Продукція > STN

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STN1N20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 1A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 206 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1N20STMN - CHANNEL 200V - 1.2 W - 1A - SOT-223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STN1N20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 1A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.9W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 206 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STN1N20ST07+ SOT-223
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN1N20-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN1N20SPY
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN1N20TR
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NB80ST07+ SOT-223
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NB80**********
на замовлення 65000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NB80-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NC60ST07+ SOT-223
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NC60-TR
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NE06
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NE10
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NE10L
на замовлення 52500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NF10STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 1A SOT-223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NF10STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 100 Volt 1 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NF10STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+64.58 грн
14+55.05 грн
25+49.35 грн
50+41.92 грн
100+33.55 грн
250+30.20 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NF10STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 100V 1A SOT-223
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 105 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-223
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 500mA, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NF20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+16.67 грн
8000+14.85 грн
12000+14.24 грн
20000+12.86 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NF20STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN1NF20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1 A, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.57 грн
50+49.77 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NF20STMicroelectronicsMOSFETs N-Channel 1.1 Ohm 200V 1A STripFET II
на замовлення 7131 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+58.87 грн
10+41.92 грн
100+24.92 грн
500+19.54 грн
1000+17.60 грн
2000+16.08 грн
4000+13.12 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NF20STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 1A SOT-223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 90 pF @ 25 V
на замовлення 24521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+69.90 грн
10+41.96 грн
100+27.46 грн
500+19.89 грн
1000+18.00 грн
2000+16.41 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NF20STMMOSFET N-CH 200V 1A SOT-223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NF20STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 1A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NF20STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN1NF20 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 1 A, 1.5 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: STripFET II
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.77 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NHC60-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NHK60-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60
на замовлення 5750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
455+31.18 грн
526+26.99 грн
579+24.50 грн
674+20.28 грн
1000+16.02 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60ZST600V 13Ohm, 0.8A Trans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 STN1NK60Z TSTN1nk60z
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 1565 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+14.21 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.39 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 508000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+17.28 грн
8000+17.10 грн
12000+16.95 грн
20000+16.18 грн
24000+14.97 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
на замовлення 7856 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.10 грн
10+50.26 грн
100+33.02 грн
500+24.04 грн
1000+21.80 грн
2000+19.91 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN1NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 300 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+58.15 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60ZSTMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 300 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 94 @ 25, Qg, нКл = 6.9 @ 10 В, Rds = 15 @ 400 мА, 10 В, Ugs(th) = 4,5, Р, Вт = 3,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 508000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+16.76 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60Z
Код товару: 25979
Додати до обраних Обраний товар
STТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: SOT-223
Напруга сток-витік Uds, V: 600 V
Струм стоку Idd, A: 0,25 A
Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 15 Ohm
Вхідна ємність Ciss, pF / заряд затвора Qg, nC: 94/4,9
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60ZSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 189mA; 3.3W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 189mA
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
On-state resistance: 15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Version: ESD
Technology: SuperMesh™
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
на замовлення 3908 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
11+42.06 грн
14+30.08 грн
16+27.09 грн
50+22.85 грн
100+22.02 грн
250+21.11 грн
500+20.44 грн
1000+19.36 грн
2000+18.36 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+20.28 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+14.39 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.3A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+33.54 грн
25+31.18 грн
100+26.03 грн
250+21.88 грн
500+18.03 грн
1000+15.38 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60ZSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 0.25A Zener SuperMESH
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+80.38 грн
10+49.14 грн
100+30.65 грн
500+23.75 грн
1000+21.54 грн
2000+19.74 грн
4000+16.36 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN1NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 300 mA, 15 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 300mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 2W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 15ohm
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60ZSTMMOSFET N-CH 600V 300MA SOT223 Транзистори
на замовлення 2243 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
13+25.96 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60Z-TR
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60ZLSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN1NK60ZL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 440 mA, 10.4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 440mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+70.39 грн
50+44.06 грн
250+28.67 грн
1000+18.47 грн
2000+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60ZLSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; 600V; 300mA; 3.3W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 0.3A
