Продукція > NTM

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTMS5P02R2GOn SemiconductorSO-8 MOSFET Power -20V -5.4A P-Channel Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS5P02R2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.95A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 16 V
на замовлення 2499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+103.46 грн
10+62.65 грн
50+46.71 грн
100+39.01 грн
500+30.53 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS5P02R2GonsemiMOSFETs -20V -5.4A P-Channel
на замовлення 2488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS5P02R2GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -20V; -5.4A; Idm: -20A; 1.47W; SO8
Case: SO8
Power dissipation: 1.47W
Gate charge: 20nC
Polarisation: unipolar
Drain current: -5.4A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: -20V
Type of transistor: P-MOSFET
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 33mΩ
Mounting: SMD
Pulsed drain current: -20A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS5P02R2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.95A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 5.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 790mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 16 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS5P02R2SGonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
на замовлення 7125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1110+19.74 грн
Мінімальне замовлення: 1110 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS5P02R2SGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.95A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS5P02R2SGONSEMIDescription: ONSEMI - NTMS5P02R2SG - MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7125 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS5P02R2SGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 3.95A 8-SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS7N03ON07+ SO-8
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS7N03G
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS7N03R2onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.8A 8SOIC
на замовлення 58468 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1519+14.33 грн
Мінімальне замовлення: 1519 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS7N03R2onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.8A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS7N03R2GON SemiconductorMOSFET 30V 7A N-Channel
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS7N03R2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.8A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMS7N03R2GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 4.8A 8SOIC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD2P102MOT09+
на замовлення 20018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD2P102LON07+ SO-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD2P102LR2onsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 8SOIC
на замовлення 2492 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1603 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD2P102LR2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTMSD2P102LR2G - NTMSD2P102LR2G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD2P102LR2GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 8SOIC
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1603 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD2P102R2ONSEMIDescription: ONSEMI - NTMSD2P102R2 - MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD2P102R2ON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1603 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD2P102R2SGONSEMIDescription: ONSEMI - NTMSD2P102R2SG - MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD2P102R2SGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.3A 8-SOIC
на замовлення 17500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1603 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD3P102R2ON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.34A 8SOIC
на замовлення 2466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1603 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD3P102R2GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.34A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD3P102R2G
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD3P102R2SGON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 20V 2.34A 8SOIC
на замовлення 25120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 802 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD3P1SR2
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD3P303ON07+ SO-8
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD3P303R2ONO523
на замовлення 931 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD3P303R2GON SemiconductorDescription: MOSFET P-CH 30V 2.34A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD3P303R2G
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD6N03R2G
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD6N303R2ON07+ SO-8
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD6N303R2ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD6N303R2G
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD6N303R2GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD6N303R2SG
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD6N303R2SGON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6A 8-SOIC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD6N3SR2G
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMSD6P02R2G
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT045N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
на замовлення 6516 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+920.98 грн
10+618.47 грн
100+500.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT045N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTMT045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.033 ohm, TDFN
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 187W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT045N065SC1ONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 650V; 39A; Idm: 197A; 94W; TDFN4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 39A
Pulsed drain current: 197A
Power dissipation: 94W
Case: TDFN4
Gate-source voltage: -5...18V
On-state resistance: 40mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 105nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: SiC
Features of semiconductor devices: Kelvin terminal
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT045N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTMT045N065SC1 - MOSFET Module Configuration:-
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 55A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: -
Verlustleistung: 187W
Bauform - Transistor: TDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: N Channel
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
directShipCharge: 25
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin TDFN EP T/R
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+601.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT045N065SC1onsemiDescription: SILICON CARBIDE (SIC) MOSFET - 3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 25A, 18V
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 8mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 105 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 325 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+424.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT045N065SC1onsemiSiC MOSFETs SIC MOS PQFN88 650V
на замовлення 5718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT045N065SC1ONSEMIDescription: ONSEMI - NTMT045N065SC1 - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Eins, n-Kanal, 39 A, 650 V, 0.033 ohm, TDFN
tariffCode: 85414900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 187W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
на замовлення 1134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT045N065SC1ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 650V 55A 4-Pin TDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT061N60S5FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin TDFN EP T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+559.85 грн
100+531.56 грн
500+504.45 грн
1000+459.16 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT061N60S5FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin TDFN EP T/R
на замовлення 30225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+559.85 грн
100+531.56 грн
500+504.45 грн
1000+459.16 грн
10000+399.89 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT061N60S5FonsemiDescription: SUPERFET5 FRFET, 61MOHM, PQFN88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 20.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 4.6mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4175 pF @ 400 V
на замовлення 1558 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+751.68 грн
10+499.14 грн
50+403.22 грн
100+362.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT061N60S5FonsemiMOSFETs SUPERFET5 FRFET 61MOHM PQFN88
на замовлення 2562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT061N60S5FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin TDFN EP T/R
на замовлення 13651 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
64+559.85 грн
100+531.56 грн
500+504.45 грн
1000+459.16 грн
10000+399.89 грн
