Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 42 48 54 60 65  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2SA1820
на замовлення 17400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1824S-AYSanyoDescription: PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 No Tab
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: FLP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+30.33 грн
Мінімальне замовлення: 683 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1824S-AYONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1824S-AY - 2SA1824S-AY, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1824S-AY-ONonsemiDescription: PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 No Tab
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 550mV @ 150mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 140 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 130MHz
Supplier Device Package: FLP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 5 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 1.5 W
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+30.33 грн
Мінімальне замовлення: 683 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1825ZSANYOTO-220F
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1826S-AYonsemiDescription: BIP PNP 3A 100V
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1025+19.99 грн
Мінімальне замовлення: 1025 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1826S-AYONSEMIDescription: ONSEMI - 2SA1826S-AY - 2SA1826S-AY, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1827S-AYonsemiDescription: TRANS PNP 100V 4A FLP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-220-3 No Tab
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 180MHz
Supplier Device Package: FLP
Current - Collector (Ic) (Max): 4 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V
Power - Max: 1.5 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA183NECCAN
на замовлення 918 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1831SANYOTO-220F
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-GRTOSHIBA09+
на замовлення 60018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-GR LXHFToshiba SOT416 50V PNP BIPOLAR TRAN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-GR(TE85L,FToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 100mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SSM T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1946+7.25 грн
2014+7.01 грн
2500+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 1946 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-GR,LFToshibaBipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
на замовлення 31175 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SSM
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SSM
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.50 грн
56+5.36 грн
100+3.63 грн
500+2.58 грн
1000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-GR,LFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 120mW 3-Pin SSM T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-GR,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SSM
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SSM
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-GR,LF(BToshibaTransistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT process)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4465+3.16 грн
4602+3.07 грн
5000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 4465 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-GR,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1832-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 120 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 120mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-GR,LF(TToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 100mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SSM T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1352 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-GR,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1832-GR,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 120 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 120mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-GR,LF(TToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 100mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SSM T/R
на замовлення 2938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 1214 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-GR,LXHFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 100mW T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-GR,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SSM
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 120 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.93 грн
6000+4.28 грн
9000+4.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-GR,LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:200-400 SOT-416 (SSM)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-GR,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 6V
Frequency - Transition: 80MHz
Supplier Device Package: SSM
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 120 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.20 грн
22+13.77 грн
100+8.63 грн
500+6.00 грн
1000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-GR,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1832-GR,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 100 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-GR,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1832-GR,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 100 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 2534 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-GR-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT PNP SILICON EPITAXIAL TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-YTOSHIBASOT323
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-Y SOT416-SYTOSHIBA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-Y LXHFToshiba SOT416 50V PNP BIPOLAR TRAN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-Y TE85L,FTOSHIBASOT23
на замовлення 2690 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-Y(TE85L,F)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 1795 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SSM
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SSM
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.50 грн
56+5.36 грн
100+3.63 грн
500+2.58 грн
1000+2.30 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-Y,LFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 120mW 3-Pin SSM T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-Y,LFToshibaBipolar Transistors - BJT Transistor for Low Freq Sm-Signal Amp
на замовлення 11562 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-Y,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SSM
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SSM
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 125°C (TJ)
Transistor Type: PNP
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-Y,LFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 120mW 3-Pin SSM T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-Y,LF(BToshiba2SA1832-Y,LF(B
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-Y,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1832-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 120 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Verlustleistung: 120mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-Y,LF(TToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 100mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SSM T/R
на замовлення 991 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 463 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-Y,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1832-Y,LF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 120 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Verlustleistung: 120mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-Y,LXHFToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 100mW T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-Y,LXHFToshibaBipolar Transistors - BJT AUTO AEC-Q PNP Tr VCEO:-50V Ic:-0.15A hFE:120-240 SOT-416 (SSM)
на замовлення 5880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-Y,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SSM
Power - Max: 120 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SSM
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 3681 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.20 грн
22+13.77 грн
100+8.63 грн
500+6.00 грн
1000+5.32 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-Y,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SSM
Power - Max: 120 mW
Part Status: Active
Supplier Device Package: SSM
