Продукція > FF6
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FF600R12IS4FBOSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - FF600R12IS4FBOSA1 - FF600R12 - PP, IHM I, XHP 1,7KV tariffCode: 85412900 euEccn: TBC hazardous: false productTraceability: No usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12IS4FBOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 600A 3700W MOD | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12KE3 | EUPEC | MODULE | на замовлення 263 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12KE3NOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 850A 2800W MOD Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 600A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 850 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 2800 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12KE3NOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 850A 2800mW 10-Pin IHM130-2 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12KE3NOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 850A 2800W MOD Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 125°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.15V @ 15V, 600A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module Current - Collector (Ic) (Max): 850 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 2800 W Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF600R12KE3NOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 850A 2800W 10-Pin IHM130-2 Tray | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF600R12KE4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin 62MM-1 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12KE4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin 62MM-1 Tray | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF600R12KE4BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 600A MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 38 nF @ 25 V | на замовлення 47 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF600R12KE4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin 62MM-1 Tray | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF600R12KE4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin 62MM-1 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12KE4BOSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF600R12KE4BOSA1 - IGBT-Modul, Trench/Fieldstop, Zweifach [Halbbrücke], 600 A, 1.75 V, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V IGBT-Anschluss: Lötfahne Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: - Verlustleistung: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 600A Produktpalette: 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 600A Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12KE4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin 62MM-1 Tray | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF600R12KE4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin 62MM-1 Tray | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF600R12KE4BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 600 A dual IGBT module | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12KE4EBOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 600A Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 600 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 38 nF @ 25 V | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF600R12KE4EBOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin 62MM-1 Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF600R12KE4EBOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin 62MM-1 Tray | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF600R12KE4EBOSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF600R12KE4EBOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, gemeinsamer Emitter, 600 A, 1.75 V, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: - Verlustleistung: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 600A Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach, gemeinsamer Emitter productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach n-Kanal usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 600A Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12KE4EBOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin 62MM-1 Tray | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF600R12KE4EBOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin 62MM-1 Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF600R12KE4EBOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 600 A common emitter IGBT module | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12KE4EBOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin 62MM-1 Tray | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF600R12KE4EBOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin 62MM-1 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12KE4EBOSA2 | Infineon Technologies | Description: FF600R12KE4_E - 1200 V, 600 A CO Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF600R12KE4EBOSA2 | Infineon Technologies | FF600R12KE4EBOSA2 | на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF600R12KE4PBOSA1 | Infineon Technologies | Dual IGBT Module | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF600R12KE4PBOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 600 A dual IGBT module | на замовлення 61 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12KE4PBOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 600A AG-62MM-1 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-62MM-1 IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 38 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12KE4PBOSA1 | Infineon Technologies | Dual IGBT Module | на замовлення 128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF600R12KE4PBOSA1 | Infineon Technologies | Dual IGBT Module | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12KE4PBOSA1 | Infineon Technologies | Dual IGBT Module | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF600R12KE4PBOSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF600R12KE4PBOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 600 A, 1.75 V, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: - Verlustleistung: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 600A Produktpalette: 62mm C Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 600A Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12KE4PBOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 600A AG-62MM-1 Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-62MM-1 IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 600 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 38 nF @ 25 V | на замовлення 128 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF600R12KE4PBOSA1 | Infineon Technologies | Dual IGBT Module | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF600R12KE7BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF600R12KE7BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF600R12KE7BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 600 A, 1.75 V, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V IGBT-Anschluss: Schraubanschluss Verlustleistung: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 600A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12KE7BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 600A AG-62MMHB Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 600A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-62MMHB IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 600 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 92.3 nF @ 25 V | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF600R12KE7BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER 62MM | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12KE7EHPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 600A AG-62MMHB Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 600A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-62MMHB IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 92.3 nF @ 25 V | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF600R12KE7EHPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF600R12KE7EHPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 600 A common emitter IGBT module | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12KE7EHPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12KE7EHPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF600R12KE7EHPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF600R12KE7EHPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 600 A, 1.75 V, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 7 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V IGBT-Anschluss: Schraubanschluss Verlustleistung: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 600A Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12KE7PEHPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF600R12KE7PEHPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, gemeinsamer Emitter, 600 A, 1.5 V, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT7 - E7 [Trench Stop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V IGBT-Anschluss: Schraubanschluss Verlustleistung: - SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 600A Produktpalette: 62mm C-Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach, gemeinsamer Emitter productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12KE7PEHPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 600A AG-62MMHB Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 600A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-62MMHB IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 600 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 92300 pF @ 25 V | на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF600R12KE7PEHPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 600 A dual IGBT module | на замовлення 32 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12KE7PHPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF600R12KE7PHPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 600 A, 1.5 V, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT7 - E7 [Trench Stop] hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.5V IGBT-Anschluss: Schraubanschluss Verlustleistung: - SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: Modul Dauerkollektorstrom: 600A Produktpalette: 62mm C-Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12KE7PHPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 600A AG-62MMHB Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Inverter Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 600A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-62MMHB IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 600 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 92300 pF @ 25 V | на замовлення 32 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF600R12KE7PHPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1700 V, 600 A dual IGBT module | на замовлення 32 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12KF4 | Eupec | 07+; | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12KF4 Код товару: 53962
