Продукція > XP4

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
XP4NA2R2HCSTYAGEO XSemiMOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA2R4HYAGEOMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA2R4ITYAGEOMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA2R4PYAGEOMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA2R6CMTYAGEOMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA2R8MTYAGEOMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA3R3ITYAGEOMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA3R5HCSTYAGEOMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA3R8HYAGEOMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NA3R8H-ATYAGEOMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NAR72CXTYAGEOMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NAR85CMTYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N CH 40V 61.4A PMPAK5X6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 61.4A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-PMPAK (5x6)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 192 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9120 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NAR85CMTYAGEO XSemiMOSFETs
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NAR95CMT-AX-Semi (YAGEO)N-channel MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+59.69 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NAR95CMT-AYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4NAR95CMT-A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 264 A, 950 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 264A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4NAR95 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NAR95CMT-AYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 45V 58A 100A PMPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8880 pF @ 30 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+463.23 грн
10+299.65 грн
100+216.52 грн
500+169.85 грн
1000+164.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NAR95CMT-AYAGEO XSEMIDescription: MOSFET N-CH 45V 58A 100A PMPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerLDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 58A (Ta), 100A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.95mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 5W (Ta), 104W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: PMPAK® 5 x 6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 89.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8880 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NAR95CMT-AYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4NAR95CMT-A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 264 A, 950 µohm, PMPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 264A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 5W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: PMPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: XP4NAR95 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 950µohm
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4NAR95CMT-AYAGEO XSemiMOSFETs N-CH 45V 58A PMPAK-5x6
на замовлення 2989 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4P018MYAGEO XSEMIDescription: MOSFET P CH -40V 9.4A SO-8
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SO
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5760 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP4P090NYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4P090N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3 A, 0.09 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP4P090 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP4P090NYAGEO XSEMIDescription: YAGEO XSEMI - XP4P090N - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 3 A, 0.09 ohm, SOT-23S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 1.25W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-23S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: XP4P090 Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.09ohm
на замовлення 2945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
XP4P090NYAGEO XSemiMOSFET P-CH -40V -3A SOT-23S
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
XP4X230/1DELTA DESIGNDescription: DELTA DESIGN - XP4X230/1 - Antriebseinheit, Xenon, blinkend, 1W, 230V AC, IP67, 35mm hoch
tariffCode: 85412900
Linsenfarbe: -
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Versorgungsspannung, V AC: 230V
Optisches Signal: Blitzlicht
Nennleistung: 1W
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -
euEccn: NLR
IP- / NEMA-Schutzart: IP67
Außenhöhe: 35mm
Produktpalette: -
productTraceability: No
Versorgungsspannung, V DC: -
Linsendurchmesser: -
Betriebstemperatur, max.: -
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3