Продукція > IS4
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IS43DR16640B-25DBLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 1G PARALLEL 84WBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR16640B-25DBLI-TR | ISSI | DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 64Mx16, 400Mhz @ CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS, IT, T&R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR16640B-25EBLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA Packaging: Tray Package / Case: 84-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Technology: SDRAM - DDR2 Clock Frequency: 400 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 84-TWBGA (8x12.5) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 450 ps Memory Organization: 64M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR16640B-25EBLI | ISSI | DRAM 1G (64Mx16) 400MHz 1.8v DDR2 SDRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR16640B-25EBLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 84-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Technology: SDRAM - DDR2 Clock Frequency: 400 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 84-TWBGA (8x12.5) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 450 ps Memory Organization: 64M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR16640B-3DBI | ISSI | DRAM 1G (64Mx16) 333MHz DDR2 1.8v | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR16640B-3DBI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR2 1GB 333MHZ 84BGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 209 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR16640B-3DBI-TR | ISSI | DRAM 1G (64Mx16) 333MHz DDR2 1.8v | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR16640B-3DBI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR2 1GB 333MHZ 84BGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR16640B-3DBL | ISSI | DRAM 1G (64Mx16) 333MHz 1.8v DDR2 SDRAM | на замовлення 229 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR16640B-3DBL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 64M x 16 Access Time: 450 ps Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Supplier Device Package: 84-TWBGA (8x12.5) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 333 MHz Technology: SDRAM - DDR2 Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 1Gbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 84-TFBGA Packaging: Tray | на замовлення 170 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS43DR16640B-3DBL | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI | Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43DR16640B-3DBL - DRAM, 333MHZ, 1GBIT, TWBGA-84 tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR2 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Surface Mount hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Speicherdichte: 1Gbit Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 333MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) Anzahl der Pins: 84Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicherkonfiguration: 64M x 16bit directShipCharge: 25 | на замовлення 209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS43DR16640B-3DBL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR2 1GB 333MHZ 84BGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR16640B-3DBL-TR | ISSI | DRAM 1G (64Mx16) 333MHz DDR2 1.8v | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR16640B-3DBLI | ISSI | DRAM 1G (64Mx16) 333MHz 1.8v DDR2 SDRAM | на замовлення 4237 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR16640B-3DBLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 64M x 16 Access Time: 450 ps Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Supplier Device Package: 84-TWBGA (8x12.5) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 333 MHz Technology: SDRAM - DDR2 Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 1Gbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 84-TFBGA Packaging: Tray | на замовлення 526 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS43DR16640B-3DBLI-TR | ISSI | DRAM 1G (64Mx16) 333MHz DDR2 1.8v | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR16640B-3DBLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR2 1GB 333MHZ 84BGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR16640C-25DBL | INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) | Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43DR16640C-25DBL - DRAM, 64M x 16 Bit, WBGA-84 DRAM-Ausführung: DDR2 Bauform - Speicherbaustein: WBGA DRAM-Dichte: 1 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 1.8 IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: 0 Taktfrequenz: 400 Seitengröße: - Anzahl der Pins: 84 Produktpalette: IS43DR Betriebstemperatur, max.: 85 Speicherkonfiguration DRAM: 64M x 16 bit SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR16640C-25DBL | ISSI | DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz, 64Mx16 | на замовлення 1896 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR16640C-25DBL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA Packaging: Tray Package / Case: 84-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Technology: SDRAM - DDR2 Clock Frequency: 400 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 84-TWBGA (8x12.5) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 400 ps Memory Organization: 64M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 1450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS43DR16640C-25DBL-TR | ISSI | DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz, 64Mx16 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR16640C-25DBLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA Memory Format: DRAM Clock Frequency: 400 MHz Technology: SDRAM - DDR2 Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 1Gbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 84-TFBGA Packaging: Tray DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 64M x 16 Access Time: 400 ps Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Part Status: Active Supplier Device Package: 84-TWBGA (8x12.5) | на замовлення 843 