Продукція > RF1

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RF1K4909396ONSEMIDescription: ONSEMI - RF1K4909396 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 583 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K4909396HARRISRF1K4909396
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+85.62 грн
500+77.07 грн
1000+71.08 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K4909396Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2P-CH 12V 2.5A 8SOIC
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24nC @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2.5A, 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 775pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 12V
Power - Max: 2W (Ta)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 1942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
330+62.37 грн
Мінімальне замовлення: 330 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K4909396ON SemiconductorRF1K4909396
на замовлення 1917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
413+85.62 грн
500+77.07 грн
1000+71.08 грн
Мінімальне замовлення: 413 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K4915496Fairchild SemiconductorDescription: MOSFET 2N-CH 60V 2A 8SOIC
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 340pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 130mOhm @ 2A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
398+54.64 грн
Мінімальне замовлення: 398 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K4915496ONSEMIDescription: ONSEMI - RF1K4915496 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K49156ONSEMIDescription: ONSEMI - RF1K49156 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 465 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K49156Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.3A, 5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
на замовлення 1660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
386+54.91 грн
Мінімальне замовлення: 386 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K49156-L52907+
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K4915696Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.3A, 5V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
365+59.74 грн
Мінімальне замовлення: 365 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K4915696ONSEMIDescription: ONSEMI - RF1K4915696 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 439 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K49157ONSEMIDescription: ONSEMI - RF1K49157 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 713 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K49157Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 20 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
642+36.84 грн
Мінімальне замовлення: 642 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K49157-L52307+
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K49157-L53007+
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K49157-L53707+
на замовлення 18 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K4915796ONSEMIDescription: ONSEMI - RF1K4915796 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: NO
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: NO
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 439 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K4915796Fairchild SemiconductorDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 6.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1575 pF @ 25 V
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
365+59.34 грн
Мінімальне замовлення: 365 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K4917
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K49211Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-SOIC
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Packaging: Bulk
на замовлення 1588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
825+28.22 грн
Мінімальне замовлення: 825 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K4921196RFMDSOP8
на замовлення 1690 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K49221INTERSIL93+ SOP8P
на замовлення 450 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K49223Harris CorporationDescription: DUAL P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A
Supplier Device Package: 8-SOIC
Part Status: Active
на замовлення 37842 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
381+61.92 грн
Мінімальне замовлення: 381 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K4922396FAIRCHILD07+ SO-8
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K49224INTERSIL93+ SOP8P
на замовлення 950 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K76121SK8
на замовлення 241 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1K7650S
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1MP
на замовлення 933 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1R
на замовлення 389 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S0CA2K70JOhmiteThick Film Resistors - SMD 2.7K Ohm 5% 1W SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S15N06Harris CorporationDescription: MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
356+57.57 грн
Мінімальне замовлення: 356 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S15N06SMHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 4894 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
404+50.72 грн
Мінімальне замовлення: 404 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S15N08LHarris CorporationDescription: LOGIC LEVEL GATE (5V) DEVICE
Supplier Device Package: TO-263AB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
460+45.76 грн
Мінімальне замовлення: 460 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S17N06LHarris CorporationDescription: DISCRETE ,LOGIC LEVEL GATE (5V),
на замовлення 4370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
451+50.65 грн
Мінімальне замовлення: 451 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S17N06LHARRISRF1S17N06L
на замовлення 4370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
355+99.66 грн
500+89.70 грн
1000+82.72 грн
Мінімальне замовлення: 355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S17N06LSMHarris CorporationDescription: LOGIC LEVEL GATE (5V) DEVICE
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
498+45.36 грн
Мінімальне замовлення: 498 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S22N10Harris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
342+65.29 грн
Мінімальне замовлення: 342 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S22N10SMHARRISRF1S22N10SM
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+108.99 грн
500+98.09 грн
1000+90.46 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S22N10SMonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S22N10SMHARRISRF1S22N10SM
на замовлення 1543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
325+108.99 грн
500+98.09 грн
1000+90.46 грн
Мінімальне замовлення: 325 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S22N10SMHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263AB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 3853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
381+58.61 грн
Мінімальне замовлення: 381 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S22N10SM9Aonsemi / FairchildMOSFET 100V Single
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S23N06LEHarris CorporationDescription: 23A, 60V, 0.065OHM, N-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 23A, 5V
Power Dissipation (Max): 75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 850 pF @ 25 V
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
288+68.81 грн
Мінімальне замовлення: 288 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S23N06LESMHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 5549 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
319+62.19 грн
Мінімальне замовлення: 319 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S23N06LESM9AHARRISRF1S23N06LESM9A
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
373+94.98 грн
500+85.47 грн
