Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 36  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2N5638_D26Zonsemi / FairchildJFET N-Channel Switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5638_Qonsemi / FairchildJFET N-CH 30V 50mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5639ONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5639 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5639onsemiJFET 30V 10mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5639Fairchild SemiconductorDescription: JFET N-CH 35V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 310 mW
Resistance - RDS(On): 60 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V
на замовлення 21835 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
649+31.17 грн
Мінімальне замовлення: 649 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5639MOTCAN
на замовлення 458 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5639GonsemiDescription: JFET N-CH 35V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 310 mW
Resistance - RDS(On): 60 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1514+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 1514 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5639GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5639G - 2N5639G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5639GonsemiJFET 30V 10mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5639GonsemiDescription: JFET N-CH 35V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 310 mW
Resistance - RDS(On): 60 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5639RLRAONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5639RLRA - 2N5639RLRA, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5639RLRAonsemiJFET 30V 10mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5639RLRAON SemiconductorTrans JFET N-CH 30V 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2280+15.48 грн
10000+13.79 грн
Мінімальне замовлення: 2280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5639RLRAonsemiDescription: RF MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 22000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1514+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 1514 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5639RLRAGonsemiDescription: JFET N-CH 35V TO92
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 310 mW
Resistance - RDS(On): 60 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1514+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 1514 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5639RLRAGON SemiconductorTrans JFET N-CH 30V 3-Pin TO-92 T/R
на замовлення 14000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2280+15.48 грн
10000+13.79 грн
Мінімальне замовлення: 2280 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5639RLRAGonsemiDescription: JFET N-CH 35V TO92
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 Long Body, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 35 V
Supplier Device Package: TO-92 (TO-226)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 310 mW
Resistance - RDS(On): 60 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5639RLRAGONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5639RLRAG - 2N5639RLRAG, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5639RLRAGonsemiJFET 30V 10mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5639_D11Zonsemi / FairchildJFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5639_D26Zonsemi / FairchildJFET N-Channel Switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5639_D26ZonsemiDescription: JFET N-CH 30V TO92-3
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V
Resistance - RDS(On): 60 Ohms
Power - Max: 350 mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-92-3
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
FET Type: N-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5639_D75ZonsemiDescription: JFET N-CH 30V TO92-3
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
FET Type: N-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10pF @ 12V (VGS)
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS): 30 V
Supplier Device Package: TO-92-3
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Power - Max: 350 mW
Resistance - RDS(On): 60 Ohms
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25 mA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5639_D75Zonsemi / FairchildJFET N-Channel Switch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5639_Qonsemi / FairchildJFET N-CHANNEL 30V 50mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N563AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N564MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5640MOTCAN
на замовлення 638 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5641MOT
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5642MOTOROLA
на замовлення 54 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5643
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5643
Код товару: 103045
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > IGBT
УКТЗЕД: 8541 29 00 10
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5643Advanced Semiconductor, Inc.RF Bipolar Transistors RF Transistor
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5647MOTCAN
на замовлення 498 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5648MOTCAN
на замовлення 756 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5649MOTCAN
на замовлення 387 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N564AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N565MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5650MOTCAN
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5651MOTCAN
на замовлення 687 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5652MOTCAN
на замовлення 954 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5653MOTCAN
на замовлення 687 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5654MOTCAN
на замовлення 472 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5655ONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5655 - 2N5655, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 17205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5655onsemiBipolar Transistors - BJT 1A 250V 20W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5655onsemiDescription: TRANS NPN 250V 0.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 10V @ 100mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 10mV
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 17205 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1514+13.55 грн
Мінімальне замовлення: 1514 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5655onsemiDescription: TRANS NPN 250V 0.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 10V @ 100mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 10mV
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5655 PBFREECentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT . .
