Продукція > TK0
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| TK099V65Z,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 5-Pin DFN EP | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK099V65Z,LQ | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: MOSFET N-CH 650V 30A 5DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-VSFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 99mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1.27mA Supplier Device Package: 5-DFN (8x8) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2780 pF @ 300 V | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK099V65Z,LQ | Toshiba | MOSFETs 230W 1MHz 8x8DFN | на замовлення 7251 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK099V65Z,LQ | Toshiba | Trans MOSFET N-CH Si 650V 30A 5-Pin DFN EP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK099V65Z,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK099V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.08 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung Pd: 230W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 230W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: DFN Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.08ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm | на замовлення 166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK099V65Z,LQ(S | Toshiba | TK099V65Z,LQ(S | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK099V65Z,LQ(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK099V65Z,LQ(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.08 ohm, DFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 230W SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: DFN Anzahl der Pins: 5Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm | на замовлення 166 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK099V65Z,LQ(S | Toshiba | TK099V65Z,LQ(S | на замовлення 2456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| TK099Z60Z1,S1F(S | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - TK099Z60Z1,S1F(S - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.099 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 176W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: DTMOSVI productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: - Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.099ohm | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK09H90A | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| TK09H90A | TOSHIBA | на замовлення 2110 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| TK09H90A (Q) | Toshiba | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK09H90A(Q) | Toshiba | MOSFET MOSFET N-Ch 900V 9A Rdson=1.3Ohm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| TK09N90A | на замовлення 1800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| TK0DT9PCB-L1 | на замовлення 46000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |