Продукція > XP3

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
XP3B-3829-5050-1-D/ROmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-D/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Operating Force - Initial: 33gf
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Mating Cycles: 1000000
Contact Material: Nickel Alloy
Contact Type: Probe Pin
Mounting Type: Through Hole
Contact Finish: Gold
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-D/SOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-D/TOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Operating Force - Initial: 33gf
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Mating Cycles: 1000000
Contact Material: Nickel Alloy
Contact Type: Probe Pin
Mounting Type: Through Hole
Contact Finish: Gold
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-D/TOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-R/DOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Operating Force - Initial: 33gf
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Mating Cycles: 1000000
Contact Material: Nickel Alloy
Contact Type: Probe Pin
Mounting Type: Through Hole
Contact Finish: Gold
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-R/DOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-R/ROmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Type: Probe Pin
Mounting Type: Through Hole
Contact Finish: Gold
Operating Force - Initial: 33gf
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Mating Cycles: 1000000
Contact Material: Nickel Alloy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-R/ROmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-R/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Operating Force - Initial: 33gf
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Mating Cycles: 1000000
Contact Material: Nickel Alloy
Contact Type: Probe Pin
Mounting Type: Through Hole
Contact Finish: Gold
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-R/SOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-R/TOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Operating Force - Initial: 33gf
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Mating Cycles: 1000000
Contact Material: Nickel Alloy
Contact Type: Probe Pin
Mounting Type: Through Hole
Contact Finish: Gold
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-R/TOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-S/DOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Mating Cycles: 1000000
Contact Material: Nickel Alloy
Contact Type: Probe Pin
Mounting Type: Through Hole
Contact Finish: Gold
Operating Force - Initial: 33gf
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-S/DOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-S/ROmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Operating Force - Initial: 33gf
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Mating Cycles: 1000000
Contact Material: Nickel Alloy
Contact Type: Probe Pin
Mounting Type: Through Hole
Contact Finish: Gold
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-S/ROmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-S/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Current Rating (Amps): 2A
Operating Force - Initial: 33gf
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Mating Cycles: 1000000
Contact Material: Nickel Alloy
Contact Type: Probe Pin
Mounting Type: Through Hole
Contact Finish: Gold
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-S/SOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-S/TOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Operating Force - Initial: 33gf
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Mating Cycles: 1000000
Contact Material: Nickel Alloy
Contact Type: Probe Pin
Mounting Type: Through Hole
Contact Finish: Gold
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-S/TOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-T/DOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Type: Probe Pin
Mounting Type: Through Hole
Contact Finish: Gold
Operating Force - Initial: 33gf
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Mating Cycles: 1000000
Contact Material: Nickel Alloy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-T/DOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-T/ROmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Operating Force - Initial: 33gf
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Mating Cycles: 1000000
Contact Material: Nickel Alloy
Contact Type: Probe Pin
Mounting Type: Through Hole
Contact Finish: Gold
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-T/ROmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-T/SOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Operating Force - Initial: 33gf
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Mating Cycles: 1000000
Contact Material: Nickel Alloy
Contact Type: Probe Pin
Mounting Type: Through Hole
Contact Finish: Gold
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-T/SOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-T/TOmron Electronics Inc-EMC DivDescription: CONTACT SPRING LOADED T/H GOLD
Contact Finish: Gold
Operating Force - Initial: 33gf
Plunger Size: 0.004" ~ 0.008" (0.09mm ~ 0.20mm)
Minimum Working Height: 0.093" (2.35mm)
Recommended Working Height: 0.096" (2.45mm)
Maximum Working Height: 0.112" (2.85mm)
Mating Cycles: 1000000
Contact Material: Nickel Alloy
Contact Type: Probe Pin
Mounting Type: Through Hole
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3B-3829-5050-1-T/TOmron ElectronicsContact Probes Contact Probe B 0.5mm pitch
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3C011HYAGEO XSemiMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3C011MYAGEO XSemiMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP3C023AMTYAGEO XSemiMOSFETs Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 1564 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3C023AMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3C023AMT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 12 A, 10 A, 0.0104 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0235ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3C023A Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0104ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.02 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3C023AMTXSemiMOSFET Complementary N ch + P ch 30V/-30
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3C023AMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3C023AMT - Dual-MOSFET, n- und p-Kanal, 30 V, 30 V, 12 A, 10 A, 0.0104 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 12A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0235ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 3.57W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3C023A Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0104ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 3.57W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+55.60 грн
19+43.73 грн
100+29.02 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N020YTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N020YT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.12W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N020 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.81 грн
500+8.91 грн
1000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N020YTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N020YT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 10 A, 0.02 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 3.12W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N020 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+26.09 грн
51+16.01 грн
100+10.81 грн
500+8.91 грн
1000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N020YTYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 10A PMPAK-3x3
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N028ENYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N028EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.028 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N028E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.35 грн
500+8.60 грн
1000+7.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N028ENYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 5.4A SOT-23S
