Продукція > GS6

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
GS66516B-TRInfineon TechnologiesGaN FETs 650V, 60A, GaN E-mode, GaNPX package, Bottom-side cooled
на замовлення 1177 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516B-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS66516B-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: Die
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Supplier Device Package: Die
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516BMRXUSA1INFINEONDescription: INFINEON - GS66516BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 60 A, 0.032 ohm, 14.2 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3698.44 грн
5+3174.16 грн
10+2649.06 грн
50+2410.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516BMRXUSA1Infineon TechnologiesGS66516BMRXUSA1
на замовлення 165 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+4195.90 грн
10+3724.46 грн
25+3498.16 грн
50+3091.36 грн
100+2744.51 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516BMRXUSA1INFINEONDescription: INFINEON - GS66516BMRXUSA1 - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 650 V, 60 A, 0.032 ohm, 14.2 nC, GaNPX, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Gate-Ladung, typ.: 14.2nC
Bauform - Transistor: GaNPX
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.032ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3698.44 грн
5+3174.16 грн
10+2649.06 грн
50+2410.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516BMRXUSA1Infineon TechnologiesDescription: GS66516B-MR
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
на замовлення 735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2418.85 грн
10+1878.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516BMRXUSA1Infineon TechnologiesDescription: GS66516B-MR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Supplier Device Package: Die
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: Die
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+1594.13 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516BMRXUSA1Infineon TechnologiesGS66516BMRXUSA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516BTRXUMA1Infineon TechnologiesGS66516BTRXUMA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516T-BGaN Systems IncGS66516T-B
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+3502.87 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516T-E02-MRInfineon TechnologiesGaN FETs 650V, 60A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooling
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516T-EVBDBGaN SystemsPower Management IC Development Tools GS66516T Half Bridge Daughter Board
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516T-EVBDBGaN Systems Inc650V GaN E-HEMT Evaluation Board
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+31654.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516T-EVBDB2GaN SystemsPower Management IC Development Tools 650V GaN Isolated Optocoupler Driver Half Bridge Daughter Board 2.5 kW featuring the Broadcom ACPL-P346 Gate Drive optocoupler
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516T-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS66516T-MR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V
на замовлення 1350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+2223.04 грн
Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516T-MRGaN Systems IncTrans MOSFET N-CH GaN 650V 60A 4-Pin ULGA T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516T-MRInfineon TechnologiesGaN FETs 650V, 60A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516T-MRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS66516T-MR
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V
на замовлення 1465 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2819.38 грн
10+2079.43 грн
100+1810.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516T-TRInfineon TechnologiesGaN FETs 650V, 60A, GaN E-mode, GaNPX package, Top-side cooled
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516T-TRInfineon Technologies Canada Inc.Description: GS66516T-TR
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516T-TRGaN Systems IncTrans MOSFET N-CH GaN 650V 60A 4-Pin ULGA T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516TMRXUSA1Infineon TechnologiesDescription: GS66516T-MR
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516TMRXUSA1Infineon TechnologiesGS66516TMRXUSA1
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516TMRXUSA1Infineon TechnologiesDescription: GS66516T-MR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 250 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516TTRXUMA1Infineon TechnologiesDescription: GS66516T-TR
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516TTRXUMA1Infineon TechnologiesTop-side cooled 650 V E-mode GaN transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
GS66516TTRXUMA1Infineon TechnologiesDescription: GS66516T-TR
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 32mOhm @ 18A, 6V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: GaNFET (Gallium Nitride)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 4-SMD, No Lead
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 400 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.1 nC @ 6 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Vgs (Max): +7V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 6V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.3V @ 14mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS665BTP-EVBGaN SystemsPower Management IC Development Tools 3kW EHEMT Bridgeless Totem Pole PFC Evkit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS665MB-EVBGaN SystemsPower Management IC Development Tools 650V Motherboard without gate Driver
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS672116TP-12IGSITSOP
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
GS6M-15X16SR PASSIVESРучка с указателем: 6 мм, d15*16мм, с насечкой Резистори змінні та підлаштовні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GS6M-15X16SR PASSIVESCategory: Knobs for shaft potentiometers
Description: Knob; with pointer; aluminium,thermoplastic; Øshaft: 6mm; silver
Type of accessories for potentiometer: knob
Kind of knob: with pointer
Colour: silver
Knob dimensions: Ø15x16mm
Shaft diameter: 6mm
Material: aluminium; thermoplastic
Mounting: push-in
Shaft surface: knurled
на замовлення 1948 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
5+111.09 грн
10+79.67 грн
50+71.29 грн
100+59.54 грн
500+56.19 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4