Продукція > IS4

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 42 48 54 60 64  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
IS43LQ32256A-062BLIISSIDRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 8Gbit 256Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2197.90 грн
10+2028.18 грн
25+1937.66 грн
40+1674.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LQ32256A-062BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 8GBIT PARALLEL 200TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 1.6 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Memory Interface: Parallel
Memory Organization: 256M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 136 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3396.27 грн
10+3022.91 грн
25+2925.33 грн
50+2676.87 грн
136+2579.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LQ32256A-062BLIISSIDRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LQ32256A-062BLIISSIDRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 8Gbit 256Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+2197.90 грн
10+2028.18 грн
25+1937.66 грн
40+1674.79 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LQ32256A-062BLIISSIDRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 8Gbit 256Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1949.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LQ32256A-062BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 1.6 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: LVSTL
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 256M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LQ32256A-062BLI-TRISSIDRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LQ32256A-062BLI-TRISSIDRAM Chip Mobile LPDDR4 SDRAM 8Gbit 256Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LQ32256AL-062BLIISSIDRAM Chip Mobile LPDDR4X SDRAM 8Gbit 256Mx32 1.1V/1.8V 200-Pin TFBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LQ32256AL-062BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.
Packaging: Bulk
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 1.6 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: LVSTL
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 256M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LQ32256AL-062BLIISSIDRAM 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LQ32256AL-062BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 1.6 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: LVSTL
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 256M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LQ32256AL-062BLI-TRISSIDRAM 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LQ32256B-053BLIISSIDRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LQ32256B-053BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 8GBIT LVSTL 200VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 1.867 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-VFBGA (10x14.5)
Memory Interface: LVSTL
Memory Organization: 256M x 32
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1700.09 грн
10+1202.90 грн
25+1091.51 грн
80+923.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LQ32256B-053BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 1.866 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: LVSTL
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 256M x 32
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LQ32256B-053BLI-TRISSIDRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LQ32256B-062BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 8GBIT LVSTL 200VFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 200-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 1.6 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-VFBGA (10x14.5)
Memory Interface: LVSTL
Memory Organization: 256M x 32
на замовлення 147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2984.77 грн
10+2657.75 грн
25+2572.28 грн
50+2353.97 грн
100+2294.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LQ32256B-062BLIISSIDRAM 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LQ32256B-062BLIINTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSIDescription: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43LQ32256B-062BLI - DRAM, Mobile LPDDR4, 8 Gbit, 256M x 32 Bit, 1.6 GHz, FBGA, 200 Pin(s)
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: Mobile LPDDR4
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
IC-Gehäuse / Bauform: FBGA
Speicherdichte: 8Gbit
MSL: MSL 3 - 168 Stunden
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 1.6GHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 200Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 95°C
Speicherkonfiguration: 256M x 32 Bit
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
на замовлення 67 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1719.17 грн
5+1576.92 грн
10+1434.67 грн
25+1249.17 грн
50+1130.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LQ32256B-062BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 1.6 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: LVSTL
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 256M x 32
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LQ32256BL-053BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.
Packaging: Tray
Package / Case: 200-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 1.867 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-VFBGA (10x14.5)
Memory Interface: LVSTL
Memory Organization: 256M x 32
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LQ32256BL-053BLIISSIDRAM 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LQ32256BL-053BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 1.866 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: LVSTL
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 256M x 32
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LQ32256BL-062BLIISSIDRAM 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LQ32256BL-062BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.
Packaging: Tray
Package / Case: 200-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 1.6 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-VFBGA (10x14.5)
Memory Interface: LVSTL
Memory Organization: 256M x 32
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 136 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LQ32256BL-062BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 8Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4
Clock Frequency: 1.6 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: LVSTL
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 256M x 32
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LQ32256BL-062BLI-TRISSIDRAM 8G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 256Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LQ32512A-046BLIISSIDRAM 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LQ32512A-046BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR
Packaging: Tray
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: LVSTL
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 1G x 16
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LQ32512A-046BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 2.133 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: LVSTL
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 1G x 16
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LQ32512A-053BLIISSIDRAM 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 512Mx32, 1866MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LQ32512A-053BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR
Packaging: Tray
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 1.866 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: LVSTL
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 1G x 16
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5136.34 грн
5+4679.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LQ32512A-053BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 16G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 200-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 16Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 1.866 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-TFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: LVSTL
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 1G x 16
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LQ32640A-062BLIISSIDRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 64Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LQ32640AL-062BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 200-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 95°C (TC)
Voltage - Supply: 1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR4X
Clock Frequency: 1.6 GHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 200-VFBGA (10x14.5)
Write Cycle Time - Word, Page: 18ns
Memory Interface: LVSTL
Access Time: 3.5 ns
Memory Organization: 64M x 32
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LQ32640AL-062BLI-TRISSIDRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 64Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS, T&R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LQ32640AL-062TBLI-TRISSIDRAM 2G, 0.57-0.65V/1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4X, 64Mx32, 1600MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm, 1.1mm max thickness) RoHS, T&R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LQ32K01S2A-046BLIISSI 32G, 1.06-1.17/1.70-1.95V, LPDDR4, 1Gx32, 2133MHz, 200 ball BGA (10mmx14.5mm) RoHS
на замовлення 91 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16128B-5BLIISSIDRAM 2G, 18V, Mobile DDR, 128Mx16, 200Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16128B-5BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 2G, 1.8V, Mobile DDR, 128Mx16, 2
