грн
100+5.73 грн
500+3.94 грн
1000+3.37 грн
3000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 15895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1145+12.39 грн
1834+7.73 грн
2505+5.66 грн
2858+4.78 грн
4033+3.14 грн
6000+2.62 грн
9000+2.24 грн
15000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 1145 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EKAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 26771 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.31 грн
32+9.42 грн
100+5.83 грн
500+4.00 грн
1000+3.53 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EKAT146RohmTRANS PREBIAS NPN 200MW SMT3 Транзистори
на замовлення 4 шт:
термін постачання 4-5 дні (днів)
4+195.00 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EKAT146ROHMDescription: ROHM - DTC143EKAT146 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-346
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC143E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EKAT146ROHM SemiconductorDigital Transistors DIGIT NPN 50V 100MA
на замовлення 126667 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC143EKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SMT T/R
на замовлення 15895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+20.70 грн
62+12.39 грн
100+7.73 грн
500+5.46 грн
1000+4.43 грн
3000+3.01 грн
6000+2.62 грн
9000+2.24 грн
15000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.