Продукція > BSS
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSS84Q-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84Q-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS84Q-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84Q-7-F | Diodes Incorporated | Description: BSS FAMILY SOT23 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84Q-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84Q-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84Q-7-F | Diodes | SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84Q-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS84Q-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1919 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84Q-7-F-52 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84T116 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R | на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 97 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84T116 | ROHM | Description: ROHM - BSS84T116 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - Verlustleistung Pd: 350mW Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: p-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm | на замовлення 8822 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84T116 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R | на замовлення 2506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84T116 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 60V 230MA SST3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 230mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V | на замовлення 13956 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84T116 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84T116 | ROHM | Description: ROHM - BSS84T116 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 2.8 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 350mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm | на замовлення 8822 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84T116 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; Trench; unipolar; -60V; -230mA; Idm: -0.92A Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -60V Drain current: -0.23A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 6.4Ω Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: -0.92A Technology: Trench | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84T116 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R | на замовлення 560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 556 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84T116 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 60V 230MA SST3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 230mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 230mA, 10V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: SST3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84T116 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A 3-Pin SST T/R | на замовлення 2506 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84T116 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Pch -60V; -0.23A SOT-23 ESD Prot | на замовлення 10233 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84TA | ZETEX | SOT23 | на замовлення 62800 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84TA | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84TC | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 360mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-23-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 40 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84TR | на замовлення 46500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BSS84V-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84V-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT-563 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84V-7 | DIODES INCORPORATED | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -50V; -130mA; 150mW; SOT563 Type of transistor: P-MOSFET x2 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -0.13A Power dissipation: 0.15W Case: SOT563 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84V-7 | Diodes Incorporated | MOSFET Dual P-Channel | на замовлення 10161 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84V-7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84V-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT-563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84V-7-79 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET 2P-CH 50V 0.13A SOT563 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84V7 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 6-Pin SOT-563 T/R | на замовлення 1800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84W | Diodes Incorporated | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84W | Taiwan Semiconductor | MOSFETs -60V, -0.14A, Single P-Channel Small-signal MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84W | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 0.14A 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84W | GOODWORK | Description: 50V 130mA 10@5V SOT-323 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84W RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 0.14A 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84W RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: -60, -0.14, SINGLE P-CHANNEL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 140mA, 10V Power Dissipation (Max): 298mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 30 V | на замовлення 6875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84W RFG | Taiwan Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 0.14A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84W RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: -60, -0.14, SINGLE P-CHANNEL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 140mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 140mA, 10V Power Dissipation (Max): 298mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 37 pF @ 30 V | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84W-7 | Diodes Incorporated | MOSFETs -50V 200mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84W-7 | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 30000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84W-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84W-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84W-7-F | DIODES/ZETEX | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A Automotive 3-Pin SOT-323 BSS84W-7-F TBSS84w кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1750 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84W-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS84W-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84W-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84W-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84W-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 46 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 46 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84W-7-F | Diodes | SOT-323 Транзистори | на замовлення 1 шт: термін постачання 4-5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84W-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS84W-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 130 mA, 10 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 130mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 10ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84W-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -50V; -0.13A; 0.2W; SOT323 Type of transistor: P-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -50V Drain current: -0.13A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 10Ω Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84W-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84W-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323 | на замовлення 9632 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84W-7-F | Diodes Incorporated | MOSFETs -50V 200mW | на замовлення 116680 шт: термін постачання 273-282 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84W-7-F | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 795 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84W-7-F-50 | Diodes Zetex | Trans MOSFET P-CH 50V 0.13A 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84W-F2-0000HF | YY | P-MOSFET; 60V; 20V; 9,9Ohm; 170mA; 150mW; -55°C ~ 150°C; BSS84W-F2-0000HF; BSS84W