Продукція > HS1
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HS1D-K | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 50ns, 1A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1D-K M2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 50ns 1A 200V High Ef f Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1D-K R3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 50ns 1A 200V High Ef f Recovery Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1D14SA | Apem | Thumbwheel Switches & Pushwheel Switches HS, CASTLE, DROP-IN, 6PIN, 4WAY, SILVER PLATED CONTACTS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DAL | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A THIN SMA Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Thin SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | на замовлення 6988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HS1DAL | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 50ns, 1A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier | на замовлення 13878 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DAL | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 200V 1A 2-Pin Thin SMA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 28000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DAL | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A THIN SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Thin SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 14000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DAL | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 50ns; thinSMA; Ufmax: 1V; reel,tape Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 1A Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Case: thinSMA Max. forward voltage: 1V Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DAL M3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 50NS, 1A, 200V, HIGH EFFICIENT R | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DAL M3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 50ns, 1A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier | на замовлення 6989 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DAL M3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 50NS, 1A, 200V, HIGH EFFICIENT R | на замовлення 7000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DALH | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 50ns; thinSMA; Ufmax: 1V; reel,tape Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 1A Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Case: thinSMA Max. forward voltage: 1V Kind of package: reel; tape Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DALH | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 50ns, 1A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 28000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DB | Yangjie Technology | Description: Diodes - Rectifiers - Single SMB Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HS1DB | Yangjie Electronic Technology | Surface Mount High Efficient Rectifier | на замовлення 60000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HS1DDF-13 | Diodes Incorporated | Rectifiers FRED GPP Rectifier D-FLAT T and R 10K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DDF-13 | Diodes Incorporated | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A DFLAT Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.1 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: D-Flat Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 15 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 2-SMD, Flat Lead Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DDF-13 | Diodes Zetex | Rectifier Diode Switching 200V 1A 15ns 2-Pin D-FLAT T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DF-T | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 200V 1A SMAF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 19pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SMAF Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DF-T | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 50ns, 1A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DF-T | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 200V 1A SMAF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-221AC, SMA Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 19pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SMAF Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | на замовлення 7463 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HS1DFL | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 200V 1A 2-Pin SOD-123FL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DFL | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 200V 1A SOD123F Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: SOD-123F Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 11pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOD-123F Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 35417 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HS1DFL | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 50ns, 1A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier | на замовлення 6648 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DFL | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 200V 1A 2-Pin SOD-123FL T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DFL | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE STANDARD 200V 1A SOD123F Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: SOD-123F Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 11pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOD-123F Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HS1DFL | Taiwan Semiconductor | 50NS 1A 200V HIGH EFFICIENT RECO Діоди та діодні збірки | на замовлення 5600 шт: термін постачання 5 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DFL RVG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 50ns 1A 200V High Ef f Recovery Rectifier | на замовлення 8865 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DFL RVG | Taiwan Semiconductor | 50NS 1A 200V HIGH EFFICIENT RECO Діоди та діодні збірки | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DFS | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 50ns; SOD128; Ufmax: 1V; reel,tape Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 1A Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Case: SOD128 Max. forward voltage: 1V Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DFS | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD128 Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: SOD-128 Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOD-128 Packaging: Cut Tape (CT) | на замовлення 6508 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HS1DFS | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 50ns, 1A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 28000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DFS | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD128 Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: SOD-128 Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOD-128 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 14000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DFS M3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 50ns, 1A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier | на замовлення 6997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DFS M3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 50NS, 1A, 200V, HIGH EFFICIENT R | на замовлення 6790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DFS M3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 50NS, 1A, 200V, HIGH EFFICIENT R | на замовлення 3500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DFSH | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 50ns; SOD128; Ufmax: 1V; reel,tape Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 1A Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Case: SOD128 Max. forward voltage: 1V Kind of package: reel; tape Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DFSH | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 50ns, 1A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 28000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DH | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 50ns; SMA; Ufmax: 1V; reel,tape Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 1A Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Case: SMA Max. forward voltage: 1V Kind of package: reel; tape Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DH | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 50ns, 1A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DHF2 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A,300V, G.P. HIGH