Power dissipation: 3.3W
Case: SOT223
On-state resistance: 10.4Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 6.9nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: 30V
на замовлення 4299 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4000+15.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60ZLSTMMOSFET PTD HIGH VOLTAGE Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60ZLSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.44A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60ZLSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
на замовлення 7086 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+66.01 грн
10+39.49 грн
100+25.67 грн
500+18.50 грн
1000+16.70 грн
2000+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60ZLSTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 600 V, 10 Ohm typ., 0.44 A Zener-protected SuperMESH(TM) Power MOSFET
на замовлення 6073 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+68.54 грн
10+42.08 грн
100+23.82 грн
500+18.29 грн
1000+16.50 грн
2000+15.05 грн
4000+12.63 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60ZLSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN1NK60ZL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 440 mA, 10.4 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 440mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: SuperMESH Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10.4ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 3800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+44.06 грн
250+28.67 грн
1000+18.47 грн
2000+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60ZLSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.44A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+17.93 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60ZLSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 300MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 400mA, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 94 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+15.40 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60ZLSTMicroelectronicsN-канальний ПТ, Udss, В = 600, Id = 300 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 94 @ 25, Qg, нКл = 6,9, Rds = 150 Ом, Ugs(th) = 4,5, Р, Вт = 3,3, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: SOT-223 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 4000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK60ZLSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 0.44A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+18.16 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK80ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+33.56 грн
8000+30.23 грн
12000+29.16 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK80ZSTMicroelectronicsMOSFETs POWER MOSFET Zener SuperMESH
на замовлення 16520 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.64 грн
10+96.06 грн
100+56.75 грн
500+46.05 грн
1000+41.28 грн
2000+38.52 грн
4000+36.66 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 0.25A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK80ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN1NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 250 mA, 16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 16ohm
на замовлення 60593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.36 грн
250+46.79 грн
1000+31.41 грн
2000+23.20 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 0.25A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+32.64 грн
8000+22.12 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK80ZSTMMOSFET N-CH 800V 0.25A SOT223 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK80ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 250MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 250mA (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7.7 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 25 V
на замовлення 17293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+127.37 грн
10+77.78 грн
100+52.25 грн
500+38.75 грн
1000+35.45 грн
2000+33.13 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK80ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STN1NK80Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 250 mA, 16 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 250mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 30V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 16ohm
на замовлення 60593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.90 грн
50+71.36 грн
250+46.79 грн
1000+31.41 грн
2000+23.20 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK80ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 0.25A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 56000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+32.54 грн
8000+22.06 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK80ZSTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 160mA; 2.5W; SOT223; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 0.16A
Power dissipation: 2.5W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 16Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 2317 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+92.17 грн
6+71.63 грн
10+63.32 грн
50+46.53 грн
100+41.71 грн
250+37.48 грн
500+34.90 грн
1000+32.82 грн
2000+31.16 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN1NK80Z (транзистор польовий N-канальний)
Код товару: 43739
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STN202075U173Eaton - Electronics DivisionDescription: TVS DIODE 7.5VWM 25VC 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 1700pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 240A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 7.5V (Max)
Supplier Device Package: 3-DFN (2x2)
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V
Power - Peak Pulse: 5000W (5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN202075U173Eaton ElectronicsESD Protection Diodes / TVS Diodes TVS ESD DFN2X2-3L 7.5V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+32.94 грн
15+21.91 грн
100+12.91 грн
500+12.22 грн
1000+11.74 грн
3000+11.67 грн
9000+11.25 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN202075U173EATON ELECTRONICSCategory: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; unidirectional; DFN2x2-3L; reel,tape
Mounting: SMD
Case: DFN2x2-3L
Version: ESD
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Max. off-state voltage: 7.5V
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STN202075U173Bussmann / EatonESD Protection Diodes / TVS Diodes TVS ESD DFN2X2-3L 7.5V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.41 грн
12+26.83 грн
100+14.91 грн
500+11.25 грн
1000+11.11 грн
9000+11.05 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN202075U173Eaton - Electronics DivisionDescription: TVS DIODE 7.5VWM 25VC 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 1700pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 240A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 7.5V (Max)
Supplier Device Package: 3-DFN (2x2)
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 8V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 25V
Power - Peak Pulse: 5000W (5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 1369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.38 грн
13+24.38 грн
100+15.57 грн
500+11.03 грн
1000+9.87 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN202120U952Eaton - Electronics DivisionDescription: TVS DIODE 12VWM 32VC 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 950pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 180A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max)
Supplier Device Package: 3-DFN (2x2)