Мінімальне замовлення: 64 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT061N60S5FonsemiDescription: SUPERFET5 FRFET, 61MOHM, PQFN88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 41A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 61mOhm @ 20.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.8V @ 4.6mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 76 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4175 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT061N60S5FONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 41A; Idm: 146A; 255W; TDFN4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 41A
Pulsed drain current: 146A
Power dissipation: 255W
Case: TDFN4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 61mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 76nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT061N60S5FON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 41A 4-Pin TDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT061N60S5HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+249.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT061N60S5HonsemiMOSFETs SF5 600V FAST 61MOHM FOR
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 350-359 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT061N60S5HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+611.38 грн
10+401.70 грн
50+321.60 грн
100+277.65 грн
500+276.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT064N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTMT064N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.052 ohm, TDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT064N65S3HonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 40A 4TDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3745 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT064N65S3HONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 40A; Idm: 112A; 260W; TDFN4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 112A
Power dissipation: 260W
Case: TDFN4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 64mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 82nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT064N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 40A 4-Pin TDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT064N65S3HonsemiMOSFETs 650V 64MOHM MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT064N65S3HONSEMIDescription: ONSEMI - NTMT064N65S3H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 40 A, 0.052 ohm, TDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 260W
Bauform - Transistor: TDFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.052ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2969 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT064N65S3HonsemiDescription: MOSFET N-CH 650V 40A 4TDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 260W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.9mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3745 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT080N60S5onsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 16.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 212W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 3.4mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3029 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT090N65S3HFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 36A; Idm: 90A; 272W; TDFN4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 36A
Pulsed drain current: 90A
Power dissipation: 272W
Case: TDFN4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 90mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 66nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT090N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 36A 4-Pin TDFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT090N65S3HFonsemiMOSFETs SF3 FRFET 650V 90MOHM PQFN88
на замовлення 2998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT090N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTMT090N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.075 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 272W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.075ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT090N65S3HFonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 400 V
на замовлення 5059 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+724.24 грн
10+479.59 грн
50+386.48 грн
100+343.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT090N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 36A 4-Pin TDFN EP T/R
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+535.10 грн
100+507.99 грн
500+482.06 грн
Мінімальне замовлення: 67 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT090N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTMT090N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 36 A, 0.075 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT090N65S3HFonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 18A, 10V
Power Dissipation (Max): 272W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 860µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2930 pF @ 400 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+310.19 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT095N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.8mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2833 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT095N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A 4-Pin TDFN EP Reel
на замовлення 9798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+466.74 грн
100+443.16 грн
500+419.59 грн
1000+383.01 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT095N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A 4-Pin TDFN EP Reel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT095N65S3HONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 84A; 208W; TDFN4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 208W
Case: TDFN4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 95mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 58nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT095N65S3HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 208W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 2.8mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2833 pF @ 400 V
на замовлення 2826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+638.81 грн
10+420.64 грн
50+337.42 грн
100+292.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT095N65S3HonsemiMOSFETs SF3 FAST 95MOHM PQFN88
на замовлення 2699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT095N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A 4-Pin TDFN EP Reel
на замовлення 3029 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+466.74 грн
100+443.16 грн
500+419.59 грн
1000+383.01 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT100N60S5HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 13.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 179W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.7mA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2616 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT100N70GN1TXGonsemiGaN FETs GaN FET, 700V, 75m, 8x8
на замовлення 2463 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT100N70GN1TXGonsemiDescription: GAN FET, 700V, 75M, 8X8
на замовлення 2460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+202.22 грн
10+125.67 грн
100+86.42 грн
500+65.35 грн
1000+61.79 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT100N70GN1TXGonsemiDescription: GAN FET, 700V, 75M, 8X8
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT110N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTMT110N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.098 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT110N65S3HFonsemiMOSFETs SF3 FRFET 650V 110MOHM PQFN88
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT110N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A 4-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT110N65S3HFonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 740µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2635 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT110N65S3HFONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; Idm: 69A; 240W; TDFN4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 30A
Power dissipation: 240W
Case: TDFN4
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.11Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 62nC
Kind of channel: enhancement
Kind of package: reel; tape
Pulsed drain current: 69A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT110N65S3HFONSEMIDescription: ONSEMI - NTMT110N65S3HF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.098 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 240W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: PQFN
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.098ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.098ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT110N65S3HFON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 30A 4-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT110N65S3HFonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 740µA
Supplier Device Package: 4-PQFN (8x8)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2635 pF @ 400 V
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+673.30 грн
10+442.91 грн
50+355.14 грн
100+307.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT125N60S5HonsemiDescription: POWER MOSFET, N-CHANNEL, SUPERFE
Packaging: Bulk
Package / Case: 4-PowerTSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 152W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 2.1mA
Supplier Device Package: 4-TDFN (8x8)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2037 pF @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTMT125N65S3HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 650V 24A 4-Pin TDFN EP Reel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.