на замовлення 2813 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N028ENYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N028EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 5.4 A, 0.028 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N028E Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+33.08 грн
29+28.94 грн
100+21.62 грн
500+15.77 грн
1000+11.29 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N035NYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 4.5A SOT-23S
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N035NYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N035N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.035 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N035 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+21.05 грн
63+13.09 грн
100+8.21 грн
500+6.75 грн
1000+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N035NYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N035N - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.035 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N035 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.21 грн
500+6.75 грн
1000+5.41 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N045ENYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N045EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.3 A, 0.045 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N045 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+16.34 грн
500+11.77 грн
1000+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N045ENYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N045EN - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 4.3 A, 0.045 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N045 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+37.88 грн
33+24.79 грн
100+16.34 грн
500+11.77 грн
1000+9.68 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R0MTYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 30V 54.2A 245A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.2A (Ta), 245A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 15 V
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+134.82 грн
10+88.08 грн
100+60.65 грн
500+47.22 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R0MTYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 30V 54.2A 245A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 54.2A (Ta), 245A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.05mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 120 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 12320 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R0MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N1R0MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 245 A, 1050 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N1R0 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+55.03 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R0MTYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 54.2 A PMPAK-5x6
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R0MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N1R0MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 245 A, 1050 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 245A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N1R0 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1050µohm
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+129.24 грн
10+82.10 грн
100+55.03 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R8MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N1R8MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 165 A, 1890 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N1R8 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1890µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+83.72 грн
100+82.10 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R8MTYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 30V 40.6A 165A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.6A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.89mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+97.98 грн
10+77.29 грн
100+60.10 грн
500+47.80 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R8MTYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 40.6 A PMPAK-5x6
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R8MTYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 30V 40.6A 165A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40.6A (Ta), 165A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.89mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 83.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4850 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N1R8MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N1R8MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 165 A, 1890 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 165A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N1R8 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1890µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.10 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N2R8AMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N2R8AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 103 A, 2800 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N2R8A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.29 грн
500+18.57 грн
1000+15.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N2R8AMTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 63.5A PMPAK-5X6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Ta), 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+74.46 грн
10+58.57 грн
100+45.55 грн
500+36.24 грн
1000+29.52 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N2R8AMTXSemi CorporationDescription: MOSFET N-CH 30V 63.5A PMPAK-5X6
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4080 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 50W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32.8A (Ta), 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N2R8AMTXSemiMOSFET N-CH 30V 32.8 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N2R8AMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N2R8AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 103 A, 2800 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 103A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N2R8A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2800µohm
на замовлення 2985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+69.90 грн
23+36.01 грн
100+28.29 грн
500+18.57 грн
1000+15.54 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 25A 63.5A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 63.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N5R0AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63.5 A, 5000 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+40.72 грн
28+29.26 грн
100+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AMTYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 63.5 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N5R0AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63.5 A, 5000 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 25A 63.5A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Ta), 63.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.2W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 64 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.87 грн
10+88.99 грн
100+69.18 грн
500+55.03 грн
1000+44.83 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AYTYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 63.5 A PMPAK-3x3
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AYTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N5R0AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63.5 A, 5000 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 3.12W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.42 грн
34+24.22 грн
100+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 21 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0AYTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N5R0AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 63.5 A, 5000 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 63.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
Verlustleistung: 3.12W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+15.53 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0HYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N5R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 62 A, 5000 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0HYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 62A TO-252