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 13V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 32V
Power - Peak Pulse: 4500W (4.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 1427 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+57.47 грн
10+34.25 грн
100+22.05 грн
500+15.78 грн
1000+14.20 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN202120U952Eaton - Electronics DivisionDescription: TVS DIODE 12VWM 32VC 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 950pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 180A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 12V (Max)
Supplier Device Package: 3-DFN (2x2)
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 13V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 32V
Power - Peak Pulse: 4500W (4.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN202120U952Bussmann / EatonESD Protection Diodes / TVS Diodes TVS ESD DFN2X2-3L 12V
на замовлення 2908 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+50.18 грн
10+35.41 грн
100+19.95 грн
500+15.19 грн
1000+13.67 грн
3000+12.36 грн
9000+11.67 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN202120U952EATON ELECTRONICSCategory: Unidirectional TVS SMD diodes
Description: Diode: TVS; ESD; unidirectional; DFN2x2-3L; reel,tape
Case: DFN2x2-3L
Version: ESD
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Type of diode: TVS
Semiconductor structure: unidirectional
Max. off-state voltage: 12V
на замовлення 5995 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
10+48.32 грн
15+28.25 грн
100+17.20 грн
500+14.13 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN202150U952Eaton ElectronicsESD Protection Diodes / TVS Diodes TVS ESD DFN2X2-3L 15V
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.00 грн
14+23.58 грн
100+13.88 грн
500+11.25 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN202150U952Eaton - Electronics DivisionDescription: TVS DIODE 15VWM 35VC 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 950pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 150A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 15V (Max)
Supplier Device Package: 3-DFN (2x2)
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 16V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35V
Power - Peak Pulse: 4500W (4.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 3603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.07 грн
15+19.97 грн
100+12.87 грн
500+11.67 грн
1000+8.02 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN202150U952Bussmann / EatonESD Suppressors / TVS Diodes TVS ESD DFN2X2-3L 15 V
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+34.47 грн
13+26.28 грн
100+13.74 грн
500+12.70 грн
1000+11.05 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN202150U952Eaton - Electronics DivisionDescription: TVS DIODE 15VWM 35VC 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 950pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 150A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 15V (Max)
Supplier Device Package: 3-DFN (2x2)
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 16V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 35V
Power - Peak Pulse: 4500W (4.5kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+12.91 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN202240U752Eaton ElectronicsESD Protection Diodes / TVS Diodes TVS ESD, DFN2x2-3L, 24 V
на замовлення 3541 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+63.06 грн
10+38.90 грн
100+21.88 грн
500+16.78 грн
1000+15.05 грн
3000+12.98 грн
6000+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN202240U752Eaton - Electronics DivisionDescription: TVS DIODE 24VWM 50VC 3DFN
Part Status: Active
Power Line Protection: No
Power - Peak Pulse: 6000W (6kW)
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 50V
Voltage - Breakdown (Min): 26V
Unidirectional Channels: 2
Supplier Device Package: 3-DFN (2x2)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Max)
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 50A (8/20µs)
Capacitance @ Frequency: 750pF @ 1MHz
Applications: General Purpose
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Type: Zener
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-PowerUDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+38.83 грн
11+28.57 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN202240U752Bussmann / EatonESD Protection Diodes / TVS Diodes TVS DIODE ESD SUPPRESSOR, DFN2
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+43.41 грн
10+36.52 грн
100+22.16 грн
500+17.26 грн
1000+14.08 грн
3000+10.98 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN202240U752Eaton - Electronics DivisionDescription: TVS DIODE 24VWM 50VC 3DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-PowerUDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Zener
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 750pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 50A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 24V (Max)
Supplier Device Package: 3-DFN (2x2)
Unidirectional Channels: 2
Voltage - Breakdown (Min): 26V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 50V
Power - Peak Pulse: 6000W (6kW)
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN204033BL60Eaton - Electronics DivisionDescription: TVS DIODE 3.3VWM 18VC DFN2010-8L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.6pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 20A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Supplier Device Package: DFN2010-8L
Bidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 3.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18V
Power - Peak Pulse: 350W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN204033BL60Eaton - Electronics DivisionTVS DIODE 3.3VWM 18VC DFN2010-8L Супресори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STN204033BL60Eaton - Electronics DivisionDescription: TVS DIODE 3.3VWM 18VC DFN2010-8L
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-UFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Type: Steering (Rail to Rail)
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
Applications: General Purpose
Capacitance @ Frequency: 0.6pF @ 1MHz
Current - Peak Pulse (10/1000µs): 20A (8/20µs)
Voltage - Reverse Standoff (Typ): 3.3V (Max)
Supplier Device Package: DFN2010-8L
Bidirectional Channels: 4
Voltage - Breakdown (Min): 3.5V
Voltage - Clamping (Max) @ Ipp: 18V
Power - Peak Pulse: 350W
Power Line Protection: No
Part Status: Active
на замовлення 1195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+48.15 грн
10+40.98 грн
100+31.43 грн
500+23.32 грн
1000+18.65 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN204033BL60Bussmann / EatonESD Suppressors / TVS Diodes TVS ESD DFN2010-8L 3.3 V
на замовлення 2836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+46.15 грн
10+40.41 грн
100+26.92 грн
500+21.26 грн
1000+17.12 грн
6000+16.64 грн
9000+16.29 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STN2120-I/MLOBD SolutionsМультпротокол OBD-UART, Uживл, B = 5, Тексп, °С = -40...+125,... Інтегральні мікросхеми Корпус: ... Од. вим: шт
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STN2222A
на замовлення 300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN2222AS
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN2222ASF
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN2222SAUK
на замовлення 163000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN2222SF
на замовлення 625 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN222A00SXR0
на замовлення 2395 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STN222AS
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8  [ Наступна Сторінка >> ]