Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 45 50 54  Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
BUK9604-40A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 128 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.3V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8260 pF @ 25 V
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+171.05 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK960440A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9605-30APHILIPSTO-263
на замовлення 795 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9605-30A,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 30V 75A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 8107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+132.30 грн
500+119.31 грн
1000+109.71 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9605-30A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9605-30A,118NexperiaMOSFET TAPE13 PWR-MOS
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9605-30A,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
268+132.30 грн
500+119.31 грн
Мінімальне замовлення: 268 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9605-30A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK960530A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9606-40BPHILIPSTO-263
на замовлення 1325 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9606-40B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 203W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4901 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9606-40B,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9606-40B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.005 ohm, SOT-404, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 75
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203
Bauform - Transistor: SOT-404
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9606-40B,118NexperiaMOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9606-40B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 129A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9606-40B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 203W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4901 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9606-55A
на замовлення 557 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9606-55A,118NexperiaMOSFETs TAPE13 PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9606-55A,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 55V 154A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 514 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+248.06 грн
500+235.07 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9606-55A,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 154A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+248.06 грн
500+235.07 грн
1000+222.08 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9606-55A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+276.48 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9606-55A,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 154A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+248.06 грн
500+235.07 грн
1000+222.08 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9606-55A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tj)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9606-55A,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9606-55A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0058 ohm, SOT-404, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55
Dauer-Drainstrom Id: 75
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: SOT-404
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0058
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9606-55A,118
Код товару: 190055
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9606-55B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 146A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 9556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+164.19 грн
500+147.66 грн
1000+135.84 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9606-55B,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 55V 146A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 3065 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+164.19 грн
500+147.66 грн
1000+135.84 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9606-55B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7565 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Grade: Automotive
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 258W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 9556 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+130.13 грн
Мінімальне замовлення: 155 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9606-55B,118NexperiaMOSFET HIGH PERF TRENCHMOS
на замовлення 4760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9606-55B,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 55V 146A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
216+164.19 грн
500+147.66 грн
1000+135.84 грн
Мінімальне замовлення: 216 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9606-55B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 258W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7565 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9606-55B118NXP SemiconductorsDescription: NOW NEXPERIA BUK9606-55B - POWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9606-75B /T3NXP SemiconductorsMOSFETs HIGH PERF TRENCHMOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9606-75B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 75V 153A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+317.76 грн
500+301.22 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9606-75B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11693 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
на замовлення 3131 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+296.67 грн
10+188.76 грн
100+133.56 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9606-75B,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9606-75B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 75 A, 0.0055 ohm, SOT-404, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 75
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300
Bauform - Transistor: SOT-404
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9606-75B,118
Код товару: 190071
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9606-75B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 75V 153A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+317.76 грн
500+301.22 грн
1000+284.68 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9606-75B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 95 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11693 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+108.75 грн
1600+100.57 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9606-75B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 75V 153A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
112+317.76 грн
500+301.22 грн
1000+284.68 грн
Мінімальне замовлення: 112 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9606-75B,118NexperiaMOSFETs BUK9606-75B/SOT404/D2PAK
на замовлення 5023 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+279.47 грн
10+191.33 грн
100+122.19 грн
800+102.17 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK960630
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK960640B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK960655A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK960655B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK960675B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9607-30B,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Packaging: Bulk
на замовлення 1087 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
720+31.29 грн
Мінімальне замовлення: 720 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9607-30B,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 30V 108A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
683+51.96 грн
Мінімальне замовлення: 683 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9607-30B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3373 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK960730B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9608-55
