Продукція > PMN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PMN35EN125NXP USA Inc.Description: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 334 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 9.3 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5.1A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 360642 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3206+6.60 грн
Мінімальне замовлення: 3206 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN37ENEXNexperia USA Inc.Description: PMN37ENE/SOT457/SC-74
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN37ENEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN37ENEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.6 A, 0.046 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 667mW
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 667mW
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.046ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.57 грн
500+9.36 грн
1000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN37ENEXNexperia USA Inc.Description: PMN37ENE/SOT457/SC-74
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.2 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 667mW (Ta), 7.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.6A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN37ENEXNexperiaMOSFETs SOT457 N-CH 60V 3.6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN37ENEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN37ENEX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 3.6 A, 0.046 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 667mW
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2270 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+29.67 грн
41+20.08 грн
100+10.57 грн
500+9.36 грн
1000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN38EN
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMN38EN,135NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.4A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SC-74
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN38EN,165NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.4A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SC-74
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN40ENAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN40ENAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.2 A, 0.032 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.5W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.50 грн
31+26.91 грн
100+18.29 грн
500+13.36 грн
1000+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN40ENAXNexperiaMOSFET PMN40ENA/SOT457/SC-74
на замовлення 2380 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMN40ENAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 4.2A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 652mW (Ta), 7.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 12089 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
12+25.89 грн
100+17.02 грн
500+11.82 грн
1000+10.60 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN40ENAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN40ENAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.2 A, 0.032 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7.5W
Bauform - Transistor: TSOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.032ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.29 грн
500+13.36 грн
1000+11.43 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN40ENAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 4.2A 6TSOP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 590 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.7V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 652mW (Ta), 7.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 4.2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.2A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.01 грн
6000+8.81 грн
9000+8.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN40ENEXNexperiaMOSFETs The factory is currently not accepting orders for this product.
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMN40ENEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.7A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN40ENEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.7A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1683+12.14 грн
Мінімальне замовлення: 1683 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN40ENEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN40ENEX - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 96000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 9000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN40ENEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 4.46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 294 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN40LNPHILIPSSOT163
на замовлення 14600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMN40LN,135NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.4A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: SC-74
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 25 V
на замовлення 24547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2219+10.46 грн
Мінімальне замовлення: 2219 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN40LN,135NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.4A 6TSOP
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38mOhm @ 2.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 555 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SC-74
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.75W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN40SNAHNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN40SNAH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.036 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.75 грн
25+33.65 грн
100+19.51 грн
500+15.70 грн
1000+12.75 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN40SNAHNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN40SNAH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.036 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
150+19.51 грн
500+15.70 грн
1000+12.75 грн
Мінімальне замовлення: 150 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN40SNAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 4.7A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 453 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.8W
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.7A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.99 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN40SNAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN40SNAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.029 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+36.50 грн
31+26.91 грн
100+18.29 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN40SNAXNexperiaMOSFETs SOT457 N-CH 60V 4.7A
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMN40SNAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 60V 4.7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 4.7A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.8W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 453 pF @ 30 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6494 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
14+22.72 грн
100+17.11 грн
500+13.33 грн
1000+11.75 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN40SNAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN40SNAX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 4.7 A, 0.029 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 650W
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.029ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.29 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN40UPE,115NexperiaMOSFET PMN40UPE/SC-74/REEL 7" Q1/T1 *
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMN40UPE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 8.33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN40UPE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±8V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 8.33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Bulk
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1214+16.70 грн
Мінімальне замовлення: 1214 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN40UPE,115-NEXNexperia USA Inc.Description: TRANSISTOR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1316 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN40UPEA,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN40UPEA,115 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 46497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN40UPEA115NXP USA Inc.Description: P-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1820 pF @ 10 V
на замовлення 46497 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1202+19.60 грн
Мінімальне замовлення: 1202 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN40UPEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.7A 6TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN40UPEAXNexperiaMOSFET 20V single P-channel Trench MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN40XPEAAXNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 7.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.7A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 10 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.27 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN40XPEAAXNexperiaMOSFET PMN40XPEA/SOT457/SC-74
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN40XPEAAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+37.31 грн
26+29.91 грн
100+20.24 грн
1000+11.24 грн
3000+8.65 грн
6000+8.04 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN40XPEAAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4.7A 6-Pin TSOP T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
473+29.91 грн
699+20.24 грн
1214+11.65 грн
3000+9.34 грн
6000+8.38 грн
Мінімальне замовлення: 473 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN40XPEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN40XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.7 A, 0.039 ohm, SC-74, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+14.14 грн
500+10.72 грн
1000+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN40XPEAXNexperia USA Inc.Description: SMALL SIGNAL MOSFET FOR AUTOMOTI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 4.7A, 8V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1025 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN40XPEAXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN40XPEAX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.7 A, 0.039 ohm, SC-74, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: SC-74
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.039ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+30.40 грн
35+23.57 грн
100+14.14 грн
500+10.72 грн
1000+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN40XPEAXNexperiaMOSFETs SOT457 P-CH 20V 4.7A
на замовлення 3022 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMN42XPE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN42XPE,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 8.33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN42XPE,115NexperiaMOSFET PMN42XPE/SC-74/REEL 7" Q1/T1 *