Мінімальне замовлення: 373 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S23N06LESM9AHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+66.82 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S25N06Harris CorporationDescription: 25A, 60V, 0.047 OHM, N-CHANNEL P
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 47mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 975 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S25N06
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S25N06SMHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
на замовлення 3005 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
313+70.77 грн
Мінімальне замовлення: 313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S25N06SM9AHARRISRF1S25N06SM9A
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
373+94.98 грн
500+85.47 грн
1000+78.83 грн
Мінімальне замовлення: 373 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S25N06SM9AHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
298+74.44 грн
Мінімальне замовлення: 298 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S25N06SM9AHARRISRF1S25N06SM9A
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
373+94.98 грн
500+85.47 грн
Мінімальне замовлення: 373 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S25N06SMR4643HARRISRF1S25N06SMR4643
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+90.29 грн
500+81.27 грн
1000+74.95 грн
Мінімальне замовлення: 392 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S25N06SMR4643Harris CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 25A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
313+70.77 грн
Мінімальне замовлення: 313 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S25N06SMR4643HARRISRF1S25N06SMR4643
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
392+90.29 грн
500+81.27 грн
Мінімальне замовлення: 392 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30N06LEHarris CorporationDescription: MOSFET N-CH 60V 30A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1667 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
260+79.50 грн
Мінімальне замовлення: 260 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30N06LESMonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30N06LESM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30N06LESM9AHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30N06LESM9Aonsemi / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30N06LESM9A
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30N06LESMR4365
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30P05HARRISRF1S30P05
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
292+121.40 грн
500+109.32 грн
1000+100.81 грн
Мінімальне замовлення: 292 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30P05Harris CorporationDescription: MOSFET P-CH 50V 30A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1040 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
281+72.05 грн
Мінімальне замовлення: 281 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30P05SM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30P06Harris CorporationDescription: 30A, 60V, 0.065OHM, P-CHANNEL,
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30P06
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30P06SMHarris CorporationDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30P06SMHARRISRF1S30P06SM
на замовлення 375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
156+227.47 грн
Мінімальне замовлення: 156 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S30P06SM9AHarris CorporationDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S40N10
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S40N10LEHarris CorporationDescription: MOSFET N-CH 100V 40A
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
186+108.04 грн
Мінімальне замовлення: 186 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S40N10LEHARRISRF1S40N10LE
на замовлення 638 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.97 грн
500+136.72 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S40N10LEHARRISRF1S40N10LE
на замовлення 730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
244+144.97 грн
500+136.72 грн
Мінімальне замовлення: 244 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S40N10LESM
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S40N10SM
Код товару: 129177
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S40N10SMON Semiconductor / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S40N10SMHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 1375 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+109.38 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S40N10SM9AON Semiconductor / FairchildMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S41N03LSM
на замовлення 6500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S42N03
на замовлення 2344 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S42N03LHarris CorporationDescription: 42A, 30V, 0.025 OHMS, N-CHANNEL
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
400+60.48 грн
Мінімальне замовлення: 400 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S42N03LHARRISRF1S42N03L
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
295+120.22 грн
Мінімальне замовлення: 295 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S42N03LSM
на замовлення 6400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S42N03LSM9A
на замовлення 803 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N02LHARRISRF1S45N02L
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
455+77.85 грн
505+70.06 грн
Мінімальне замовлення: 455 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N02LHarris CorporationDescription: 45A, 20V, 0.022OHM, N-CHANNEL LO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 45A, 5V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-262 (I2PAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 15 V
на замовлення 999 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
363+56.89 грн
Мінімальне замовлення: 363 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N02LSMHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A
Supplier Device Package: TO-263AB
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
404+50.72 грн
Мінімальне замовлення: 404 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N02LSM9AHARRISRF1S45N02LSM9A
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
494+71.61 грн
549+64.45 грн
Мінімальне замовлення: 494 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N02LSM9AHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
395+52.09 грн
Мінімальне замовлення: 395 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N02LSM9AHARRISRF1S45N02LSM9A
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
494+71.61 грн
549+64.45 грн
Мінімальне замовлення: 494 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N02LSM9AHARRISRF1S45N02LSM9A
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
494+71.61 грн
549+64.45 грн
Мінімальне замовлення: 494 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N03LHARRISRF1S45N03L
на замовлення 286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+124.93 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N03LHarris CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: I2PAK (TO-262)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 45A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 45A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Packaging: Bulk
на замовлення 770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
333+67.53 грн
Мінімальне замовлення: 333 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N03LHARRISRF1S45N03L
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
284+124.93 грн
Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N03LS
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N03LSM
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N03LSM9AHARRIS98+ ZIP
на замовлення 800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N03LSNM9A
на замовлення 13600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RF1S45N06LEHARRISRF1S45N06LE
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
264+134.36 грн
500+120.22 грн
1000+111.13 грн
Мінімальне замовлення: 264 шт
В кошику  од. на суму  грн.