Frequency - Transition: 80MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 150 mA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-Y,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1832-Y,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 100 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-Y,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SA1832-Y,LXHF(T - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 150 mA, 100 mW, SOT-416, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 150mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 80MHz
Betriebstemperatur, max.: 125°C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832-Y-APMicro Commercial CoDescription: TRANS PNP 50V 0.15A SOT523
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832F-GRTOSHIBA06+ SOT-523
на замовлення 48000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832F-YTOSHIBASOT423
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832F-Y/SYTOSHIBA09+
на замовлення 7818 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832FT-GR
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832FVTOSHIBASOT-490
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832FV/SGTOSHIBA09+
на замовлення 8018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1832Y(TE85L,F)ToshibaTrans GP BJT PNP 50V 0.15A 100mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SSM T/R
на замовлення 2145 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1684+8.38 грн
1741+8.11 грн
Мінімальне замовлення: 1684 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1833
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1834ROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1834ROHMSOT252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1834RTL
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1834STL
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1834TLROHM SemiconductorROHM Semiconductor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1834TLRRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 20V 10A CPT3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: CPT3
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 4A
на замовлення 656 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.75 грн
10+75.79 грн
100+53.50 грн
500+40.87 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1834TLRRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 10A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 2670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
293+48.22 грн
365+38.70 грн
371+38.10 грн
Мінімальне замовлення: 293 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1834TLRRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 20V 10A CPT3
Power - Max: 1 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: CPT3
Frequency - Transition: 150MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 4A
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1834TLRROHM
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1834TLRRohm SemiconductorTrans GP BJT PNP 20V 10A 1000mW 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 1327 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
308+45.94 грн
321+44.10 грн
500+42.51 грн
1000+39.64 грн
Мінімальне замовлення: 308 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1834TLRROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 20V 10A
на замовлення 2101 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1834TLSROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT PNP 20V 10A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1834TLSRohm SemiconductorDescription: TRANS PNP 20V 10A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 4A
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 270 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 150MHz
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 10 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 1 W
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1836-T1NECSOT-523
на замовлення 360000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1836-T1-ARenesasDescription: 2SA1836-T1-A - PNP SILICON EPITA
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Bulk
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SC-75
Frequency - Transition: 180MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 1mA, 6V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 10mA, 100mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: PNP
Mounting Type: Surface Mount
на замовлення 41976 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3286+6.20 грн
Мінімальне замовлення: 3286 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1836/M6NEC
на замовлення 27300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1837ToshibaBipolar Transistors - BJT 220NIS1 PLS PLNN,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(10-04)/OBSOLETE(10-07),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1837ToshibaТранзистор PNP (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=70MHz, -55 to +150C), комплементарный тип 2SC4793.... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1837
Код товару: 27098
1 Додати до обраних Обраний товар
ToshibaТранзистори > Біполярні PNP
Корпус: TO-220
Гранична частота fT, МГц: 70 МГц
Напруга Uке, В: 230 В
Напруга Uкб, В: 230 В
Струм Iк, А: 1 А
Коефіцієнт підсилення h21, max: 320
у наявності: 96 шт
  • 61 шт - склад
  • 5 шт - РАДІОМАГ-Київ
  • 10 шт - РАДІОМАГ-Львів
  • 6 шт - РАДІОМАГ-Харків
  • 14 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
1+24.00 грн
10+21.60 грн
100+19.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1837Guangdong Inmark Electronics Co., Ltd.Description: TRANS PNP -230V -1A To-220F
Packaging: Tube
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 4V @ 500mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: TO-220F
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+78.86 грн
10+51.22 грн
100+37.65 грн
500+29.16 грн
1000+27.02 грн
3000+24.64 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1837ToshibaТранзистор PNP (Uce=230V, Ic=1A, P=20W, B=100-320@I=100mA, f=70MHz, -55 to +150C), комплементарный тип 2SC4793.... Транзистори Корпус: TO-220 Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1837ToshibaTO-220FP-3, PNP, Ic=1.0A, Uce=230V, Ft=70MHz, hfe=320, -55...+150 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1837EVVODescription: TRANS PNP 230V 1A TO-220F
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 40MHz
Supplier Device Package: TO-220F
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 50 W
на замовлення 1579 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+149.22 грн
10+92.10 грн
100+62.63 грн
500+46.95 грн
1000+43.14 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1837 (F,M)ROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1837 (M)ToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1837(F)TOS08+;
на замовлення 3400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1837(F,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 230V 1A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1837(F,M)ToshibaTO-220FP-3, PNP, Ic=1.0A, Uce=230V, Ft=70MHz, hfe=320, -55...+150 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1837(F,M)ToshibaBipolar Transistors - BJT PNP - 230V -1A 20W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1837(F,M)ToshibaТранзистор PNP, Uceo, В = 230, Ic = 1 А, ft, МГц = 70, hFE = 100 @ 100 мA, 5 В, Icutoff-max = 1 мкА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 1,5 @ 50 мA, 500 мА, Р, Вт = 2, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = Вивідний,... Транзистори Корпус: TO-220-3 Full Pack Од. вим: ш
кількість в упаковці: 50 шт
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1837(LBSAN,F,M)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1837(LBSAN,F,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 230V 1A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1837(M)ToshibaBipolar Transistors - BJT 220NIS1 PLS PLNN,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-01)/OBSOLETE(09-04),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1837(M)ToshibaTO-220FP-3, PNP, Ic=1.0A, Uce=230V, Ft=70MHz, hfe=320, -55...+150 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1837(PAIO,F,M)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 230V 1A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1837(PAIO,F,M)ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1837(ROHS)TOSHIBA
на замовлення 63700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1837,F(JToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1837,F(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 230V 1A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1837,HFEMBJF(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 230V 1A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1837,HFEMBJF(JToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SA1837,HFEYHF(JToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PNP 230V 1A TO-220NIS
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V
Frequency - Transition: 70MHz
Supplier Device Package: TO-220NIS
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 230 V
Power - Max: 2 W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 42 48 54 60 65  Наступна Сторінка >> ]