Продукція > BUK
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BUK9604-40A,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±15V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Bulk Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8260 pF @ 25 V | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK960440A | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9605-30A | PHILIPS | TO-263 | на замовлення 795 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9605-30A,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 30V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 8107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK9605-30A,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9605-30A,118 | Nexperia | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9605-30A,118 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 30V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK9605-30A,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK960530A | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9606-40B | PHILIPS | TO-263 | на замовлення 1325 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9606-40B,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 203W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4901 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9606-40B,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9606-40B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.005 ohm, SOT-404, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 75 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 euEccn: NLR Verlustleistung: 203 Bauform - Transistor: SOT-404 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9606-40B,118 | Nexperia | MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS | на замовлення 750 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9606-40B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 129A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9606-40B,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 203W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4901 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9606-55A | на замовлення 557 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9606-55A,118 | Nexperia | MOSFETs TAPE13 PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9606-55A,118 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 55V 154A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 514 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK9606-55A,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 154A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK9606-55A,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±15V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tj) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK9606-55A,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 154A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK9606-55A,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±15V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tj) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9606-55A,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9606-55A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0058 ohm, SOT-404, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55 Dauer-Drainstrom Id: 75 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 euEccn: NLR Verlustleistung: 300 Bauform - Transistor: SOT-404 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9606-55A,118 Код товару: 190055
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| BUK9606-55B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 146A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 9556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK9606-55B,118 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 55V 146A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 3065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK9606-55B,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7565 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±15V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Grade: Automotive Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 258W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Bulk | на замовлення 9556 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK9606-55B,118 | Nexperia | MOSFET HIGH PERF TRENCHMOS | на замовлення 4760 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9606-55B,118 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 55V 146A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK9606-55B,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 258W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7565 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9606-55B118 | NXP Semiconductors | Description: NOW NEXPERIA BUK9606-55B - POWER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9606-75B /T3 | NXP Semiconductors | MOSFETs HIGH PERF TRENCHMOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9606-75B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 75V 153A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK9606-75B,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11693 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±15V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 3131 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK9606-75B,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9606-75B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 75 A, 0.0055 ohm, SOT-404, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75 Dauer-Drainstrom Id: 75 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 euEccn: NLR Verlustleistung: 300 Bauform - Transistor: SOT-404 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9606-75B,118 Код товару: 190071
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| BUK9606-75B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 75V 153A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK9606-75B,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 300W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11693 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK9606-75B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 75V 153A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK9606-75B,118 | Nexperia | MOSFETs BUK9606-75B/SOT404/D2PAK | на замовлення 5023 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK960630 | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK960640B | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK960655A | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK960655B | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK960675B | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9607-30B,118 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK Packaging: Bulk | на замовлення 1087 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK9607-30B,118 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 30V 108A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK9607-30B,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 157W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3373 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK960730B | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9608-55 | на замовлення 580 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9608-55,118 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 5V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 187W (Tc) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9608-55A | Nexperia | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9608-55A /T3 | NXP Semiconductors | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9608-55A,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9608-55A,118 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 124 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 124 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9608-55A,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 253W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6021 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9608-55A,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 253W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6021 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9608-55A,118 | Nexperia | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | на замовлення 2663 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9608-55A.118 | PHILIPS | 09+ | на замовлення 818 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9608-55A/C1,118 | NXP Semiconductors | NXP Semiconductors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9608-55B | PHILIPS | TO-263 | на замовлення 790 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9608-55B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 42251 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK9608-55B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9608-55B,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9608-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0062 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 203W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK9608-55B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK9608-55B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK9608-55B,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 203W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK9608-55B,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9608-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0062 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 75A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 203W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchMOS productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 3479 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK9608-55B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 605 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK9608-55B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 55V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 4800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK9608-55B,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 203W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9608-55B,118 | Nexperia | MOSFETs BUK9608-55B/SOT404/D2PAK | на замовлення 472 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK960855 | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK960855A | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK960855B | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9609-40B | PHILIPS | TO-263 | на замовлення 600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9609-40B,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 157W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9609-40B,118 | Nexperia | MOSFETs BUK9609-40B/SOT404/D2PAK | на замовлення 4991 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK9609-40B,118 | Nexperia | Trans MOSFET N-CH 40V 95A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK9609-40B,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 157W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9609-40B,118 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 67A; Idm: 383A; 157W Case: D2PAK; SOT404 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar Gate charge: 32nC On-state resistance: 17.1mΩ Gate-source voltage: ±15V Drain-source voltage: 40V Drain current: 67A Power dissipation: 157W Pulsed drain current: 383A Application: automotive industry Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9609-40B,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9609-40B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.007 ohm, SOT-404, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 75 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 euEccn: NLR Verlustleistung: 157 Bauform - Transistor: SOT-404 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9609-55A | PHILIPS | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| BUK9609-55A,118 | Nexperia | MOSFET TAPE13 PWR-MOS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9609-55A,118 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 55V 108A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK9609-55A,118 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 211W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4633 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9609-55A,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4.633 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±15V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 211W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Bulk | на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK9609-55A,118 | NXP USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4633 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Vgs (Max): ±15V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 211W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9609-75A | PHILIPS | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| BUK9609-75A | Nexperia | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9609-75A,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Supplier Device Package: D2PAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8840 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9609-75A,118 | Nexperia | MOSFETs SOT404 N-CH 75V 75A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9609-75A,118 | NEXPERIA | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 440A; 230W Case: D2PAK; SOT404 Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Mounting: SMD Polarisation: unipolar On-state resistance: 18.9mΩ Gate-source voltage: ±10V Drain-source voltage: 75V Drain current: 75A Power dissipation: 230W Pulsed drain current: 440A Application: automotive industry Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9609-75A,118 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BUK9609-75A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 75 A, 0.0085 ohm, SOT-404, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 75 Dauer-Drainstrom Id: 75 hazardous: false Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2 euEccn: NLR Verlustleistung: 230 Bauform - Transistor: SOT-404 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4800 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9609-75A,118 | Nexperia USA Inc. | Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8840 pF @ 25 V Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V Vgs (Max): ±10V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: D2PAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA Power Dissipation (Max): 230W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| BUK9609-75A,118 | NXP Semiconductors | Trans MOSFET N-CH 75V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R | на замовлення 252 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| BUK9609-75B | PHILIPS | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| BUK960940B | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK960955A | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK960975A | на замовлення 8639 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| BUK9610-100B | PHILIPS | TO-263 | на замовлення 790 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