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| FF600R12KF4NOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 600A 3900W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 600A NTC Thermistor: No Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 3900 W Current - Collector Cutoff (Max): 8 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 45 nF @ 25 V | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF600R12KL4C | EUPEC | MODULE | на замовлення 299 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12KT4HOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 600 A dual IGBT Module | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12KT4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12KT4HOSA1 | Infineon Technologies | Description: 62MM POWER MODULE 1200 V WITH IG Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-62MM IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 600 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 38 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12KT4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin Tray | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF600R12KT4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin Tray | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF600R12KT4HOSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF600R12KT4HOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 600 A, 1.75 V, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: - Verlustleistung: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 600A Produktpalette: C- Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 600A Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12KT4HOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 7-Pin Tray | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF600R12KT4HOSA1 | Infineon Technologies | Description: 62MM POWER MODULE 1200 V WITH IG Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A NTC Thermistor: No Supplier Device Package: AG-62MM IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 600 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Cutoff (Max): 5 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 38 nF @ 25 V | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF600R12ME4 | Infineon Technologies | IGBT Modules IGBT 1200V 600A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12ME4AB11BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 3350W MODULE Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 3350 W Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37 nF @ 25 V | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF600R12ME4AB11BOSA1 | Infineon Technologies | Econo DUAL 3modulewithTrench Field stop IGBT4 and Emitter Controlled 4 diode and Press FIT NTC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12ME4AB11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: MEDIUM POWER ECONO AG-ECONOD-411 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONOD IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 950 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 3350 W Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12ME4AB11BPSA1 | Infineon Technologies | FF600R12ME4AB11BPSA1 | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF600R12ME4AB11BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12ME4AB11BPSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF600R12ME4AB11BPSA1 - IGBT-Modul, Zweifach, 995 A, 1.75 V, 4.05 kW, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V IGBT-Anschluss: Einpressmontage Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 4.05kW Verlustleistung: 4.05kW SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 995A Produktpalette: EconoDUAL 3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 995A Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 11 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12ME4AB11BPSA1 | Infineon Technologies | FF600R12ME4AB11BPSA1 | на замовлення 1245 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF600R12ME4AB11BPSA1 | Infineon Technologies | FF600R12ME4AB11BPSA1 | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF600R12ME4A_B11 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12ME4B11BPSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 995A 4050000mW 11-Pin ECONOD-5 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12ME4B11BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 4050W Packaging: Bulk Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 4050 W Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12ME4B11BPSA2 | Infineon Technologies | Description: MEDIUM POWER ECONO AG-ECONOD-411 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 600A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONOD IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 995 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 4050 W Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37 nF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12ME4B11BPSA2 | Infineon Technologies | IGBT Modules 1200 V, 600 A dual IGBT module | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12ME4B11BPSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - FF600R12ME4B11BPSA2 - IGBT-Modul, Zweifach, 995 A, 1.75 V, 4.05 kW, 150 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V usEccn: EAR99 IGBT-Anschluss: Lötanschluss Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: 4.05kW euEccn: NLR Verlustleistung: 4.05kW Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 995A Produktpalette: EconoDUAL 3 Series Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach productTraceability: Yes-Date/Lot Code DC-Kollektorstrom: 995A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12ME4B72BOSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO | на замовлення 61 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12ME4B72BOSA1 | Infineon Technologies | EconoDUAL 3 module with Trench/Field stop IGBT4 and Emitter Controlled diode and NTC | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF600R12ME4B72BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 11-Pin Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF600R12ME4B72BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 11-Pin Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF600R12ME4B72BOSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - FF600R12ME4B72BOSA1 - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 600 A, 1.75 V, 175 °C, Modul tariffCode: 85412900 Transistormontage: Platte euEccn: NLR rohsCompliant: YES IGBT-Technologie: IGBT 4 [Trench/Feldstop] Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.75V IGBT-Anschluss: Stiftbolzen Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.75V Verlustleistung Pd: - Verlustleistung: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV Dauerkollektorstrom: 600A Produktpalette: EconoDUAL3 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke] productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 600A Betriebstemperatur, max.: 175°C | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12ME4B72BOSA1 | Infineon Technologies | EconoDUAL 3 module with Trench/Field stop IGBT4 and Emitter Controlled diode and NTC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12ME4B72BOSA1 | Infineon Technologies | EconoDUAL 3 module with Trench/Field stop IGBT4 and Emitter Controlled diode and NTC | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF600R12ME4B72BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 11-Pin Tray | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF600R12ME4B72BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 1200A MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37 nF @ 25 V | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF600R12ME4B72BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 11-Pin Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12ME4B73BPSA1 | Infineon Technologies | EconoDUAL 3 module with Trench/Field stop IGBT4 and Emitter Controlled diode and PressFIT / NTC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12ME4B73BPSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MOD 1200V 1200A 20MW Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: Half Bridge Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 1200 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37 nF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12ME4B73BPSA1 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12ME4B73BPSA2 | Infineon Technologies | Description: MEDIUM POWER ECONO AG-ECONOD-411 Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: AG-ECONOD IGBT Type: Trench Field Stop Current - Collector (Ic) (Max): 600 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 20 mW Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37 nF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12ME4B73BPSA2 | Infineon Technologies | IGBT Modules MEDIUM POWER ECONO | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12ME4B73BPSA2 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 11-Pin ECONOD-3 Tray | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF600R12ME4B73BPSA2 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 11-Pin ECONOD-3 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12ME4B73BPSA2 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 600A 11-Pin ECONOD-3 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12ME4BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 995A 4050000mW 11-Pin ECONOD-5 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| FF600R12ME4BOSA1 | Infineon Technologies | Description: IGBT MODULE 1200V 4050W MODULE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Input: Standard Configuration: 2 Independent Operating Temperature: -40°C ~ 150°C Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A NTC Thermistor: Yes Supplier Device Package: Module IGBT Type: Trench Field Stop Part Status: Not For New Designs Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Power - Max: 4050 W Current - Collector Cutoff (Max): 3 mA Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37 nF @ 25 V | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| FF600R12ME4CB11BOSA1 | Infineon Technologies | Trans IGBT Module N-CH 1200V 1.06KA 4050000mW Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6 шт В кошику од. на суму грн. |