Продукція > 2N5
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N5666 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 200V 5A 1200mW 3-Pin TO-5 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5666S | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5666S | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 200V 5A 1200mW 3-Pin TO-39 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5666S | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 200V 1.2A 5W NPN Power BJT THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5666S | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 200V 5A 1200mW 3-Pin TO-39 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5666U3 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5666U3 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 200V 5A 1500mW 3-Pin SMD-0.5 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5667 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 300V 5A TO-5AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 200nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 5V Supplier Device Package: TO-5AA Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 1.2 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5667 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N5667 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | на замовлення 93 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5667 | Microsemi | Trans GP BJT NPN 300V 5A 1200mW 3-Pin TO-5 Bag | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N5667S | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 300V 5A 1200mW 3-Pin TO-39 Bag | на замовлення 75 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N5667S | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 300V 5A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 200nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 5V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 1.2 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5668 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N5669 | MOT | CAN | на замовлення 198 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N566A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N567 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N5670 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N5671 | HARRIS | 2N5671 | на замовлення 1291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N5671 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N5671 | Harris Corporation | Description: TRANS NPN 90V 30A TO-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 6A, 30A Current - Collector Cutoff (Max): 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20A, 5V Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V Power - Max: 6 W | на замовлення 1291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N5671 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 90V 30A 6W NPN Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5672 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 120V 30A 6000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5672 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 120V 30A 6000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5672 | MOT | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N5672 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 120V 30A TO-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 6A, 30A Current - Collector Cutoff (Max): 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20A, 5V Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 6 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5672 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 120V 30A 6W NP Power BJT THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5673 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N5674 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N5675 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N5676 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N5677 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5677 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N5678 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5678 | MOTOROLA | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N5679 | MOTOROLA | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N5679 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 100V PVP Power BJT THT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5679 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N5679 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 1 A, 1 W, TO-39, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: NO DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-39 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar PNP Transistors Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C | на замовлення 821 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5679 | Solid State Inc. | Description: TRANS PNP TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Supplier Device Package: TO-39 Part Status: Active | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N5679 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5679 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 100V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5679 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5679 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP Ampl/Switch | на замовлення 436 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5679 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 120Vcbo 120Vceo 4.0Vebo 1.0A 1.0W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5679. | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N5679. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 1 A, 1 W, TO-39, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-39 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C | на замовлення 25 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N567A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N568 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N5680 | Solid State Inc. | Description: TRANS PNP TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Supplier Device Package: TO-39 Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5680 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5680 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 120V PVP Power BJT THT | на замовлення 53 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5680 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5680 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N5680 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 1 A, 1 W, TO-39, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: NO DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-39 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar NPN Transistors Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C | на замовлення 594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5680 | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Box | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5680 | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N5680 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5680 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5680 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N5680 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP Ampl/Switch | на замовлення 556 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5680 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Silicon Power Transistors | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5680 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 120Vcbo 120Vceo 4.0Vebo 1.0A 1.0W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5680A | MOTOROLA | на замовлення 15500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N5680L | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 120V Long-Lead PVP Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5680L | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5680L | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5681 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N5681 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 100 V, 1 A, 1 W, TO-39, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: NO DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-39 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar NPN Transistors Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C | на замовлення 1314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5681 | MOT | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N5681 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5681 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 100V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5681 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5681 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Ampl/Switch | на замовлення 537 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5681 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 100V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5681 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 100Vcbo 100Vceo 4.0Vebo 1.0A 1.0W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5682 | ONS/FAI | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5682 | onsemi | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5682 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5682 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT NPN Power Switching | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5682 | onsemi | Description: TRANS NPN 120V 1A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V Supplier Device Package: TO-39 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5682 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5682 | CDIL | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 1A; 1/10W; TO39 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 120V Collector current: 1A Power dissipation: 1/10W Case: TO39 Current gain: 40...150 Mounting: THT Kind of package: bulk Frequency: 30MHz | на замовлення 526 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N5682 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 Bag | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5682 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5682 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 120V 1A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5682 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N5682 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 1 A, 1 W, TO-39, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: NO DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: NO Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-39 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar NPN Transistor Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C | на замовлення 227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5682 | Vishay Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5682 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 16 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5682 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Ampl/Switch | на замовлення 346 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5682 PBFREE | Central Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N5682 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 100Vcbo 100Vceo 4.0Vebo 1.0A 1.0W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5682. | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N5682. - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 120 V, 1 A, 10 W, TO-39, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 10W SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: TO-39 Dauerkollektorstrom: 1A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 200°C | на замовлення 411 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5682A | MOTOROLA | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N5682E3 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5682E3 | Microchip Technology | Trans GP BJT NPN 120V 1A 1000mW 3-Pin TO-39 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5682E3 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 120V 1A 1W NPN Lead-Free Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5682E3 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 120V 1A TO5 Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Packaging: Bulk Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: TO-5AA Frequency - Transition: 30MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5682E4 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT 120V 1A 1W NPN Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5682E4 | Microchip Technology | Description: POWER BJT Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5683 | NTE Electronics, Inc | Description: TRANS PNP 60V 50A TO3 Packaging: Bag Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 25A, 2V Frequency - Transition: 2MHz Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 300 W | на замовлення 424 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N5683 | MOT/ON | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N5683 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N5684 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 50A 80V 300W PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