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS43DR16640C-25DBLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) | Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION (ISSI) - IS43DR16640C-25DBLI - DRAM, 64M x 16 Bit, WBGA-84 DRAM-Ausführung: DDR2 Bauform - Speicherbaustein: WBGA DRAM-Dichte: 1 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Zugriffszeit: - Versorgungsspannung, nom.: 1.8 IC-Schnittstelle: - Betriebstemperatur, min.: -40 Taktfrequenz: 400 Seitengröße: - Anzahl der Pins: 84 Produktpalette: IS43DR Betriebstemperatur, max.: 85 Speicherkonfiguration DRAM: 64M x 16 bit SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR16640C-25DBLI | ISSI | DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz, 64Mx16, IT | на замовлення 411 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR16640C-25DBLI-TR | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI | Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43DR16640C-25DBLI-TR - DRAM, 64M x 16 Bit, 400ps, parallele Schnittstelle, BGA-84 tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: DDR2 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 1Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 400MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 84Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | на замовлення 1296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS43DR16640C-25DBLI-TR | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI | Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43DR16640C-25DBLI-TR - DRAM, 64M x 16 Bit, 400ps, parallele Schnittstelle, BGA-84 tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: DDR2 rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 1Gbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 400MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 84Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 16 Bit SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) | на замовлення 1296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS43DR16640C-25DBLI-TR | ISSI | DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz, 64Mx16, IT | на замовлення 924 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR16640C-3DBI | ISSI | DRAM 1G 64Mx16 333MHz DDR2 1.8V | на замовлення 194 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR16640C-3DBI-TR | ISSI | DRAM 1G 64Mx16 333MHz DDR2 1.8V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR16640C-3DBL | ISSI | DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 333MHz,64Mx16 | на замовлення 1929 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR16640C-3DBL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 64M x 16 Access Time: 450 ps Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Supplier Device Package: 84-TWBGA (8x12.5) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 333 MHz Technology: SDRAM - DDR2 Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC) Memory Type: Volatile Memory Size: 1Gbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 84-TFBGA Packaging: Tray | на замовлення 1192 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS43DR16640C-3DBL-TR | ISSI | DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 333MHz,64Mx16 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR16640C-3DBLI | ISSI | DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 333MHz,64Mx16, IT | на замовлення 321 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR16640C-3DBLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84TWBGA Packaging: Tray Package / Case: 84-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Technology: SDRAM - DDR2 Clock Frequency: 333 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 84-TWBGA (8x12.5) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 450 ps Memory Organization: 64M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS43DR16640C-3DBLI | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI | Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43DR16640C-3DBLI - DRAM, 333MHZ, 1GBIT, WBGA-84 tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR2 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Surface Mount hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: WBGA Speicherdichte: 1Gbit Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 333MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) Anzahl der Pins: 84Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 64M x 16bit directShipCharge: 25 | на замовлення 209 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS43DR16640C-3DBLI-TR | ISSI | DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 333MHz,64Mx16, IT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR16640D-25DBL | ISSI | 1G, 1.8V, DDR2, 64Mx16, 400Mhz @ CL5, 84 ball BGA (8mmx12.5mm) RoHS | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR32160C-3DBL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IS43DR32160C - 16MX32, 512MB DDR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 57 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR32801A-5BBL | ISSI | DRAM 256M (8Mx32) 200MHz DDR2 1.8v | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR81280A-3DBLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR2 SDRAM 1GBIT 60TWBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 190 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR81280B-25DBL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR2 1GB 400MHZ 60BGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 242 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR81280B-25DBL | ISSI | DRAM 1G (128Mx8) 400MHz 1.8v DDR2 SDRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR81280B-25DBL-TR | ISSI | DRAM 1G (128Mx8) 400MHz DDR2 1.8v | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR81280B-25DBL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR2 1GB 400MHZ 60BGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR81280B-25DBLI | ISSI | DRAM 1G (128Mx8) 400MHz 1.8v DDR2 SDRAM | на замовлення 173 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR81280B-25DBLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR2 1GB 400MHZ 60BGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 242 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR81280B-25DBLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR2 