Продукція > MJE
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MJE13009G | на замовлення 1400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MJE13009G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 12A 400V 100W NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MJE13009G (біполярний транзистор NPN) Код товару: 1141
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| MJE13009H3 | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MJE13009H3(25-32) | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MJE13009L | на замовлення 5750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MJE13009L MJE13009 | UTC | NPN, Uкэ=400V, Iк=12A (25 имп.), h21=6...40, 4МГц, 110Вт, TO-220 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MJE1302 | на замовлення 90 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MJE13070 | на замовлення 7253 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MJE13070 | Harris Corporation | Description: TRANS NPN 6V 5A TO220-3 Power - Max: 80 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 6 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 3A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 5A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MJE13071 | на замовлення 7253 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MJE13071 | Harris Corporation | Description: TRANS NPN 450V 5A TO-220-3 Power - Max: 80 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 8 @ 3A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 1A, 5A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk | на замовлення 967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MJE13071 | HARRIS | MJE13071 | на замовлення 967 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MJE1307D | OTOMO | Transistor NPN; 40; 2W; 400V; 8A; 4MHz; -55°C ~ 150°C; Equivalent: MJE13007G; MJE13007-BP; ST13007; PHE13007,127; FJP13007TU; MJE13007 OTOMO TMJE13007 OTO кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MJE1320 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MJE15003 | ON/MOT | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| MJE15004 | ON/MOT | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| MJE15028 | onsemi | Description: TRANS NPN 120V 8A TO-220 Power - Max: 50 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220 Frequency - Transition: 30MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MJE15028 | на замовлення 7253 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MJE15028 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MJE15028 | Motorola | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MJE15028 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MJE15028 (біполярний транзистор NPN) Код товару: 126210
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| MJE15028G | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 120V; 8A; 50W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 120V Collector current: 8A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 30MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MJE15028G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MJE15028G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MJE15028G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE15028G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 120 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 512 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MJE15028G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MJE15028G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MJE15028G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W NPN | на замовлення 1161 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MJE15028G | onsemi | Description: TRANS NPN 120V 8A TO-220 Power - Max: 50 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220 Frequency - Transition: 30MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | на замовлення 2207 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MJE15028G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 10900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MJE15028G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MJE15028G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MJE15029 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MJE15029 | onsemi | Description: TRANS PNP 120V 8A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 50 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MJE15029 | Multicomp | Trans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 | на замовлення 223 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MJE15029 | на замовлення 68 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MJE15029 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - MJE15029 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 120 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro Bipolar PNP Transistors Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 968 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MJE15029 (транзистор біполярний PNP) Код товару: 126212
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| MJE15029G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MJE15029G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MJE15029G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE15029G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 120 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 50W Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 120V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 334 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MJE15029G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 4650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MJE15029G | ONSEMI | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 120V; 8A; 50W; TO220AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 120V Collector current: 8A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 30MHz | на замовлення 32 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MJE15029G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MJE15029G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 8A 120V 50W PNP | на замовлення 2274 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MJE15029G | onsemi | Description: TRANS PNP 120V 8A TO-220 Power - Max: 50 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-220 Frequency - Transition: 30MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Tube | на замовлення 4650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MJE15029G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 120V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MJE15030 | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 8A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 30MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MJE15030 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MJE15030 | onsemi | Description: TRANS NPN 150V 8A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 50 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MJE15030 | CDIL | NPN 8A 150V 50W 30MHz MJE15030 TMJE15030 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 470 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MJE15030 Код товару: 196969
Додати до обраних
Обраний товар
| ON | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-220 fT: 30 MHz Uceo,V: 150 V Ucbo,V: 150 V Ic,A: 8 А h21: 30 Монтаж: THT | у наявності: 59 шт
|
| ||||||||||||
| MJE15030 | Multicomp | Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220 | на замовлення 168 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MJE15030 | On Semiconductor | NPN, Uкэ=150V, Iк=8A (16 имп.), h21=20...40, 30МГц, 50Вт, TO-220AB (комплемент. MJE15031) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MJE15030 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - MJE15030 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 50W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 4264 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MJE15030 (біполярний транзистор NPN) Код товару: 36906
