Продукція > FDS
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FDS37H869 | на замовлення 109 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3812 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS3812 | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 80V 3.4A 8SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS3812_NL | FAIRCHILD | 09+ | на замовлення 828 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS3890 | onsemi | MOSFETs SO-8 | на замовлення 10586 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS3890 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS3890 | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 40V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | на замовлення 20320 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS3890 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 80V 4.7A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS3890 Код товару: 49621
Додати до обраних
Обраний товар
| Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2 | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDS3890 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS3890 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80 V, 4.7 A, 4.7 A, 0.034 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 80V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.7A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.034ohm Verlustleistung, p-Kanal: 2W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 80V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.034ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2W Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 1628 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS3890 | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 80V 4.7A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 900mW Drain to Source Voltage (Vdss): 80V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.7A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1180pF @ 40V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 44mOhm @ 4.7A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS3890 | onsemi / Fairchild | MOSFETs SO-8 | на замовлення 20675 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS3890 | ONS/FAI | 2 N-ChMOSFET, 80 V, 4,7 A, SOIC8 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS3890-NL | на замовлення 60000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS3896 | FAIRCHILD | 07+ SO-8 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS3912 | onsemi / Fairchild | MOSFETs SO-8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS3912 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 41000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS3912 | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA FET Feature: Logic Level Gate Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20nC @ 10V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 3A, 10V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 632pF @ 50V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Power - Max: 900mW Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Configuration: 2 N-Channel (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS3912-NL | на замовлення 94000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS399 | FAIRCHILD | SOP-8 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS3992 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS3992 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.054 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.054ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS3992 | ONS/FAI | SO8, 2 N-Channel 100V 4.5A Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS3992 | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS3992 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS3992 | ONSEMI | Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 100V; 4.5A; 2.5W; SO8 Type of transistor: N-MOSFET x2 Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 4.5A Power dissipation: 2.5W Case: SO8 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 123mΩ Mounting: SMD Gate charge: 15nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | на замовлення 2485 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS3992 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS3992 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS3992 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 4.5 A, 0.054 ohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: - MSL: MSL 3 - 168 Stunden usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.5A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: - Verlustleistung, p-Kanal: - Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 100V euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.054ohm productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 2.5W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2541 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS3992 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS3992 | onsemi | MOSFETs 100V 4.5a .62 Ohms/VGS=1V | на замовлення 33055 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS3992 Код товару: 117038
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDS3992 | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 100V 4.5A 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 2.5W Drain to Source Voltage (Vdss): 100V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 62mOhm @ 4.5A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active | на замовлення 7671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS3992 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 876 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS3992NL | FAIRCHILD | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| FDS3992_Q | onsemi / Fairchild | MOSFETs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS4070N3 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15.3A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO FLMP Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS4070N3 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS4070N3 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Bulk | на замовлення 8613 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS4070N3 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: 8-SO FLMP Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 15.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS4070N7 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS4070N7 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15.3A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V | на замовлення 69332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS4070N7 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: 8-SO FLMP Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS4070N7 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 15.3A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2819 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 67 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: 8-SO FLMP Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 15.3A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15.3A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS4072N3 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 12.4A 8-SOIC | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS4072N3 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 12.4A 8-SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS4072N3 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS4072N3 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 12.4A 8-SOIC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS4072N7 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS4072N7 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 12.4A 8SO Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12.4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 13.7A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 46 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4299 pF @ 20 V | на замовлення 9775 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS4080N3 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 13A 8SO Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 13A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SO Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 