TBSS84W YY кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 2165 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84W-G | Comchip Technology | Description: MOSFET P-CH 50V 0.13A SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10Ohm @ 100mA, 5V Power Dissipation (Max): 200mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84W-G | Comchip Technology | MOSFETs 50V 0.2A SOT-323 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84W-R1-00001 | Panjit | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84W-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84W-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET P-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84WAHZGT106 | Rohm Semiconductor | Description: PCH -60V -0.21A, SOT-323, SMALL Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 210mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: UMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84WAHZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 0.21A 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84WAHZGT106 | ROHM Semiconductor | MOSFETs SOT323 P-CH 60V .21A | на замовлення 4622 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84WAHZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 0.21A 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 22 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84WAHZGT106 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; -60V; -210mA; 300mW Type of transistor: P-MOSFET Drain-source voltage: -60V Drain current: -210mA Power dissipation: 0.3W Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 5.3Ω Mounting: SMD Kind of channel: enhancement | на замовлення 2375 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84WAHZGT106 | ROHM | Description: ROHM - BSS84WAHZGT106 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 210 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm | на замовлення 775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84WAHZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 0.21A 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 160 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84WAHZGT106 | Rohm Semiconductor | Description: PCH -60V -0.21A, SOT-323, SMALL Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 210mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 210mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: UMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 34 pF @ 30 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 7016 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84WAHZGT106 | ROHM | Description: ROHM - BSS84WAHZGT106 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 210 mA, 2.8 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2.8ohm | на замовлення 775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84WAHZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 0.21A 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 2375 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84WHE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: P-CHANNEL MOSFET,SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84WHE3-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET P-CH 60V 0.2A Automotive 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84WHE3-TP | Micro Commercial Components | Trans MOSFET P-CH 60V 0.2A 3-Pin SOT-323 Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84WHE3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | MOSFETs P-CHANNEL MOSFET,SOT-323 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84WHE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: P-CHANNEL MOSFET,SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 150mA, 10V Power Dissipation (Max): 300mW (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2333 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84WQ-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS84WQ-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 164 mA, 3.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 164mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84WQ-7-F | Diodes Incorporated | MOSFETs P-Ch -50V Enh FET 10Ohm -5Vgs -130mA | на замовлення 48000 шт: термін постачання 329-338 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84WQ-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84WQ-7-F Код товару: 145068
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 3 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||
| BSS84WQ-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BSS84WQ-7-F - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 50 V, 164 mA, 3.1 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85411000 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 50V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 164mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 330mW Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.1ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84WQ-7-F | Diodes Incorporated | Description: MOSFET P-CH 50V 130MA SOT323 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84WT106 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 0.21A 3-Pin UMT T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84WT106 | Rohm Semiconductor | Description: PCH -60V -0.21A, SOT-323, SMALL | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84WT106 | ROHM | Description: ROHM - BSS84WT106 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 210 mA, 5.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm | на замовлення 288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84WT106 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 0.21A 3-Pin UMT T/R | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84WT106 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 0.21A 3-Pin UMT T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84WT106 | Rohm Semiconductor | Description: PCH -60V -0.21A, SOT-323, SMALL | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84WT106 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 0.21A 3-Pin UMT T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84WT106 | ROHM | Description: ROHM - BSS84WT106 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 210 mA, 5.3 ohm, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 210mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm | на замовлення 288 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 288 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84WT106 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 0.21A 3-Pin UMT T/R | на замовлення 746 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 736 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84WT106 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Pch -60V -0.21A, SOT-323, Small Signal MOSFET | на замовлення 4049 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84XHZGG2CR | ROHM | Description: ROHM - BSS84XHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 5.3 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1010 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84XHZGG2CR | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-W T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84XHZGG2CR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W | на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84XHZGG2CR | ROHM | Description: ROHM - BSS84XHZGG2CR - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 230 mA, 5.3 ohm, DFN1010, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 230mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung Pd: 1W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 1W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN1010 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: p-Kanal usEccn: EAR99 Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8ohm Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5.3ohm | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84XHZGG2CR | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 0.23A Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN-W T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BSS84XHZGG2CR | ROHM Semiconductor | MOSFETs MOSFET Pch -60V -0.23A, DriveVoltage:-4.5 DFN10103W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BSS84XHZGG2CR | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET P-CH 60V 230MA DFN1010-3W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 8000 шт В кошику од. на суму грн. |