Продукція > BCW
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BCW33 | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 100mA; SOT23 Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 300MHz Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Collector current: 0.1A Collector-emitter voltage: 30V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BCW33 | CDIL | Transistor NPN; Bipolar; 32V; 100MHz; 100mA; 250mW; BCW33,215, BCW33LT1G; BCW33 smd TBCW33 кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 2400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW33 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW33 - TRANSISTOR SMD SOT 223 BIPOLAR tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: TBA euEccn: Unknown hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: Unknown | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW33 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.5A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW33 | Fairchild Semiconductor | Description: TRANS NPN 32V 0.5A SOT-23-3 Power - Max: 350 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23-3 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW33 | NXP/Nexperia/We-En | Транзистор NPN, Uceo, В = 32, Ic = 0,1, ft, МГц = 100, hFE = 600 @ Ic = 10 uA, Vce = 5 V, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW33 | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.5A SOT-23-3 Power - Max: 350 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Current - Collector (Ic) (Max): 500 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23-3 Frequency - Transition: 200MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW33 T116 | ROHM | SOT23 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW33 (біполярний транзистор NPN) Код товару: 15222
1
Додати до обраних
Обраний товар
| NXP | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: SOT-23 fT: 100 MHz Uceo,V: 32 V Ucbo,V: 32 V Ic,A: 0,1 A h21: 800 Монтаж: SMD | у наявності: 1242 шт
|
| ||||||||||||||
| BCW33 T/R | NXP Semiconductors | Bipolar Transistors - BJT TRANS GP TAPE-7 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW33,215 | NXP/Nexperia/We-En | Транзистор NPN, Uceo, В = 32, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 420 @ 2 мA, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0.21 @ 2.5 мA, 50 мA, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW33,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO-236AB Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 2.5mA, 50mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Supplier Device Package: TO-236AB Frequency - Transition: 100MHz | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW33,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW33,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW33,215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW33,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW33,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BCW33/SOT23/TO-236AB | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW33,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO-236AB | на замовлення 83341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW33,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW33,215 | NXP | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW33,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW33,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW33,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 600hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 251 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW33,215 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW33,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 210mV @ 2.5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW33,215 | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Frequency: 100MHz Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Collector-emitter voltage: 32V Kind of package: 7 inch reel; tape | на замовлення 12 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW33,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW33,215 | NXP USA Inc. | Description: TRANSISTOR NPN 32V 100MA SOT23 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW33,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW33,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW33,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 600hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW33,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 8500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW33L | onsemi | onsemi SILICON TRANSISTOR PLAST | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW33LR | Infineon | (NPN,32V,0.1A,B=420/800,SOT-23) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW33LT | Allegro | 07+ | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW33LT1 | ON Semiconductor | Транзистор NPN (Uce=32V, Ic=0.1A, P=300mW, B=420-800@I=2mA, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW33LT1 | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3 Power - Max: 300 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW33LT1 | On Semiconductor | (NPN,32V,0.1A,B=420/800,SOT-23) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW33LT1 | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 24000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW33LT1 | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW33LT1 | MOTOROLA | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BCW33LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW33LT1G | On Semiconductor | (NPN,32V,0.1A,B=420/800,SOT-23) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW33LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 12046 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW33LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 22847 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW33LT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Collector-emitter voltage: 32V Current gain: 420...800 Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW33LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW33LT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 32V NPN | на замовлення 4127 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW33LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW33LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30408 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW33LT1G | ON SEMICONDUCTOR | NPN 32V 0.2A 0.25W SOT-23 | на замовлення 488 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW33LT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3 Power - Max: 300 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW33LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW33LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW33LT1G - TRANSISTOR, BIPOL, NPN, 32, SOT-23-3 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 120000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW33LT1G | ON Semiconductor | Транзистор NPN, Uceo, В = 32, Ic = 100 мА, hFE = 420...800 @ Ic = 2 mA, Vce = 5 V, Icutoff-max = 100 нА, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 4000 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW33LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW33LT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 22847 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW33LT3 | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 225 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW33LT3G | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3 Power - Max: 300 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN | на замовлення 56209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW33LT3G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 32V NPN | на замовлення 19290 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW33LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 760000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW33LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW33LT3G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BCW33LT3G - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW33LT3G | On Semiconductor | (NPN,32V,0.1A,B=420/800,SOT-23) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW33LT3G | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT23-3 Power - Max: 300 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 500µA, 10mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW33LT3G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW33LT3G Код товару: 183750
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BCW33LT3G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 32V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Case: SOT23; TO236AB Mounting: SMD Polarisation: bipolar Type of transistor: NPN Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Collector-emitter voltage: 32V Current gain: 420...800 Kind of package: reel; tape | на замовлення 64 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW33LT3G | ON Semiconductor | Транзистор NPN, Uceo, В = 32, Ic = 100 мА, hFE = 420 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,25 @ 500, 10, Р, Вт = 0,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 10000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW33T116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SST3 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW60 Код товару: 34842
Додати до обраних
Обраний товар
| Philips | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: SOT-23 fT: 250 MHz Uceo,V: 32 V Ucbo,V: 32 V Ic,A: 0,1 A | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||
| BCW60 | SM | на замовлення 207000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BCW60A | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW60A | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN/ 32V/ 100mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW60A | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCW60A - BCW60 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 366 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 366 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW60A E6327 | INFINEON | SOT23-AA | на замовлення 7306 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW60A E6327 SOT23-AA | INFINEON | на замовлення 7306 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BCW60ALT | Allegro | 07+ | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW60A_D87Z | ON Semiconductor / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW60A_D87Z | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23-3 Power - Max: 350 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23-3 Frequency - Transition: 125MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW60A_Q | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN/ 32V/ 100mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW60B | onsemi | Description: TRANS NPN 32V 0.1A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 125MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 350 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW60B | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN/ 32V/ 100mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW60B | PHILIPS | SOT23 | на замовлення 72000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW60B,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO-236AB Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW60B,215 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 8464 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW60B,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BCW60B/SOT23/TO-236AB | на замовлення 8111 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW60B,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW60B,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW60B,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW60B,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW60B,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW60B,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 32 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 180hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 32V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW60B,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO-236AB Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Grade: Automotive Supplier Device Package: TO-236AB | на замовлення 5335 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW60B,215 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW60B,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW60B,235 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 32V 0.1A TO-236AB Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: TO-236AB Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW60B,235 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT NPN general purpose transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 19 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW60B,235 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BCW60B,235 - TRANSISTOR, BIPOLAR MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW60B/ABP | PHILIPS | на замовлення 27000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| BCW60BE6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 32V 0.1A PG-SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW60BE6327HTSA1 | Infineon | NPN 100mA 32V 250mW 250MHz BCW60B TBCW60b кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| BCW60BE6327HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BCW60BE6327HTSA1 - BCW60 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 7000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW60BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS NPN 32V 0.1A PG-SOT23 Power - Max: 330 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 32 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Last Time Buy Supplier Device Package: PG-SOT23 Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 20nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BCW60BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 32V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