на замовлення 2372 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0HYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N5R0H - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 62 A, 5000 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 62A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+64.30 грн
21+39.91 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0MYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N5R0M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.4 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 2947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.99 грн
500+19.62 грн
1000+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0MYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 17.4 A SO-8
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N5R0MYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N5R0M - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 17.4 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N5R0 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
на замовлення 2947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+46.17 грн
27+30.16 грн
100+26.99 грн
500+19.62 грн
1000+17.49 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AHYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 38.5A TO252
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 22.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AHYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.5 A, 9500 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.35 грн
500+27.10 грн
1000+22.30 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AHYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 38.5A TO252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 22.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38.5A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.4 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
на замовлення 992 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+123.84 грн
10+75.78 грн
100+50.86 грн
500+37.67 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AHYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AH - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.5 A, 9500 µohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+38.61 грн
23+35.44 грн
100+32.35 грн
500+27.10 грн
1000+22.30 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AHYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 38.5 A TO-252
на замовлення 2949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 9500 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.97 грн
500+14.49 грн
1000+12.26 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 18A 38.7A PMPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 22.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 38.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AMTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AMT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 9500 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 9500µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+45.76 грн
26+31.62 грн
100+20.97 грн
500+14.49 грн
1000+12.26 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 18A 38.7A PMPAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1280 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28.8 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 22.7W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 9.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 38.7A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerLDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+73.68 грн
10+58.19 грн
100+45.27 грн
500+36.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AYTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 0.0095 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.57W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+44.22 грн
27+30.97 грн
100+20.48 грн
500+14.72 грн
1000+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AYTYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 38.7 A PMPAK-3x3
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3N9R5AYTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3N9R5AYT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 38.7 A, 0.0095 ohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 38.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.57W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3N9R5A Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0095ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.48 грн
500+14.72 грн
1000+12.19 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA2R4MTYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 36.5 A PMPAK-5x6
на замовлення 2976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA2R4MTYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 30V 36.5A 118A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.5A (Ta), 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+155.20 грн
10+124.01 грн
100+98.73 грн
500+78.40 грн
1000+66.52 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA2R4MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3NA2R4MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 118 A, 2400 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA2R4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+53.81 грн
20+41.62 грн
100+28.21 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA2R4MTYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 30V 36.5A 118A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36.5A (Ta), 118A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5600 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA2R4MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3NA2R4MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 118 A, 2400 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 118A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA2R4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+28.21 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA3R4MTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 29.2A 73A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.2A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+112.09 грн
10+89.29 грн
100+71.09 грн
500+56.45 грн
1000+47.90 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA3R4MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3NA3R4MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 3400 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA3R4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+18.94 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA3R4MTYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 29.2 A PMPAK-5x6
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA3R4MTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 30V 29.2A 73A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29.2A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 31.25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3360 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA3R4MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3NA3R4MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 73 A, 3400 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 73A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA3R4 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+47.14 грн
28+29.26 грн
100+18.94 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA7R2MTYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP3NA7R2MT - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 43.5 A, 7200 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP3NA7R2 Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7200µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+40.72 грн
28+30.08 грн
100+19.51 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA7R2MTYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 30V 20.4 A PMPAK-5x6
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP3NA7R2MTYAGEO XSEMIDescription: FET N-CH 30V 20.4A 43.5A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20.4A (Ta), 43.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 22.7W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38.4 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 15 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+54.87 грн
10+32.76 грн
100+21.21 грн
500+15.21 грн
1000+13.70 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]