Packaging: Bulk
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 208 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 128M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16128B-5BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: 2G, 1.8V, Mobile DDR, 128Mx16, 2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 2Gbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 208 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5 ns
Memory Organization: 128M x 16
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16128B-5BLI-TRISSIDRAM 2G, 1.8V, Mobile DDR, 128Mx16, 200Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT, T&R
на замовлення 1158 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16128B-6BLIISSIDRAM 2G, 18V, Mobile DDR, 128Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16160F-6BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 256M 166MHZ 60TFBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16160F-6BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 256M 166MHZ 60TFBGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16160F-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 256M 166MHZ 60TFBGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16160F-6BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 256M 166MHZ 60TFBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16160G-6BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 16
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16160G-6BLISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA60
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 4Mx16bitx4
Clock frequency: 166MHz
Case: TFBGA60
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Access time: 6ns
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray; tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16160G-6BLISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16160G-6BLISSIDRAM 256M, 18V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx10mm) RoHS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16160G-6BL-TRISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16160G-6BL-TRISSIDRAM 256M, 18V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16160G-6BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 16
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16160G-6BL-TRISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA60
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 4Mx16bitx4
Clock frequency: 166MHz
Case: TFBGA60
Mounting: SMD
Operating temperature: 0...70°C
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Access time: 6ns
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16160G-6BLIISSIDRAM 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR SDRAM
на замовлення 215 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16160G-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 16
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16160G-6BLIISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16160G-6BLIISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA60
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 4Mx16bitx4
Clock frequency: 166MHz
Case: TFBGA60
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Access time: 6ns
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray; tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16160G-6BLIISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16160G-6BLI-TRISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16160G-6BLI-TRISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 166MHz; 6ns; TFBGA60
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Memory: 256Mb DRAM
Memory organisation: 4Mx16bitx4
Clock frequency: 166MHz
Case: TFBGA60
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Access time: 6ns
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16160G-6BLI-TRISSIDRAM 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16160G-6BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 256Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 16M x 16
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16160H-5BLIISSIDRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16160H-5BLIISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16160H-5BLI-TRISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16160H-5BLI-TRISSIDRAM 256M, 1.8V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT, T&R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16160H-6BLISSIDRAM 256M, 18V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx10mm) RoHS
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16160H-6BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 16M x 16
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16160H-6BL-TRISSIDRAM 256M, 18V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16160H-6BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 16M x 16
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16160H-6BLIISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16160H-6BLIISSIDRAM 256M, 18V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16160H-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
Packaging: Bulk
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 16M x 16
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16160H-6BLIISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16160H-6BLI-TRISSIDRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16160H-6BLI-TRISSIDRAM 256M, 18V, Mobile DDR, 16Mx16, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT, T&R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16160H-6BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 256MBIT PAR 60TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 256Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 16M x 16
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16200C-6BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
Memory Type: Volatile
Memory Size: 32Mbit
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 2M x 16
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16200C-6BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 2M x 16
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 32Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16200C-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tray
Memory Type: Volatile
Memory Size: 32Mbit
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 2M x 16
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16200C-6BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 32Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 2M x 16
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 12ns
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Memory Format: DRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16200D-6BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 2M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16200D-6BLISSIDRAM 32M, 1.8V, Mobile DDR, 2Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16200D-6BL-TRISSIDRAM 32M, 1.8V, Mobile DDR, 2Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, T&R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16200D-6BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 2M x 16
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 32Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16200D-6BLIISSIDRAM 32M, 1.8V, Mobile DDR, 2Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16200D-6BLIISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 32Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Clock Frequency: 166 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 5.5 ns
Memory Organization: 2M x 16
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16200D-6BLIISSICategory: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 32MbDRAM; 1Mx16bitx2; 166MHz; 6ns; TFBGA60
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: LPDDR; SDRAM
Memory: 32Mb DRAM
Memory organisation: 1Mx16bitx2
Clock frequency: 166MHz
Case: TFBGA60
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Supply voltage: 1.7...1.95V DC
Access time: 6ns
Kind of interface: parallel
Kind of package: in-tray; tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 240 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16200D-6BLI-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 32MBIT PARALLEL 60TFBGA
DigiKey Programmable: Not Verified
Memory Organization: 2M x 16
Access Time: 5.5 ns
Memory Interface: Parallel
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Part Status: Active
Supplier Device Package: 60-TFBGA (8x10)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM - Mobile LPDDR
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 32Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 60-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16200D-6BLI-TRISSIDRAM 32M, 1.8V, Mobile DDR, 2Mx16, 166Mhz, 60 ball BGA (8mmx10mm) RoHS, IT, T&R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16320B-6BLISSIDRAM 512M, 1.8V, 166Mhz 32Mx16 DDR Mobile
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16320B-6BLISSIDRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16320B-6BLISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DRAM 512MBIT PAR 60TFBGA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16320B-6BL-TRISSI, Integrated Silicon Solution IncDescription: IC DDR 512M 166MHZ 60BGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16320B-6BL-TRISSIDRAM 512M, 1.8V, 166Mhz 32Mx16 DDR Mobile
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16320B-6BLIISSIDRAM Chip DDR SDRAM 512Mbit 32Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IS43LR16320B-6BLIISSIDRAM 512M, 1.8V, 166Mhz 32Mx16 DDR Mobile
на замовлення 248 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 6 12 18 24 29 30 31 32 33 34 35 36 37 38 39 42 48 54 60 64  [ Наступна Сторінка >> ]