1GB 400MHZ 60BGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR81280B-25DBLI-TR | ISSI | DRAM 1G (128Mx8) 400MHz DDR2 1.8v | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR81280B-3DBL | ISSI | DRAM 1G (128Mx8) 333MHz 1.8v DDR2 SDRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR81280B-3DBL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 128M x 8 Access Time: 450 ps Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 333 MHz Technology: SDRAM - DDR2 Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 1Gbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 60-TFBGA Packaging: Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 242 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR81280B-3DBL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 128M x 8 Access Time: 450 ps Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 333 MHz Technology: SDRAM - DDR2 Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 1Gbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 60-TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR81280B-3DBL-TR | ISSI | DRAM 1G (128Mx8) 333MHz DDR2 1.8v | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR81280B-3DBLI | ISSI | DRAM 1G (128Mx8) 333MHz 1.8v DDR2 SDRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR81280B-3DBLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 1Gbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 60-TFBGA Packaging: Tray DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 128M x 8 Access Time: 450 ps Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 333 MHz Technology: SDRAM - DDR2 Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 242 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR81280B-3DBLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 128M x 8 Access Time: 450 ps Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 333 MHz Technology: SDRAM - DDR2 Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 1Gbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 60-TFBGA Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR81280B-3DBLI-TR | ISSI | DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 333Mhz a.CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, IT, T&R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR81280C-25DBL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 60-TFBGA Packaging: Tray Memory Organization: 128M x 8 Access Time: 400 ps Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Part Status: Active Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 400 MHz Technology: SDRAM - DDR2 Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC) Memory Type: Volatile Memory Size: 1Gbit DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 464 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS43DR81280C-25DBL | ISSI | DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz,128Mx8 | на замовлення 34 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR81280C-25DBL | ISSI | Динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM DDR2, Uживл, В = 1,7...1,9, Об'єм RAM = 1 Гбіт, Орг. пам. = 128М х 8, Тдост/Частота = 15 нс, Тексп, °C = 0...+85, Тип інтерф. = Паралельний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TFBGA-60 Од. вим: шт кількість в упаковці: 242 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 242 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR81280C-25DBL-TR | ISSI | DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz,128Mx8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR81280C-25DBLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA Memory Organization: 128M x 8 Access Time: 400 ps Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Part Status: Active Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 400 MHz Technology: SDRAM - DDR2 Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 1Gbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 60-TFBGA Packaging: Tray DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS43DR81280C-25DBLI | ISSI | DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 400MHz,128Mx8, IT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR81280C-25DBLI-TR | ISSI | DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 400Mhz @CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, IT, T&R | на замовлення 2150 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR81280C-3DBL | ISSI | DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 333MHz,128Mx8 | на замовлення 229 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR81280C-3DBL-TR | ISSI | DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 333MHz,128Mx8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR81280C-3DBLI | ISSI | DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 333MHz,128Mx8, IT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR81280C-3DBLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 128M x 8 Access Time: 450 ps Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 333 MHz Technology: SDRAM - DDR2 Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 1Gbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 60-TFBGA Packaging: Tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR81280C-3DBLI-TR | ISSI | DRAM DDR2,1G,1.8V, RoHs 333MHz,128Mx8, IT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR81280D-25DBLI | ISSI | DRAM 1G, 1.8V, DDR2, 128Mx8, 400Mhz a.CL5, 60 ball BGA, (8mmx 10.5mm), RoHS, IT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR82560B-3DBLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IIC DDR2 2G 333MHZ 60BGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR82560C-25DBL | INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI | Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43DR82560C-25DBL - DRAM, 400MHZ, 2GBIT, BGA-60 tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: DDR2 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Surface Mount hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: BGA Speicherdichte: 2Gbit Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 400MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C SVHC: No SVHC (16-Jul-2019) Anzahl der