Продукція > JAN
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| JANTXV2N5153U3/TR | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 80V 2A U3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: U3 Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1.16 W Qualification: MIL-PRF-19500/545 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| Jantxv2N5154 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 2A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 50µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/544 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| Jantxv2N5154L | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 80V 2A TO5 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5154P | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5154U3 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80 V Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5154U3 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 2A U3 Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: U3 (SMD-0.5) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/544 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5154U3/TR | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 2A U3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V Supplier Device Package: U3 (SMD-0.5) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/544 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5154U3/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80 V Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| Jantxv2N5157 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| Jantxv2N5157 | MACOM Technology Solutions | Description: TRANS NPN 500V 3.5A TO204AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Current - Collector Cutoff (Max): 250µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1A, 5V Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Grade: Military Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 3.5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 500 V Power - Max: 5 W Qualification: MIL-PRF-19500/371 | на замовлення 91 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| JANTXV2N5179 | MOTOROLA | на замовлення 56000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| JANTXV2N5237 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANTXV2N5237 | Microsemi HI-REL [MIL] | Description: TRANS NPN 120V 10A TO-5 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5237S | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 120V 10A TO39 Qualification: MIL-PRF-19500/394 Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Grade: Military Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 5A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 10A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5237S | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 120 V Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| Jantxv2N5238 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| Jantxv2N5238 | Microsemi HI-REL [MIL] | Description: TRANS NPN 170V 10A TO5 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5238S | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5238S | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 170V 10A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 5A, 5V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 170 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/394 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5302 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 30A 5W NPN Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5302 | MOT | на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||
| JANTXV2N5303 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5303 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANTXV2N5303 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 60V 20A TO3 Current - Collector Cutoff (Max): 10µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bulk Qualification: MIL-PRF-19500/456 Power - Max: 20 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Grade: Military Supplier Device Package: TO-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 2V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| Jantxv2N5339 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 100V 5A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/560 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 112 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| Jantxv2N5339 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 112 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5339P | Microchip Technology | Description: POWER BJT Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A Operating Temperature: -55°C ~ 200°C Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Bulk Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5339P | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5339P | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANTXV2N5339U3 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5339U3 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 100V 5A U-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-276AA Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1.2V @ 500mA, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 2A, 2V Supplier Device Package: U-3 (TO-276AA) Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| Jantxv2N5415 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 200V 1A TO-5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-5 Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Power - Max: 750 mW Qualification: MIL-PRF-19500/485 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 107 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| Jantxv2N5415 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 107 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5415P | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 200 V Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5415P | Microchip Technology | Description: POWER BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| Jantxv2N5415S | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 200V 1A TO39 Qualification: MIL-PRF-19500/485 Grade: Military Power - Max: 750 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 102 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| Jantxv2N5415S | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 200 V Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 102 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5415U4 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 200V 50UA U4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5415UA | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 200 V Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5415UA | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 200V 1A UA Qualification: MIL-PRF-19500/485 Power - Max: 750 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 200 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Grade: Military Supplier Device Package: UA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 50µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| Jantxv2N5416 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 300V 1A TO-5AA Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: TO-5AA Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 750 mW Qualification: MIL-PRF-19500/485 | на замовлення 107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| Jantxv2N5416 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | на замовлення 97 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||
| Jantxv2N5416S | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 300V 1A TO39 Qualification: MIL-PRF-19500/485 Grade: Military Power - Max: 750 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5416U4 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 300V 1A U4 Packaging: Bulk Package / Case: 3-SMD, No Lead Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Supplier Device Package: U4 Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/485 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5416U4/TR | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 300V 1A U4 Qualification: MIL-PRF-19500/485 Grade: Military Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: U4 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 3-SMD, No Lead Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5416UA | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 300 V Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5416UA | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 300V 1A UA Qualification: MIL-PRF-19500/485 Power - Max: 750 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Grade: Military Supplier Device Package: UA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 4-SMD, No Lead Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| Jantxv2N5581 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 122 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| Jantxv2N5581 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO46 Qualification: MIL-PRF-19500/423 Grade: Military Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Supplier Device Package: TO-46 (TO-206AB) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 122 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| Jantxv2N5581/TR | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 143 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| Jantxv2N5582 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 50V 0.8A TO46-3 Qualification: MIL-PRF-19500/423 Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 800 mA Grade: Military Supplier Device Package: TO-46-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-206AB, TO-46-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5660 | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5660 | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5660 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANTXV2N5662 | на замовлення 192 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANTXV2N5662 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 200V 2A TO-5 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5663 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 300V 2A TO5 Current - Collector Cutoff (Max): 200nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 800mV @ 400mA, 2A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Packaging: Bulk Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-5 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 500mA, 5V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5663U3 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5664 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANTXV2N5664 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 200V 5A TO66 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5664P | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5665 | на замовлення 29 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANTXV2N5665 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 300V 5A TO66 Qualification: MIL-PRF-19500/455 Power - Max: 2.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Grade: Military Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 200nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 5A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5665 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5666 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANTXV2N5666 | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 200V 5A TO5 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| Jantxv2N5666S | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| Jantxv2N5666S | Microsemi Corporation | Description: TRANS NPN 200V 5A TO39 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5666U3 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 200V 5A U3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5667 | на замовлення 534 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANTXV2N5667 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 300V 5A 1.2W NPN Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5667 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 300V 5A TO-5 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AA, TO-5-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 200nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 5V Supplier Device Package: TO-5 Grade: Military Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 1.2 W Qualification: MIL-PRF-19500/455 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| Jantxv2N5667S | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 300V 5A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 5A Current - Collector Cutoff (Max): 200nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 5V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 300 V Power - Max: 1.2 W Qualification: MIL-PRF-19500/455 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5671 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5671 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 90V 30A TO3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 6A, 30A Current - Collector Cutoff (Max): 10mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20A, 5V Supplier Device Package: TO-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 90 V Power - Max: 6 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5672 | на замовлення 53 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANTXV2N5672 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 120V 30A TO3 Power - Max: 6 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: TO-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 20A, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 10mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 6A, 30A Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bulk Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5672 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5679 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5680 | MACOM Technology Solutions | Description: TRANS PNP 120V 1A TO39 Packaging: Bulk Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) Grade: Military Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 1 W Qualification: MIL-PRF-19500/582 | на замовлення 56 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| JANTXV2N5681 | Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5681 | Microsemi HI-REL [MIL] | Description: TRANS NPN 100V 1A TO39 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5682 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 120V 1A TO39 Qualification: MIL-PRF-19500/583 Grade: Military Power - Max: 1 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Supplier Device Package: TO-39 (TO-205AD) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 250mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-205AD, TO-39-3 Metal Can Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5683 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 60V 50A TO3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 25A, 2V Supplier Device Package: TO-3 Grade: Military Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 300 W Qualification: MIL-PRF-19500/466 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5684 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 50A TO204AA Packaging: Bag Package / Case: TO-204AA, TO-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A Current - Collector Cutoff (Max): 5µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 5A, 2V Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) Grade: Military Part Status: Discontinued at Digi-Key Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 300 W Qualification: MIL-PRF-19500/466 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5684 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 50A PNP Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5684 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANTXV2N5685 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 60V 50A TO3 Qualification: MIL-PRF-19500/464 Power - Max: 300 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Grade: Military Supplier Device Package: TO-3 (TO-204AA) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 25A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 500µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5685 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 60V 50A 300W NPN Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5685 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANTXV2N5686 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN 80V 50A TO-3 Power - Max: 300 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Part Status: Discontinued at Digi-Key Supplier Device Package: TO-3 Qualification: MIL-PRF-19500/464 Grade: Military Current - Collector Cutoff (Max): 500µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AE Packaging: Bulk DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 25A, 2V | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| JANTXV2N5686 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT 80V 50A 300W NPN Power BJT THT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5686 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANTXV2N5745 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 80V 20A TO3 Power - Max: 5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 10A, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 100µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 10A Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bulk Operating Temperature: -55°C ~ 200°C (TJ) | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| JANTXV2N5745 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5745 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||
| JANTXV2N5794 | Microchip / Microsemi | Bipolar Transistors - BJT BJTs | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5794 | MICROSEMI | TO-78/NPN Dual Transistors 2N5794 кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||
| JANTXV2N5794 | Microchip Technology | Description: TRANS 2NPN 40V 0.6A TO-78 Transistor Type: 2 NPN (Dual) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-78-6 Metal Can Packaging: Bulk Part Status: Active Supplier Device Package: TO-78-6 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 900mV @ 30mA, 300mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Current - Collector (Ic) (Max): 600mA Power - Max: 600mW Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||
| JANTXV2N5794A | Microchip Technology | Description: NPN TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. |