Продукція > BSS
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSS84LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 46 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS84LT1G | onsemi | MOSFETs 50V 130mA P-Channel | на замовлення 176018 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS84LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS84LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS84LT1G | ON Semiconductor | P-канальний ПТ, Udss, В = 50, Id = 130 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 30 @ 5, Rds = 10 Ом @ 100 мА, 5 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Очікується: 2440 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS84LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS84LT1G | ONSEMI | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.225W; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -130mA Power dissipation: 0.225W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Gate charge: 2.2nC | на замовлення 17936 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS84LT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BSS84LT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 5V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm | на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 41 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS84LT1G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 30 pF @ 5 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS84LT1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS84LT1G | On Semiconductor | MOSFET P-CH 50V 130mA SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS84LT1G (SOT-23, JSCJ) Код товару: 188580
Додати до обраних
Обраний товар
| JSCJ | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, V: 50 V Струм стоку Id, A: 0,13 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 4,7 Ohm Монтаж: SMD | у наявності: 3139 шт
|
| ||||||||||||||||||
| BSS84LT1G (SOT-23, ON) Код товару: 160080
Додати до обраних
Обраний товар
| ON | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, V: 50 V Струм стоку Id, A: 0,13 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 4,7 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 36/ | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||||
| BSS84LT1PD | LRC | 04+ SOT-23 | на замовлення 9100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS84LT7G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 5 V | на замовлення 5060 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS84LT7G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS84LT7G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 225mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 36 pF @ 5 V | на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS84LT7G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 14000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS84LT7G | onsemi | MOSFETs PFET SOT23 50V 130MA 10.0 | на замовлення 1736 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS84P | INFINEON | 09+ TSSOP | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS84P Код товару: 122858
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > Польові P-канальні Корпус: SOT-23 Напруга сток-витік Uds, V: 60 V Струм стоку Id, A: 0,17 A Опір відкритого каналу Rds(on), Ohm: 8 Ohm Вхідна ємність Ciss, pF / Заряд затвора Qg, nC: 15/1 Монтаж: SMD | у наявності: 606 шт
|
| ||||||||||||||||||
| BSS84P | Infineon | Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS84P E6433 | Infineon Technologies | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS84P E6433 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS84P H6327 | Infineon | P-MOSFET 170mA 60V 360mW BSS84P-E6327, BSS84P-H6327(Halogen free), BSS84P-L6327(Pb-free) BSS84P INFINEON TBSS84p кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS84P H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -60V -170mA SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS84P H6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 10860 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS84P H6327 | Infineon Technologies | P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 170 мА, Ptot, Вт = 0,36, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 19 @ 25, Qg, нКл = 1,5 @ 10 В, Rds = 8 Ом @ 170 мA, 10 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2 В @ 20 мкА,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS84P H6433 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -60V -170mA SOT-23-3 | на замовлення 15578 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS84P L6327 | Infineon Technologies | GaN FETs P-Ch -60V 170mA SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS84P L6327 | Infineon Technologies | P-канальний ПТ, Udss, В = 60, Id = 170 мА, Ciss, пФ @ Uds, В = 19 @ 25, Qg, нКл = 1,5 @ 10 В, Rds = 8 Ом @ 170 мA, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 20 мкА, Р, Вт = 0,36 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS84P L6433 | Infineon Technologies | GaN FETs P-Ch -60V 170mA SOT-23-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS84P L7894 | INFINEON | 0731NO | на замовлення 7710 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS84P-E6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS84P-L6327 | Infineon | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS84PD | LRC | 04+ 23 | на замовлення 51100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS84PE6327 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BSS84PH6327 | Infineon technologies | на замовлення 9008 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS84PH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS84PH6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 537000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS84PH6327XTSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 248730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS84PH6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 537000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS84PH6327XTSA2 | Infineon | P-MOSFET 170mA 60V 360mW BSS84P-E6327, BSS84P-H6327(Halogen free), BSS84P-L6327(Pb-free) BSS84P INFINEON TBSS84p кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 6000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS84PH6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 70558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS84PH6327XTSA2 | Infineon | Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS84PH6327XTSA2 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.14A; 0.36W; PG-SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -140mA Power dissipation: 0.36W Case: PG-SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8Ω Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.37nC Technology: SIPMOS™ | на замовлення 5756 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS84PH6327XTSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS84PH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SIPMOS Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm | на замовлення 471302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS84PH6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 7001 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS84PH6327XTSA2 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 248000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS84PH6327XTSA2 | Infineon | P-MOSFET 170mA 60V 360mW BSS84P-E6327, BSS84P-H6327(Halogen free), BSS84P-L6327(Pb-free) BSS84P INFINEON TBSS84p кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 18000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS84PH6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 8867 