Продукція > STD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STD4NK80ZT4STMMOSFET N-CH 800V 3A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD4NK80ZT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 3A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD4NK80ZT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD4NK80ZT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 800 V, 1.5 A, 3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 800V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 80W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
на замовлення 4780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD4NK80ZT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 800V 3A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 80W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 575 pF @ 25 V
на замовлення 1792 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.82 грн
10+119.56 грн
50+91.18 грн
100+76.97 грн
500+61.88 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD4NS25ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD4NS25-1STTO-251
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD4NS25T4
на замовлення 25200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD4NS25T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 250V 4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 250 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 355 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD4NS25T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 250 Volt 4 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD4NS25T4-ESTMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD5025NLSST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD50N03LSTMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD50N03LSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1434 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD50N03L
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD50N03L-1
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD50N03L-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 30V 40A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1434 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD50N03LT4
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD50N06LTM-NL
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD50NF03L
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD50NH02
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD50NH02C
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD50NH02LST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD50NH02L-1STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 24V 50A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.8V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-251 (IPAK)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD50NH02L-1
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD50NH02L-1STMicroelectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD50NH02LT4
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD50NH02LT4STMicroelectronicsMOSFET N Ch 24V 0.0085 OHM 50A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD50NH02LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 24V 50A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD50NH02LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 24V 50A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5100SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5100SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 100V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 750 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 120 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD5100CTRSMC Diode Solutions LLCDescription: DIODE SCHOTTKY 100V 5A CA DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD5150SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 150V DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD5150SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 150V DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5200SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 200V DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 200 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5200SMC Diode SolutionsDescription: DIODE SCHOTTKY 200V DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Supplier Device Package: DPAK
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.6 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 150 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD52P3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 30V 52A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 25 V
на замовлення 3623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.55 грн
10+78.50 грн
100+52.74 грн
500+39.12 грн
1000+35.78 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD52P3LLH6STMicroelectronicsMOSFETs P-channel 30 V, 0.01 Ohm typ 52 A STripFET H6 Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD52P3LLH6STMicroelectronicsDescription: MOSFET P-CH 30V 52A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 52A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12mOhm @ 26A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3350 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+35.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5406Nonsemionsemi NFET DPAK 40V SPCL TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD5406NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 12.2A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 32 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD5406NT4GON SemiconductorMOSFET NFET 40V SPCL TR
на замовлення 2843 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5406NT4G-VF01onsemiDescription: NFET DPAK 40V SPCL TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.2A (Ta), 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500 pF @ 32 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5406NT4G-VF01ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 12.2A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5406NT4G-VF01onsemiMOSFET NFET DPAK 40V SPCL
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5407NT4GON SemiconductorMOSFET NFET 40V SPCL TR
на замовлення 1353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5407NT4GonsemiDescription: STD5407 - POWER MOSFET 40V, 38A,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD55N4F5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 55A DPAK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD55N4F5
на замовлення 27600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD55N4F5STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 40V 7.3 m" 40A STripFET V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD55N4F5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 40V 55A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD55NF06
на замовлення 58700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD55NF06-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD55NH02
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD55NH02L
на замовлення 55000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD55NH22
на замовлення 35000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD55NH2LLSTM07+ SOT-252
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD55NH2LL-1STTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD55NH2LL-1-EST06+ TO-251
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD55NH2LLT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 24V 40A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 20A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 24 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 990 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD55NH2LLT4STTO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD56LF-WS-3-24-RAGQLIGHTCategory: Signalling Columns
Description: Signalling column; red/amber/green; LED; 24VDC; IP54; STD; ABS
Type of signaller: signalling column
Colour: red/amber/green
Signalling method: blinking light; continuous light; siren
Light source: LED
Supply voltage: 24V DC
Sound level: 105dB
IP rating: IP54
Body dimensions: Ø119x386mm
Manufacturer series: STD
Body colour: white
Body material: ABS
Lens dimensions: Ø56mm
Operating temperature: -30...50°C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD5700HUD
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD580
на замовлення 4386 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5A8D-BH
на замовлення 133 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5A8DBH124200-002ZILOG1999
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N20ST07+ TO-252/D-PAK
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N20-1
на замовлення 398 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N20-T4
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N20-TR
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N20L
на замовлення 4099 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N20LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242 pF @ 25 V
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.40 грн
7500+22.57 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N20LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+95.89 грн
149+94.97 грн
192+73.79 грн
250+70.44 грн
500+53.53 грн
1000+42.71 грн
Мінімальне замовлення: 148 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N20LT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD5N20LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 2.5 A, 0.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 33W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
на замовлення 1521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N20LT4STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 200 Volt 5 Amp
на замовлення 8275 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N20LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+107.95 грн
10+95.89 грн
25+94.97 грн
100+71.16 грн
250+65.22 грн
500+51.39 грн
1000+42.71 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N20LT4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 2.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 242 pF @ 25 V
на замовлення 8950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+99.54 грн
10+60.38 грн
50+45.02 грн
100+37.57 грн
500+29.36 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N20LT4STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 200V 5A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N20LT4STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD5N20LT4 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 2.5 A, 0.7 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 33W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.7ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2966 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N20T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N20T4STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N20T4STMN-CHANNEL 200V - 0.6W - 5A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N20T4STMicroelectronicsMOSFET N-Ch 200 Volt 5 Amp
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N52K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N52K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 525V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.07 грн
5000+35.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N52K3STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 545 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N52K3STMMOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N52K3STMicroelectronicsMOSFETs N-CH 525 V 4.4 A SuperMESH3
на замовлення 1399 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N52K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 525V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N52K3STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 2.77A; 70W; DPAK; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 2.77A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 439 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
4+118.31 грн
10+70.19 грн
100+47.97 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N52K3STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 525V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+36.07 грн
5000+35.09 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N52K3
Код товару: 132106
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N52USTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 525V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N52USTMicroelectronicsMOSFETs N-channel 525 V 4.4 A DPAK TO-220F
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N52USTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N52USTMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 525V; 4.4A; Idm: 17.6A; 70W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 525V
Drain current: 4.4A
Pulsed drain current: 17.6A
Power dissipation: 70W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 1.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 16.9nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N52USTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 525V 4.4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N52USTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STD5N52U - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 525 V, 4.4 A, 1.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 525V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 70W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.5ohm
на замовлення 853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N52USTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 2.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 525 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 529 pF @ 25 V
на замовлення 1527 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+128.55 грн
10+78.87 грн
50+59.16 грн
100+49.56 грн
500+39.07 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STD5N60DM2STMicroelectronicsCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3.5A; Idm: 14A; 45W; DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 600V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: reel; tape
Case: DPAK
On-state resistance: 1.55Ω
Pulsed drain current: 14A
Power dissipation: 45W
Gate charge: 5.3nC
Polarisation: unipolar
Drain current: 3.5A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.