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN42XPEA,125Rochester Electronics, LLCDescription: 4A, 20V, 6-ELEMENT, P CHANNEL, S
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN42XPEAHNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN42XPEAHNexperiaMOSFETs PMN42XPEA/SOT457/SC-74
на замовлення 4133 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMN42XPEAHNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Packaging: Tape & Reel (TR)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 8.33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Supplier Device Package: 6-TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+10.22 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN42XPEAHNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+17.82 грн
57+13.29 грн
58+12.56 грн
100+10.78 грн
250+9.54 грн
500+8.74 грн
1000+7.93 грн
Мінімальне замовлення: 43 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN42XPEAHNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4A Automotive 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+16.99 грн
60+12.67 грн
61+12.55 грн
100+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN42XPEAHNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 8.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.68 грн
12+26.49 грн
100+16.95 грн
500+12.06 грн
1000+10.82 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN42XPEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 8.33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.84 грн
13+23.85 грн
100+16.17 грн
500+11.86 грн
1000+10.76 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN42XPEAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 5.7A 6TSOP
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.3 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta), 8.33W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 3A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.7A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN42XPEAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 5.7A Automotive 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 5500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+21.65 грн
43+17.59 грн
100+10.22 грн
250+9.37 грн
500+8.91 грн
1000+6.81 грн
3000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN42XPEAXNexperiaMOSFETs SOT457 P-CH 20V 5.7A
на замовлення 85786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMN42XPEAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 5.7A Automotive 6-Pin TSOP T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.83 грн
9000+6.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN45EN
на замовлення 52600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMN45EN,135Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.2A 6TSOP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 495 pF @ 25 V
на замовлення 450515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1665+13.45 грн
Мінімальне замовлення: 1665 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN45EN,165NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 5.2A 6TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN48XPNXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN48XP
на замовлення 120000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMN48XP,115NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN48XP,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN48XP,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.1 A, 0.048 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.95 грн
24+33.90 грн
100+22.84 грн
500+17.81 грн
1000+14.98 грн
5000+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN48XP,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+58.79 грн
10+34.80 грн
100+22.49 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN48XP,115NEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN48XP,115 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.1 A, 0.048 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 530mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 13605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+22.84 грн
500+17.81 грн
1000+14.98 грн
5000+12.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN48XP,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN48XP,115NexperiaMOSFETs SOT457 P-CH 20V 4.1A
на замовлення 5452 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMN48XP,125NexperiaMOSFETs SOT457 P CHAN 20V
на замовлення 3732 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMN48XP,125Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
на замовлення 2151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+52.37 грн
10+31.30 грн
100+20.21 грн
500+14.48 грн
1000+13.03 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN48XP,125NexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4.1A 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN48XP,125Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 6.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN48XPA,115Nexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN48XPA115NXP USA Inc.Description: P-CHANNEL MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN48XPA2XNexperiaMOSFETs PMN48XPA2/SOT457/SC-74
на замовлення 3530 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMN48XPA2XNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4.4A Automotive 6-Pin TSOP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN48XPA2XNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN48XPA2X - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.4 A, 0.037 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.23 грн
30+27.96 грн
100+19.02 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN48XPA2XNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 4.4A, 8V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 679 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 7.5W (Tc)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+11.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN48XPA2XNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN48XPA2X - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 4.4 A, 0.037 ohm, TSOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 660mW
Bauform - Transistor: TSOP
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 8V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN48XPA2XNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.4A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 4.4A, 8V
Power Dissipation (Max): 660mW (Ta), 7.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 8V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 679 pF @ 10 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5784 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.57 грн
13+25.13 грн
100+17.50 грн
500+13.59 грн
1000+11.69 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN48XPAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.06 грн
11+29.96 грн
100+20.81 грн
500+15.25 грн
1000+12.39 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN48XPAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4.1A Automotive 6-Pin TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN48XPAXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 20V 4.1A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN48XPAXNXP SemiconductorsDescription: NEXPERIA PMN48XP - 20V, P-CHANNE
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Vgs (Max): ±12V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.25V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 530mW (Ta), 6.25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 2.4A, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.1A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN48XPAXNexperiaMOSFETs PMN48XPA/SOT457/SC-74
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMN48XPAXNexperiaTrans MOSFET P-CH 20V 4.1A Automotive 6-Pin TSOP
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN49EN
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PMN49EN,135NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: SC-74
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN49EN,135NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.8 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Supplier Device Package: SC-74
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 1.75W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 2A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Packaging: Bulk
на замовлення 58959 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2420+8.97 грн
Мінімальне замовлення: 2420 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN49EN,165NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 4.6A 6TSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN50EPEHNexperia USA Inc.Description: PMN50EPE/SOT457/SC-74
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 6.25mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+15.02 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN50EPEHNexperia USA Inc.Description: PMN50EPE/SOT457/SC-74
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-74, SOT-457
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: 6-TSOP
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 6.25mW (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.6A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.71 грн
10+37.81 грн
50+27.72 грн
100+22.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN50EPEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN50EPEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.035 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 560mW
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1868 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.06 грн
500+17.36 грн
1000+13.66 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN50EPEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 6TSOP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 6.25mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN50EPEXNexperiaMOSFET PMN50EPE/SOT457/SC-74
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMN50EPEXNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMN50EPEX - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 6 A, 0.045 ohm, SOT-457, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 560mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-457
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+118.68 грн
50+81.20 грн
100+55.76 грн
500+33.97 грн
1500+23.13 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMN50EPEXNexperia USA Inc.Description: MOSFET P-CH 30V 4.6A 6TSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-74, SOT-457
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 4.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 560mW (Ta), 6.25mW (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 6-TSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 793 pF @ 15 V
на замовлення 1880 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+62.71 грн
10+37.81 грн
50+27.72 грн
100+22.94 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5  [ Наступна Сторінка >> ]