20 V | на замовлення 39912 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS4080N3 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS4080N7 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 13A 8SO Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1750 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SO Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 13A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Bulk | на замовлення 11820 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS4080N7 | FAIRCHILD | SO-8 | на замовлення 26000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS4141 | onsemi / Fairchild | MOSFETs -40V P-Channel PowerTrench | на замовлення 1710 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS4141 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS4141 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS4141 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 3135 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS4141 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40 Dauer-Drainstrom Id: 10.8 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6 Verlustleistung: 5 Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8 Produktpalette: - Wandlerpolarität: p-Kanal Kanaltyp: p-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011 SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS4141 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 5W (Ta) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS4141 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 40V 10.8A 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 37231 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS4141 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS4141 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 10.8 A, 0.011 ohm, SOIC, Oberflächenmontage Verlustleistung: 5 Kanaltyp: p-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011 Qualifikation: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS4141-F085 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Cut Tape (CT) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2005 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS4141-F085 | onsemi / Fairchild | MOSFET -40V P-Channel PowerTrench | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS4141-F085 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2005 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Obsolete Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.6W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS4141-F085 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 40V 10.8A Automotive 8-Pin SOIC T/R | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS4141-SN00136 | onsemi | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS4141-SN00136P | onsemi | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS4141SN00136P | onsemi | Description: MOSFET P-CH 40V 10.8A 8SOIC Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2670 pF @ 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Part Status: Active Supplier Device Package: 8-SOIC Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13mOhm @ 10.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.8A (Ta) FET Type: P-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS4141_TSN00136 | onsemi / Fairchild | onsemi | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS4201D | Amphenol Positronic | D-Sub Contacts | на замовлення 92 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS4201D/AA | POSITRONIC | Description: POSITRONIC - FDS4201D/AA - D-Sub-Kontakt, D-Sub-Steckverbinder der Produktreihen CBD & CBDD von Positronic, Buchsenkontakt tariffCode: 85366990 Kontaktausführung: Buchsenkontakt productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kontaktüberzug: Vergoldete Kontakte Kontaktanschluss: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX euEccn: TBC Kontaktmaterial: Kupferlegierung Leiterstärke (AWG), max.: - Leiterstärke (AWG), min.: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Zur Verwendung mit: D-Sub-Steckverbinder der Produktreihen CBD & CBDD von Positronic usEccn: TBC Produktpalette: - SVHC: To Be Advised | на замовлення 22 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS4201D/AA | Amphenol Positronic | D-Sub Contacts CON F size 8 PCB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 39 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS4201D/AA | Positronic | Description: CON F SIZE 8 PCB | на замовлення 535 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS425N2 | Amphenol Positronic | D-Sub Contacts | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS425N2/AA | Amphenol Positronic | D-Sub Contacts | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS425P2 | Amphenol Positronic | Description: FDS425P2 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS425P2 | Amphenol Positronic | D-Sub Contacts | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS425P2/AA | Amphenol Positronic | Description: FDS425P2/AA Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS425P2/AA | Amphenol Positronic | D-Sub Contacts | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 210 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS4310D | PEI-Genesis | Description: CONTACT SIZE 8 FEMALE CBD/CBDD Part Status: Active Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS4310D | Amphenol Positronic | D-Sub Contacts | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS4310D/AA | Amphenol Positronic | D-Sub Contacts | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS4310M | Amphenol Positronic | D-Sub Contacts | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS4310M/AA | Amphenol Positronic | D-Sub Contacts | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS4312D | Amphenol Positronic | D-Sub Contacts | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS4312D | Amphenol Positronic | Description: CONTACT Part Status: Active Contact Form: Machined Contact Material: Copper Alloy Contact Finish Thickness: FLASH Contact Type: Female Socket Type: Power Wire Gauge: 10 AWG Contact Termination: Crimp Contact Finish: Gold Packaging: Bag | на замовлення 55 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS4312D/AA | Amphenol Positronic | D-Sub Contacts | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS4314D | Amphenol Positronic | D-Sub Contacts | на замовлення 58 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS4314D/AA | Amphenol Positronic | D-Sub Contacts | на замовлення 74 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS4410 | FAIRCHILD | FDS4410 | на замовлення 5905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS4410 | ONSEMI | Description: ONSEMI - FDS4410 - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 76100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS4410 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS4410 | onsemi / Fairchild | MOSFET SO-8 N-CH 30V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS4410 | FAIRCHILD | FDS4410 | на замовлення 2300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS4410 | Fairchild Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 10A 8SOIC Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 31 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1340 pF @ 15 V | на замовлення 39200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS4410 | FAIRCHILD | FDS4410 | на замовлення 30995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| FDS4410-NL | на замовлення 94000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| FDS4410A | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 10A 8-Pin SOIC N T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS4410A | Fairchild Semiconductor | Description: SINGLE N CHANNEL, LOGIC-LEVEL, P Packaging: Bulk Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13.5mOhm @ 10A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: 8-SOIC Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1205 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS4410A | onsemi / Fairchild | MOSFETs LOGIC LEVEL PO SINGLE NCH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| FDS4410ANL | FAIRCHILD | на замовлення 100000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

