Продукція > 2SA
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SA1820 | на замовлення 17400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA1824S-AY | Sanyo | Description: PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 No Tab Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: FLP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA1824S-AY | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SA1824S-AY - 2SA1824S-AY, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1824S-AY-ON | onsemi | Description: PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 No Tab Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: FLP Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 1.5 W | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA1825Z | SANYO | TO-220F | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1826S-AY | onsemi | Description: BIP PNP 3A 100V Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA1826S-AY | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SA1826S-AY - 2SA1826S-AY, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1827S-AY | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 4A FLP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-220-3 No Tab Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 180MHz Supplier Device Package: FLP Current - Collector (Ic) (Max): 4 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1.5 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA183 | NEC | CAN | на замовлення 918 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1831 | SANYO | TO-220F | на замовлення 850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1832-GR | TOSHIBA | 09+ | на замовлення 60018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1832-GR LXHF | Toshiba | SOT416 50V PNP BIPOLAR TRAN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1832-GR(TE85L,F | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 100mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SSM T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA1832-GR,LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp | на замовлення 31175 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1832-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 0.15A SSM Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SSM Frequency - Transition: 80MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Operating Temperature: 125°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA1832-GR,LF | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 120mW 3-Pin SSM T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1832-GR,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 0.15A SSM Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SSM Frequency - Transition: 80MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Operating Temperature: 125°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA1832-GR,LF(B | Toshiba | Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process) | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA1832-GR,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SA1832-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 120 mW, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 120mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1832-GR,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 100mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SSM T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1352 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1832-GR,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SA1832-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 120 mW, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung: 120mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1832-GR,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 100mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SSM T/R | на замовлення 2938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1214 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1832-GR,LXHF | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 100mW T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1832-GR,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 0.15A SSM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: SSM Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 120 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA1832-GR,LXHF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-416 (SSM) | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1832-GR,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 0.15A SSM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V Frequency - Transition: 80MHz Supplier Device Package: SSM Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 120 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA1832-GR,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SA1832-GR,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 100 mW, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 125°C | на замовлення 2534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1832-GR,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SA1832-GR,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 100 mW, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 125°C | на замовлення 2534 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1832-GR-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1832-Y | TOSHIBA | SOT323 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1832-Y SOT416-SY | TOSHIBA | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2SA1832-Y LXHF | Toshiba | SOT416 50V PNP BIPOLAR TRAN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1832-Y TE85L,F | TOSHIBA | SOT23 | на замовлення 2690 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1832-Y(TE85L,F) | TOSHIBA | SOT23/SOT323 | на замовлення 1795 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1832-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 0.15A SSM Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SSM Frequency - Transition: 80MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Operating Temperature: 125°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 5470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA1832-Y,LF | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 120mW 3-Pin SSM T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1832-Y,LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp | на замовлення 11562 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1832-Y,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 0.15A SSM Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SSM Frequency - Transition: 80MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Operating Temperature: 125°C (TJ) Transistor Type: PNP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1832-Y,LF | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 120mW 3-Pin SSM T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1832-Y,LF(B | Toshiba | 2SA1832-Y,LF(B | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1832-Y,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SA1832-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 120 mW, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 120mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1832-Y,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 100mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SSM T/R | на замовлення 991 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 463 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1832-Y,LF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SA1832-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 120 mW, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Verlustleistung: 120mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1832-Y,LXHF | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 100mW T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1832-Y,LXHF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-416 (SSM) | на замовлення 5880 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1832-Y,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 0.15A SSM Power - Max: 120 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SSM Frequency - Transition: 80MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 3681 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA1832-Y,LXHF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 0.15A SSM Power - Max: 120 mW Part Status: Active Supplier Device Package: SSM Frequency - Transition: 80MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Tape & Reel (TR) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA1832-Y,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SA1832-Y,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 