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS84PH6327XTSA2 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -60V -170mA SOT-23-3 | на замовлення 15647 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS84PH6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 70558 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS84PH6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 8867 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS84PH6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2130000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS84PH6327XTSA2 | Infineon | P-MOSFET 170mA 60V 360mW BSS84P-E6327, BSS84P-H6327(Halogen free), BSS84P-L6327(Pb-free) BSS84P INFINEON TBSS84p кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 4301 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS84PH6327XTSA2 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 288716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS84PH6327XTSA2 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS84PH6327XTSA2 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: SIPMOS Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm | на замовлення 471302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS84PH6433XTMA1 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -60V -170mA SOT-23-3 | на замовлення 3986 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS84PH6433XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS84PH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm | на замовлення 22974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS84PH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS84PH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS84PH6433XTMA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS84PH6433XTMA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 170 mA, 8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 170mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V Verlustleistung: 360mW SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm | на замовлення 22974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS84PH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS84PH6433XTMA1 | Infineon | SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS84PH6433XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3404 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS84PH7874XTSA1 | Infineon Technologies | BSS84PH7874XTSA1 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS84PH7874XTSA1 | Infineon Technologies | BSS84PH7874XTSA1 | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS84PH7894XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS84PH7894XTMA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.17A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS84PH7894XTMA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -170mA; 360mW; SOT23 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.17A Power dissipation: 0.36W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Gate charge: 1nC Application: automotive industry Technology: SIPMOS™ | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS84PL6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS84PL6433HTMA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 170MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 170mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 170mA, 10V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT23 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS84PW | Infineon | на замовлення 2430 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BSS84PW | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 150MA SOT323-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19.1 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS84PW H6327 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -60V 150mA SOT-323-3 | на замовлення 274681 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS84PW H6327 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS84PW H6327 | Infineon | P-MOSFET 60V 150mA 8Ω BSS84PWH6327XTSA1 BSS84PWH6327 Infineon TBSS84pw INF кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS84PW L6327 | Infineon Technologies | MOSFET P-Ch -60V 150mA SOT-323-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS84PW L6327 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 150MA SOT323-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19.1 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS84PWH6327XT | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -60V 150mA SOT-323-3 | на замовлення 29777 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS84PWH6327XTSA1 | Infineon | P-MOSFET 60V 150mA 8Ω BSS84PWH6327XTSA1 BSS84PWH6327 Infineon TBSS84pw INF кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 730 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS84PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 618000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS84PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 150MA SOT323-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19.1 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS84PWH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS84PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 150 mA, 8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS84PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS84PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS84PWH6327XTSA1 | Infineon | P-Channel 60V 150mA (Ta) 300mW (Ta) Surface Mount PG-SOT323-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS84PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | MOSFETs P-Ch -60V 150mA SOT-323-3 | на замовлення 528 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS84PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 35925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS84PWH6327XTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -0.15A; 0.3W; PG-SOT-323 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.15A Power dissipation: 0.3W Case: PG-SOT-323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 8Ω Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Gate charge: 0.37nC Technology: SIPMOS™ | на замовлення 1756 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS84PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 35925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS84PWH6327XTSA1 | Infineon | P-MOSFET 60V 150mA 8Ω BSS84PWH6327XTSA1 BSS84PWH6327 Infineon TBSS84pw INF кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 15000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS84PWH6327XTSA1 | INFINEON | Description: INFINEON - BSS84PWH6327XTSA1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 150 mA, 8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 150mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS84PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 618000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS84PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Description: MOSFET P-CH 60V 150MA SOT323-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 150mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 20µA Supplier Device Package: PG-SOT323 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 19.1 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS84PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS84PWH6327XTSA1 | Infineon Technologies | Trans MOSFET P-CH 60V 0.15A 3-Pin SOT-323 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BSS84PWL6327HTSA1 | Infineon Technologies | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS84PWL6327XT | Infineon technologies | на замовлення 563 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