Pins: 60Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 256M x 8bit directShipCharge: 25 | на замовлення 218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS43DR82560C-25DBL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA Packaging: Tray Package / Case: 60-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Technology: SDRAM - DDR2 Clock Frequency: 400 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 400 ps Memory Organization: 256M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR82560C-25DBL | ISSI | DRAM 2G 256Mx8 400MHz DDR2 1.8V | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR82560C-25DBL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 60-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Technology: SDRAM - DDR2 Clock Frequency: 400 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 400 ps Memory Organization: 256M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR82560C-25DBL-TR | ISSI | DRAM 2G 256Mx8 400MHz DDR2 1.8V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR82560C-25DBLI | ISSI | DRAM 2G 256Mx8 400MHz DDR2 1.8V | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR82560C-25DBLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA Packaging: Tray Package / Case: 60-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Technology: SDRAM - DDR2 Clock Frequency: 400 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 400 ps Memory Organization: 256M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 242 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| IS43DR82560C-25DBLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 60-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Technology: SDRAM - DDR2 Clock Frequency: 400 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 400 ps Memory Organization: 256M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR82560C-25DBLI-TR | ISSI | DRAM 2G, 1.8V, DDR2, 256Mx8, 400Mhz @ CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, IT, T&R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR82560C-3DBL | ISSI | DRAM 2G 256Mx8 333MHz DDR2 1.8V | на замовлення 242 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR82560C-3DBL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA Packaging: Tray Package / Case: 60-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Technology: SDRAM - DDR2 Clock Frequency: 333 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5) Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 450 ps Memory Organization: 256M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 242 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR82560C-3DBL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 60-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Technology: SDRAM - DDR2 Clock Frequency: 333 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 450 ps Memory Organization: 256M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR82560C-3DBL-TR | ISSI | DRAM 2G 256Mx8 333MHz DDR2 1.8V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR82560C-3DBLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA DigiKey Programmable: Not Verified Memory Organization: 256M x 8 Access Time: 450 ps Memory Interface: Parallel Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5) Memory Format: DRAM Clock Frequency: 333 MHz Technology: SDRAM - DDR2 Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Memory Type: Volatile Memory Size: 2Gbit Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 60-TFBGA Packaging: Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 242 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR82560C-3DBLI | ISSI | DRAM 2G 256Mx8 333MHz DDR2 1.8V | на замовлення 181 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR82560C-3DBLI-TR | ISSI | DRAM 2G 256Mx8 333MHz DDR2 1.8V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR82560C-3DBLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DRAM 2GBIT PARALLEL 60TWBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 60-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 2Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Technology: SDRAM - DDR2 Clock Frequency: 333 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 450 ps Memory Organization: 256M x 8 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR83200A-37CBI-TR | ISSI | DRAM 256M, 1.8V, DDR2, 32Mx8, 267Mhz @ CL4, 60 ball BGA (8mmx10.5mm), IT, T&R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR83200A-37CBLI | ISSI | DRAM 256M, 1.8V, 266Mhz 32Mx8 DDR2 DRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR83200A-3DBLI | ISSI | DRAM 256M (32Mx8) 333MHz DDR2 1.8v | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR86400C-25DBL | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR2 512M 400MHZ 60BGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 242 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR86400C-25DBL | ISSI | DRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 64Mx8 DDR2 SDRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR86400C-25DBL-TR | ISSI | DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 64Mx8, 400Mhz a. CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, T&R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR86400C-25DBL-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR2 512M 400MHZ 60BGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR86400C-25DBLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR2 512M 400MHZ 60BGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 242 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR86400C-25DBLI | ISSI | DRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 64Mx8 DDR2 SDRAM | на замовлення 146 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR86400C-25DBLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR2 512M 400MHZ 60BGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR86400C-25DBLI-TR | ISSI | DRAM 512M, 1.8V, 400Mhz 64Mx8 DDR2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| IS43DR86400C-3DBI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc | Description: IC DDR2 512M 333MHZ 60BGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 242 шт В кошику од. на суму грн. |