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5655 TIN/LEADCentral SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN 275Vcbo 250Vceo 6.0Vebo 500mA 20W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5655GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5655G - 2N5655G, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5655GonsemiDescription: TRANS NPN 250V 0.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 10V @ 100mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 10mV
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5655GON SemiconductorBipolar Transistors - BJT 1A 250V 20W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5655GonsemiDescription: TRANS NPN 250V 0.5A TO-126
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 10V @ 100mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 10mV
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: TO-126
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V
Power - Max: 20 W
на замовлення 2155 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1010+20.33 грн
Мінімальне замовлення: 1010 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5655GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 250V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5657STMicroelectronicsDescription: TRANS NPN 350V 0.5A SOT32-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 10V @ 100mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 10V
Frequency - Transition: 10MHz
Supplier Device Package: SOT-32-3
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Power - Max: 20 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5657STMicroelectronicsBipolar Transistors - BJT NPN Fast Switching
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5657onsemiBipolar Transistors - BJT 1A 250V 20W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5657
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5657GonsemiBipolar Transistors - BJT 1A 250V 20W NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5657GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 350V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Box
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5657GONSEMIDescription: ONSEMI - 2N5657G - TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 350V, TO-225-3
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 5182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5657GonsemiDescription: TRANS NPN 350V 0.5A TO126
Power - Max: 20 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 350 V
Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: TO-126
Frequency - Transition: 10MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 10V @ 100mA, 500mA
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-225AA, TO-126-3
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5658Microchip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-210AA, TO-59-4, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Transistor Type: PNP
Supplier Device Package: TO-59
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V
Power - Max: 30 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5658Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N565AMOTOROLA
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N566MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5660Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 200V 2A TO66
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5660Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 200V 2A 2W NPN Power BJT THT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5660MOTOROLA
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5660U3Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 200V 2A 2000mW 3-Pin SMD-0.5 Tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5660U3Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 200V 2A 2W NPN 3 Pin CER Power BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5661MOTOROLA
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5661Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 300V 2A 2W NPN Power BJT THT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5661Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 300V 2A TO66
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 500mA, 5V
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5661Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 300V 2A 2000mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5661PMicrochip TechnologyBipolar Transistors - BJT 300V 2A 2W NPN Pin-D Test Power BJT THT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5661PMicrochip TechnologyDescription: POWER BJT
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 400mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 500mA, 5V
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 2 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5661U3Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 300V 2A 2000mW 3-Pin SMD-0.5 Tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5661U3MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5662Microchip / MicrosemiBipolar Transistors - BJT Power BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2N5662Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 200V 2A 1W NPN Power BJT THT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5662Microsemi CorporationDescription: NPN TRANSISTOR
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5662MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5662Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 200V 2A 1000mW 3-Pin TO-5 Bag
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5663General SemiconductorDescription: TRANS 300V 1A TO5
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can
Packaging: Bulk
Power - Max: 20 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-5
Frequency - Transition: 20MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 500mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 100mA, 1A
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+1596.62 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5663MOTOROLA
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5663U3Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 300V 2A 1W NPN 3 Pin CER Power BJT
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5664Microsemi CorporationDescription: NPN TRANSISTOR
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5664MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5664Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 200V 5A 2500mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5664Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 200V 5A 2500mW 3-Pin(2+Tab) TO-66 Tray
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5664Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 200V 5A 2.5W NPN Power BJT THT
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5665Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT Power BJT
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5665Microchip TechnologyDescription: TRANS NPN 300V 5A TO66
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-213AA, TO-66-2
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 5A
Current - Collector Cutoff (Max): 200nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 5V
Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA)
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V
Power - Max: 2.5 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5665MOTOROLA
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5665A
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5666Microchip TechnologyBipolar Transistors - BJT 200V 1.2A 5W NPN Power BJT THT
на замовлення 122 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2N5666Microsemi CorporationDescription: NPN TRANSISTOR
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5666Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 200V 5A 1200mW 3-Pin TO-5 Bag
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2N5666Microchip TechnologyTrans GP BJT NPN 200V 5A 1200mW 3-Pin TO-5 Bag
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 3 6 9 12 15 18 21 23 24 25 26 27 28 29 30 31 32 33 36  Наступна Сторінка >> ]