Додати до обраних
Обраний товар
| Iscsemi | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: TO-220 fT: 30 MHz Uceo,V: 150 V Ucbo,V: 150 V Ic,A: 8 А h21: 30 Монтаж: THT | у наявності: 1 шт
|
| ||||||||||||
| MJE15030G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MJE15030G | onsemi | Description: TRANS NPN 150V 8A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 50 W | на замовлення 3078 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MJE15030G | ON Semiconductor | Транзистор NPN, Ptot, Вт = 50, Uceo, В = 150, Ic = 8 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 30, hFE = 20 @ 4 A, 2 В, Icutoff-max = 100 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 100 мA, 1 A, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт кількість в упаковці: 50 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MJE15030G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MJE15030G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MJE15030G Код товару: 154352
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| MJE15030G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE15030G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 50W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MJE15030G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1582 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MJE15030G | ONSEMI | Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 8A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 30MHz | на замовлення 473 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MJE15030G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1573 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MJE15030G Код товару: 180441
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| MJE15030G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W NPN | на замовлення 6934 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MJE15030MJE15031 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| MJE15031 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - MJE15031 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 50W SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 4753 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MJE15031 | On Semiconductor | PNP, Uкэ=150V, Iк=8A (16 имп.), h21=20...40, 30МГц, 50Вт, TO-220AB (комплемент. MJE15030) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MJE15031 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MJE15031 | CDIL | Tranzystor PNP; 40; 2W; 150V; 8A; 30MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE 15031 G; MJE15031G; MJE15031 TMJE15031 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 850 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MJE15031 | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 8A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 50 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MJE15031 | CDIL | Tranzystor PNP; 40; 2W; 150V; 8A; 30MHz; -65°C ~ 150°C; Equivalent: MJE 15031 G; MJE15031G; MJE15031 TMJE15031 кількість в упаковці: 50 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MJE15031 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 120Vcbo 120Vceo 5.0Vebo 8.0A 2.0W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MJE15031G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MJE15031G Код товару: 45656
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| MJE15031G | On Semiconductor | PNP, Uкэ=150V, Iк=8A (16 имп.), h21=20...40, 30МГц, 50Вт, TO-220AB (комплемент. MJE15030) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MJE15031G | onsemi | Description: TRANS PNP 150V 8A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 2V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150 V Power - Max: 50 W | на замовлення 2315 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MJE15031G | ON-Semiconductor | Bipolar Transistor PNP 150V 8A 50W MJE15031G TO220 ONS TMJE15031 ons кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 14 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MJE15031G | ONSEMI | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 150V; 8A; 50W; TO220AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 150V Collector current: 8A Power dissipation: 50W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 70MHz | на замовлення 248 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MJE15031G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MJE15031G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 150V 8A 50000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MJE15031G Код товару: 180445
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| MJE15031G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 8A 150V 50W PNP | на замовлення 14902 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MJE15031G | ON Semiconductor | Транзистор PNP, Ptot, Вт = 50, Uceo, В = 150, Ic = 8 А, Тип монт. = вивідний, ft, МГц = 30, hFE = 20 @ 4 A, 2 В, Icutoff-max = 100 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,5 @ 100 мA, 1 A, Тексп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт кількість в упаковці: 50 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MJE15031G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE15031G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, PNP, 150 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 50W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 150V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2343 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MJE15032 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 8A 250V 50W NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MJE15032 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: TRANS NPN 250V 8A To-220 Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 50 W | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MJE15032 | onsemi | Description: TRANS NPN 250V 8A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 2A, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 50 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MJE15032 MJE15033 | ON | TO220 10+ | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MJE15032C | EVVO | Description: TRANS NPN 250V 8A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 30MHz Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 8 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 250 V Power - Max: 50 W | на замовлення 95 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MJE15032G | ON Semiconductor | Транзистор NPN, Ptot,Вт = 2, VCEO,В = 250, Ic = 8 А, Тип монт. = выводной, ft,МГц =30, hFE = 10 @ 2A, 5В, VCEO(sat),В = 0.5 @ 100 мA, 1A, Тэксп, °С = -65...+150,... Транзистори Корпус: TO-220AB Од. вим: шт кількість в упаковці: 50 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MJE15032G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| MJE15032G | ONSEMI | Description: ONSEMI - MJE15032G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Audio, NPN, 250 V, 8 A, 50 W, TO-220, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 50W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220 Dauerkollektorstrom: 8A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 250V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 30MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 9307 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MJE15032G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 250V 8A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| MJE15032G | On Semiconductor | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