EFFICIENT SMD RECTIFIER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DHF2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 50ns, 1A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DHF3 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A,300V, G.P. HIGH EFFICIENT SMD RECTIFIER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DHF3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 50ns, 1A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DHM2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 50ns 1A 200V High Ef f Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DHR2 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A,300V, G.P. HIGH EFFICIENT SMD RECTIFIER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DHR2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 50ns, 1A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DHR3 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 50ns, 1A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DHR3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 50ns, 1A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DL | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 50ns, 1A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DL | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 200V 1A 2-Pin Sub SMA T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DL | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 50ns; subSMA; Ufmax: 0.95V Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 1A Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Case: subSMA Max. forward voltage: 0.95V Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DL M2G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DL MHG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DL MQG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DL MTG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DL R2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 50ns 1A 200V High Ef f Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DL R3G | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DL R3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 50ns 1A 200V High Ef f Recovery Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DL RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DL RHG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DL RQG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 50ns 1A 200V High Ef f Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DL RQG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DL RTG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-219AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: Sub SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DL RUG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DL RVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DL RVG | Taiwan Semiconductor | Diode Switching 200V 1A 2-Pin Sub SMA T/R | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DL RVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SUB SMA Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 950 mV @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Supplier Device Package: Sub SMA Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 20pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: DO-219AB Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DL RVG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 50ns 1A 200V High Ef f Recovery Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DLH | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 50ns, 1A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DLHR2 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A, 200V, SUPER FAST SM RECTIFIER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DLHR2G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 50ns, 1A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DLHR3 | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A, 200V, SUPER FAST SM RECTIFIER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DLHR3G | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 50ns, 1A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DLHRQ | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 1A, 200V, SUPER FAST SM RECTIFIER | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DLHRQG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 50ns, 1A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DLHRVG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 50ns 1A 200V High Ef f Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DLW | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 50ns, 1A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DLW | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 50NS, 1A, 200V, HIGH EFFICIENT R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123W Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HS1DLW | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 50ns; SOD123W; Ufmax: 1V; reel,tape Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 1A Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Case: SOD123W Max. forward voltage: 1V Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DLW | Taiwan Semiconductor | Diode 200V 1A 2-Pin SOD-123W T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DLW | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 50NS, 1A, 200V, HIGH EFFICIENT R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123W Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HS1DLW RQG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 50ns, 1A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DLW RVG | Taiwan Semiconductor | Diode 200V 1A 2-Pin SOD-123W T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DLW RVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: SOD-123W Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOD-123W Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DLW RVG | Taiwan Semiconductor | Diode 200V 1A 2-Pin SOD-123W T/R | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DLW RVG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 50ns, 1A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DLW RVG | Taiwan Semiconductor | Diode 200V 1A 2-Pin SOD-123W T/R | на замовлення 2040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HS1DLW RVG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: DIODE GEN PURP 200V 1A SOD123W Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOD-123W Packaging: Tape & Reel (TR) Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Part Status: Active Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Supplier Device Package: SOD-123W Current - Average Rectified (Io): 1A Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz Technology: Standard Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DLW RVG | Taiwan Semiconductor | Diode 200V 1A 2-Pin SOD-123W T/R | на замовлення 2040 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 127 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DLWH | TAIWAN SEMICONDUCTOR | Category: SMD universal diodes Description: Diode: rectifying; SMD; 200V; 1A; 50ns; SOD123W; Ufmax: 1V; reel,tape Type of diode: rectifying Mounting: SMD Max. off-state voltage: 200V Load current: 1A Reverse recovery time: 50ns Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: superfast switching Case: SOD123W Max. forward voltage: 1V Kind of package: reel; tape Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DLWH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 50NS, 1A, 200V, HIGH EFFICIENT R Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123W Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HS1DLWH | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 50NS, 1A, 200V, HIGH EFFICIENT R Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-123W Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 16pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 1A Supplier Device Package: SOD-123W Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| HS1DLWH | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 50ns, 1A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DLWHRQG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 50ns, 1A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1DLWHRVG | Taiwan Semiconductor | Rectifiers 50ns, 1A, 200V, High Efficient Recovery Rectifier | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1E-244R-R | IDEC | Interlock Switches Safety Switch Spring Lock | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1E-344KR-G | IDEC | Limit Switches Safety Switch Spring Lock | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| HS1E-344KR-R | IDEC | Limit Switches Safety Switch Spring Lock | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