100 mW, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1832-Y,LXHF(T | TOSHIBA | Description: TOSHIBA - 2SA1832-Y,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 100 mW, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Verlustleistung: 100mW SVHC: To Be Advised Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 150mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 80MHz Betriebstemperatur, max.: 125°C | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1832-Y-AP | Micro Commercial Co | Description: TRANS PNP 50V 0.15A SOT523 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1832F-GR | TOSHIBA | 06+ SOT-523 | на замовлення 48000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1832F-Y | TOSHIBA | SOT423 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1832F-Y/SY | TOSHIBA | 09+ | на замовлення 7818 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1832FT-GR | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA1832FV | TOSHIBA | SOT-490 | на замовлення 44000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1832FV/SG | TOSHIBA | 09+ | на замовлення 8018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1832Y(TE85L,F) | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 0.15A 100mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SSM T/R | на замовлення 2145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA1833 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA1834 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1834 | ROHM | SOT252 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1834RTL | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA1834STL | на замовлення 50000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA1834TL | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1834TLR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 20V 10A CPT3 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: CPT3 Frequency - Transition: 150MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Cut Tape (CT) Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 4A | на замовлення 656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA1834TLR | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 20V 10A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R | на замовлення 2670 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA1834TLR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 20V 10A CPT3 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Part Status: Not For New Designs Supplier Device Package: CPT3 Frequency - Transition: 150MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 4A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1834TLR | ROHM | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2SA1834TLR | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 20V 10A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R | на замовлення 1327 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA1834TLR | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 20V 10A | на замовлення 2101 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1834TLS | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP 20V 10A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1834TLS | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 20V 10A CPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 4A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 500mA, 2V Frequency - Transition: 150MHz Supplier Device Package: CPT3 Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1836-T1 | NEC | SOT-523 | на замовлення 360000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1836-T1-A | Renesas | Description: 2SA1836-T1-A - PNP SILICON EPITA Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Bulk Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SC-75 Frequency - Transition: 180MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 6V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount | на замовлення 41976 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA1836/M6 | NEC | на замовлення 27300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2SA1837 | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT 220NIS1 PLS PLNN,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1837 | Toshiba | Транзистор PNP (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=70MHz, -55 to +150C), комплементарный тип 2SC4793.... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1837 Код товару: 27098
1
Додати до обраних
Обраний товар
| Toshiba | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: TO-220 Гранична частота fT, МГц: 70 МГц Напруга Uке, В: 230 В Напруга Uкб, В: 230 В Струм Iк, А: 1 А Коефіцієнт підсилення h21, max: 320 | у наявності: 96 шт
|
| ||||||||||||
| 2SA1837 | Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd. | Description: TRANS PNP -230V -1A To-220F Packaging: Tube Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 500mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 70MHz Supplier Device Package: TO-220F Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 2 W | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA1837 | Toshiba | Транзистор PNP (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=70MHz, -55 to +150C), комплементарный тип 2SC4793.... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1837 | Toshiba | TO-220FP-3, PNP, Ic=1.0A, Uce=230V, Ft=70MHz, hfe=320, -55...+150 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1837 | EVVO | Description: TRANS PNP 230V 1A TO-220F Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 40MHz Supplier Device Package: TO-220F Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 50 W | на замовлення 1579 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA1837 (F,M) | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1837 (M) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1837(F) | TOS | 08+; | на замовлення 3400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1837(F,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 230V 1A TO-220NIS Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 70MHz Supplier Device Package: TO-220NIS Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1837(F,M) | Toshiba | TO-220FP-3, PNP, Ic=1.0A, Uce=230V, Ft=70MHz, hfe=320, -55...+150 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1837(F,M) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT PNP - 230V -1A 20W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1837(F,M) | Toshiba | Транзистор PNP, Uceo, В = 230, Ic = 1 А, ft, МГц = 70, hFE = 100 @ 100 мA, 5 В, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,5 @ 50 мA, 500 мА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220-3 Full Pack Од. вим: ш кількість в упаковці: 50 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1837(LBSAN,F,M) | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1837(LBSAN,F,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 230V 1A TO-220NIS Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 70MHz Supplier Device Package: TO-220NIS Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1837(M) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT 220NIS1 PLS PLNN,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04), | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1837(M) | Toshiba | TO-220FP-3, PNP, Ic=1.0A, Uce=230V, Ft=70MHz, hfe=320, -55...+150 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1837(PAIO,F,M) | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 230V 1A TO-220NIS Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 70MHz Supplier Device Package: TO-220NIS Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1837(PAIO,F,M) | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1837(ROHS) | TOSHIBA | на замовлення 63700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2SA1837,F(J | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1837,F(J | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 230V 1A TO-220NIS Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 70MHz Supplier Device Package: TO-220NIS Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1837,HFEMBJF(J | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 230V 1A TO-220NIS Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 70MHz Supplier Device Package: TO-220NIS Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1837,HFEMBJF(J | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA1837,HFEYHF(J | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 230V 1A TO-220NIS Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 70MHz Supplier Device Package: TO-220NIS Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

