Продукція > NTM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTMS4101PR2onsemionsemi
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4107NR2ON2005 SMD8
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4107NR2GON07+ SOP-8
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4107NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 930mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4107NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 930mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 15A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4176P
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4176PR2Gon10+
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4176PR2GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 5.5A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4176PR2G4176P
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4177Ponsemi PFET SO8 30V 11.4A 19MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4177PRUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 6.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4177PRUMWDescription: MOSFET P-CH 30V 6.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+16.68 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4177PR2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4177PR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMS4177PR2G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2117 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.73 грн
500+37.29 грн
1000+32.47 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4177PR2GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -11.4A; Idm: -46A; 2.5W; SO8
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -30V
Drain current: -11.4A
Pulsed drain current: -46A
Power dissipation: 2.5W
Case: SO8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 12mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 29nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4177PR2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 6.6A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 24 V
на замовлення 1998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1998 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4177PR2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4177PR2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+55.29 грн
25+39.87 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4177PR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMS4177PR2G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 11.4 A, 0.012 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1627 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+48.36 грн
50+46.25 грн
100+41.05 грн
500+37.36 грн
1000+32.54 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4177PR2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+44.89 грн
100+41.51 грн
500+37.05 грн
1000+32.62 грн
2500+29.05 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4177PR2G
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4177PR2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
153+92.53 грн
500+58.32 грн
1000+53.22 грн
2500+45.56 грн
5000+39.16 грн
Мінімальне замовлення: 153 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4177PR2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4177PR2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 30V 6.6A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 11.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 840mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 24 V
на замовлення 2233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.22 грн
10+70.27 грн
100+46.94 грн
500+34.64 грн
1000+31.62 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4177PR2GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 30V 8.9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4177PR2GonsemiMOSFETs PFET SO8 30V 9.6A TR
на замовлення 172 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4404NR2ON07+ SO-8
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4404NR2ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4404NR2ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4503NON07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4503NRON
на замовлення 400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4503NR2ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 28V 9A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4503NR2ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 28V 9A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4503NR2ON09+
на замовлення 2518 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4503NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 28V 9A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4503NR2GON09+ DIP
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4503NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 28V 9A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4503NR2G-001ONSEMIDescription: ONSEMI - NTMS4503NR2G-001 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 28 V, 14 A, 0.007 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 28V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PW Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 108679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+79.17 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4503NRZ
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4503NSR2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 28V 14A 8SO
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4700NR
на замовлення 842 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4700NR2ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4700NR2ON07+ SO-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4700NR2ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4700NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.6A 8SOIC
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4704NR2
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4704NR2GON02 05
на замовлення 507 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4705NON09+
на замовлення 508 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4705NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.4A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4705NR2GON Semicondu2005
на замовлення 475 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4705NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.4A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4706N
на замовлення 481 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4706NG
на замовлення 36 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4706NR2ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6.4A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4706NR2
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4706NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6.4A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4706NR2GONSOP8 0733+
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4706NT2G
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4800NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.9A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4800NR2G
на замовлення 6880 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4800NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.9A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 750mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940 pF @ 25 V
на замовлення 24036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1665+13.51 грн
Мінімальне замовлення: 1665 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4801NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4801NR2GON SemiconductorMOSFET NFET SO8 30V 9.9A 12.5mOhm
на замовлення 2711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4801NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.5A 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4801NR2GON Semiconductor
на замовлення 242 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4802NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.1A 8SOIC
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 910mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 18A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 4280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
520+39.81 грн
Мінімальне замовлення: 520 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4802NR2GON Semiconductor
на замовлення 692 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4802NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 11.1A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 910mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4807NR2GON09+
на замовлення 1768 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4807NR2GON SemiconductorMOSFET NFET SO8 30V 14.8A 0.061R
на замовлення 4212 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4807NR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMS4807NR2G - MOSFET, N-CH, 30V, 14.8A, 150DEG C, 2.3W
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 88144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
660+40.40 грн
Мінімальне замовлення: 660 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4807NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 9.1A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4807NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 9.1A 8-SOIC
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4807NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 9.1A 8-SOIC
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4816Nonsemionsemi NFET SO8 30V 11A 0.030R T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4816NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.8A 8SOIC
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4816NR2GON SemiconductorMOSFET NFET SO8 30V 11A NCH 0.030R
на замовлення 2004 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4816NR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
379+37.40 грн
380+37.24 грн
425+33.35 грн
429+31.84 грн
Мінімальне замовлення: 379 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4816NR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 432 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+37.93 грн
21+37.50 грн
25+37.40 грн
50+35.91 грн
100+29.78 грн
250+28.30 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4816NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 6.8A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 780mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1060 pF @ 25 V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4816NR2GON Semiconductor
на замовлення 2507 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4816NR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 31 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4816NR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMS4816NR2G - MOSFET, N CHANNEL, 30V, 9A, SOIC-8
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 106224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+23.17 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4816NR2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A 8-Pin SOIC N T/R
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+18.08 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4816NR2G.ONSEMIDescription: ONSEMI - NTMS4816NR2G. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0082 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2.04W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.04W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0082ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+60.96 грн
16+51.62 грн
100+35.85 грн
500+21.06 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4816NR2G.ONSEMIDescription: ONSEMI - NTMS4816NR2G. - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11 A, 0.0082 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 2.04W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0082ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+35.85 грн
500+21.06 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4840NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 4.5A 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4840NR2G
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4872NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6A/10.2A 8SOIC
на замовлення 194350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1519 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4872NR2GON Semiconductor
на замовлення 790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4873NFR2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.1A 8SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4873NFR2GOn SemiconductorN-Channel, 30 V, 11.5A, SO8 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4873NFR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMS4873NFR2G - NTMS4873NFR2G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 66286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.89 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4873NFR2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 7.1A 8SOIC
на замовлення 66286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1255 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4884NR2G
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4916NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.8A 8SOIC
на замовлення 22436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4916NR2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 7.8A 8SOIC
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4916NR2GONN
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4916NR2GON SemiconductorMOSFET NFET SO8 30V 11.4A 9MOHM
на замовлення 2129 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS4917NR2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 10.2A SO8FL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 31  [ Наступна Сторінка >> ]