на замовлення 580 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9608-55,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6900 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 187W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9608-55ANexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9608-55A /T3NXP SemiconductorsMOSFET TAPE13 PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9608-55A,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9608-55A,118 - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 124 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 124 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9608-55A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 253W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6021 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9608-55A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 253W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6021 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9608-55A,118NexperiaMOSFET TAPE13 PWR-MOS
на замовлення 2663 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9608-55A.118PHILIPS09+
на замовлення 818 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9608-55A/C1,118NXP SemiconductorsNXP Semiconductors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9608-55BPHILIPSTO-263
на замовлення 790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9608-55B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 110A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 42251 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
273+129.94 грн
500+117.09 грн
1000+107.98 грн
10000+92.84 грн
Мінімальне замовлення: 273 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9608-55B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9608-55B,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9608-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0062 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+104.70 грн
500+85.26 грн
1000+67.45 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9608-55B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+173.27 грн
92+154.29 грн
93+152.72 грн
117+117.63 грн
250+107.83 грн
500+102.48 грн
Мінімальне замовлення: 82 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9608-55B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4800+126.44 грн
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9608-55B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 203W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+222.12 грн
10+138.65 грн
100+95.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9608-55B,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9608-55B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 75 A, 0.0062 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 75A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 203W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchMOS
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0062ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3479 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.41 грн
10+133.70 грн
100+104.70 грн
500+85.26 грн
1000+67.45 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9608-55B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.27 грн
10+154.29 грн
25+152.72 грн
100+117.63 грн
250+107.83 грн
500+102.48 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9608-55B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 55V 110A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+142.88 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9608-55B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 203W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9608-55B,118NexperiaMOSFETs BUK9608-55B/SOT404/D2PAK
на замовлення 472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+230.34 грн
10+146.87 грн
100+88.36 грн
500+86.98 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK960855
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK960855A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK960855B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9609-40BPHILIPSTO-263
на замовлення 600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9609-40B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9609-40B,118NexperiaMOSFETs BUK9609-40B/SOT404/D2PAK
на замовлення 4991 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+167.52 грн
10+116.70 грн
100+73.18 грн
500+63.03 грн
800+51.43 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9609-40B,118NexperiaTrans MOSFET N-CH 40V 95A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
226+157.11 грн
500+148.84 грн
Мінімальне замовлення: 226 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9609-40B,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 157W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9609-40B,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 67A; Idm: 383A; 157W
Case: D2PAK; SOT404
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 32nC
On-state resistance: 17.1mΩ
Gate-source voltage: ±15V
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 67A
Power dissipation: 157W
Pulsed drain current: 383A
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9609-40B,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9609-40B,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 75 A, 0.007 ohm, SOT-404, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40
Dauer-Drainstrom Id: 75
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 157
Bauform - Transistor: SOT-404
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.007
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9609-55APHILIPS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9609-55A,118NexperiaMOSFET TAPE13 PWR-MOS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9609-55A,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 55V 108A Automotive 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
200+177.19 грн
500+159.47 грн
1000+147.66 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9609-55A,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4633 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9609-55A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4.633 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
336+59.38 грн
Мінімальне замовлення: 336 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9609-55A,118NXP USA Inc.Description: MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4633 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Vgs (Max): ±15V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 211W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9609-75APHILIPS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9609-75ANexperiaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9609-75A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: D2PAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8840 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9609-75A,118NexperiaMOSFETs SOT404 N-CH 75V 75A
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9609-75A,118NEXPERIACategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 75V; 75A; Idm: 440A; 230W
Case: D2PAK; SOT404
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 18.9mΩ
Gate-source voltage: ±10V
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 75A
Power dissipation: 230W
Pulsed drain current: 440A
Application: automotive industry
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9609-75A,118NEXPERIADescription: NEXPERIA - BUK9609-75A,118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 75 A, 0.0085 ohm, SOT-404, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 75
Dauer-Drainstrom Id: 75
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2
euEccn: NLR
Verlustleistung: 230
Bauform - Transistor: SOT-404
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 4800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9609-75A,118Nexperia USA Inc.Description: MOSFET N-CH 75V 75A D2PAK
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8840 pF @ 25 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: D2PAK
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.5mOhm @ 25A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 75A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9609-75A,118NXP SemiconductorsTrans MOSFET N-CH 75V 75A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
на замовлення 252 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
120+296.49 грн
Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9609-75BPHILIPS
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK960940B
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK960955A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK960975A
на замовлення 8639 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BUK9610-100BPHILIPSTO-263
на замовлення 790 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 5 10 15 20 25 30 32 33 34 35 36 37 38 39 40 41 42 45 50 54  Наступна Сторінка >> ]