Продукція > 2N5
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N5638_D26Z | onsemi / Fairchild | JFET N-Channel Switch | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5638_Q | onsemi / Fairchild | JFET N-CH 30V 50mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5639 | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5639 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 12885 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5639 | onsemi | JFET 30V 10mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5639 | Fairchild Semiconductor | Description: JFET N-CH 35V TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 310 mW Resistance - RDS(On): 60 Ohms Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V | на замовлення 21835 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| 2N5639 | MOT | CAN | на замовлення 458 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5639G | onsemi | Description: JFET N-CH 35V TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 310 mW Resistance - RDS(On): 60 Ohms Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| 2N5639G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5639G - 2N5639G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5639G | onsemi | JFET 30V 10mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5639G | onsemi | Description: JFET N-CH 35V TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 310 mW Resistance - RDS(On): 60 Ohms Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5639RLRA | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5639RLRA - 2N5639RLRA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5639RLRA | onsemi | JFET 30V 10mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5639RLRA | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 30V 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| 2N5639RLRA | onsemi | Description: RF MOSFET Packaging: Bulk | на замовлення 22000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| 2N5639RLRAG | onsemi | Description: JFET N-CH 35V TO92 Packaging: Bulk Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 310 mW Resistance - RDS(On): 60 Ohms Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| 2N5639RLRAG | ON Semiconductor | Trans JFET N-CH 30V 3-Pin TO-92 T/R | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| 2N5639RLRAG | onsemi | Description: JFET N-CH 35V TO92 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V Supplier Device Package: TO-92 (TO-226) Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 310 mW Resistance - RDS(On): 60 Ohms Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5639RLRAG | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5639RLRAG - 2N5639RLRAG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5639RLRAG | onsemi | JFET 30V 10mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5639_D11Z | onsemi / Fairchild | JFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5639_D26Z | onsemi / Fairchild | JFET N-Channel Switch | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5639_D26Z | onsemi | Description: JFET N-CH 30V TO92-3 Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V Resistance - RDS(On): 60 Ohms Power - Max: 350 mW Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-92-3 Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS) FET Type: N-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5639_D75Z | onsemi | Description: JFET N-CH 30V TO92-3 Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) FET Type: N-Channel Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS) Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V Supplier Device Package: TO-92-3 Part Status: Obsolete Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Power - Max: 350 mW Resistance - RDS(On): 60 Ohms Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5639_D75Z | onsemi / Fairchild | JFET N-Channel Switch | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5639_Q | onsemi / Fairchild | JFET N-CHANNEL 30V 50mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N563A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| 2N564 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| 2N5640 | MOT | CAN | на замовлення 638 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5641 | MOT | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| 2N5642 | MOTOROLA | на замовлення 54 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| 2N5643 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2N5643 Код товару: 103045
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT УКТЗЕД: 8541 29 00 10 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||
| 2N5643 | Advanced Semiconductor, Inc. | RF Bipolar Transistors RF Transistor | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5647 | MOT | CAN | на замовлення 498 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5648 | MOT | CAN | на замовлення 756 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5649 | MOT | CAN | на замовлення 387 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N564A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| 2N565 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| 2N5650 | MOT | CAN | на замовлення 185 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5651 | MOT | CAN | на замовлення 687 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5652 | MOT | CAN | на замовлення 954 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5653 | MOT | CAN | на замовлення 687 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5654 | MOT | CAN | на замовлення 472 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5655 | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5655 - 2N5655, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 17205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5655 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 1A 250V 20W NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5655 | onsemi | Description: TRANS NPN 250V 0.5A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 10V @ 100mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 10mV Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 20 W | на замовлення 17205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| 2N5655 | onsemi | Description: TRANS NPN 250V 0.5A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 10V @ 100mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 10mV Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 20 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5655 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT . . | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5655 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 275Vcbo 250Vceo 6.0Vebo 500mA 20W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5655G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5655G - 2N5655G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 219 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 219 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5655G | onsemi | Description: TRANS NPN 250V 0.5A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 10V @ 100mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 10mV Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 20 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5655G | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 1A 250V 20W NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5655G | onsemi | Description: TRANS NPN 250V 0.5A TO-126 Packaging: Bulk Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 10V @ 100mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 10mV Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: TO-126 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 20 W | на замовлення 2155 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| 2N5655G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 250V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5657 | STMicroelectronics | Description: TRANS NPN 350V 0.5A SOT32-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 10V @ 100mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 10V Frequency - Transition: 10MHz Supplier Device Package: SOT-32-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Power - Max: 20 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5657 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT NPN Fast Switching | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5657 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 1A 250V 20W NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5657 | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2N5657G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 1A 250V 20W NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5657G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 350V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5657G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N5657G - TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 350V, TO-225-3 tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 5182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5657G | onsemi | Description: TRANS NPN 350V 0.5A TO126 Power - Max: 20 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-126 Frequency - Transition: 10MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 100µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 10V @ 100mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-225AA, TO-126-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5658 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: PNP Supplier Device Package: TO-59 Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 30 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5658 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N565A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| 2N566 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| 2N5660 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 200V 2A TO66 Packaging: Bulk Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 400mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 200nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5660 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 200V 2A 2W NPN Power BJT THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5660 | MOTOROLA | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| 2N5660U3 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 200V 2A 2000mW 3-Pin SMD-0.5 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5660U3 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 200V 2A 2W NPN 3 Pin CER Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5661 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| 2N5661 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 300V 2A 2W NPN Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5661 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 300V 2A TO66 Packaging: Bulk Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 400mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 200nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 500mA, 5V Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5661 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 300V 2A 2000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5661P | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 300V 2A 2W NPN Pin-D Test Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5661P | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 400mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 200nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 500mA, 5V Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA) Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5661U3 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 300V 2A 2000mW 3-Pin SMD-0.5 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5661U3 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5662 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5662 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 200V 2A 1W NPN Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5662 | Microsemi Corporation | Description: NPN TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5662 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| 2N5662 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 200V 2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5663 | General Semiconductor | Description: TRANS 300V 1A TO5 Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Packaging: Bulk Power - Max: 20 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-5 Frequency - Transition: 20MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 500mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| 2N5663 | MOTOROLA | на замовлення 22500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| 2N5663U3 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 300V 2A 1W NPN 3 Pin CER Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5664 | Microsemi Corporation | Description: NPN TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5664 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| 2N5664 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 200V 5A 2500mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5664 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 200V 5A 2500mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 16 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5664 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 200V 5A 2.5W NPN Power BJT THT | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5665 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5665 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 300V 5A TO66 Packaging: Bulk Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 200nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 5V Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA) Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 2.5 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5665 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| 2N5665A | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| 2N5666 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 200V 1.2A 5W NPN Power BJT THT | на замовлення 122 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5666 | Microsemi Corporation | Description: NPN TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5666 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 200V 5A 1200mW 3-Pin TO-5 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 16 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| 2N5666 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 200V 5A 1200mW 3-Pin TO-5 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. |

