Продукція > FDM

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 35 36 37 38 39 40
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
FDMT80040DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMT80040DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 420 A, 440 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 420A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Dual Cool PowerTrench
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 440µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 952 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+337.58 грн
250+334.82 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80040DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 64A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+364.77 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80040DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 64A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 4197 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+452.84 грн
10+410.04 грн
25+405.88 грн
100+351.74 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80060DCONN
на замовлення 8954 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80060DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 8-Pin TDFNW EP T/R
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+388.58 грн
10+382.35 грн
25+376.20 грн
100+356.75 грн
250+324.84 грн
500+306.58 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80060DConsemiMOSFETs 60V Nch Dual Cool Power Trench MOSFET
на замовлення 4694 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+650.76 грн
10+438.23 грн
100+282.35 грн
1000+263.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80060DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMT80060DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 292 A, 870 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 292A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+574.25 грн
50+405.12 грн
100+347.13 грн
500+320.84 грн
1500+292.01 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80060DConsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 43A/292A 8DUAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 292A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20170 pF @ 30 V
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+565.39 грн
10+371.17 грн
100+290.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80060DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 8-Pin TDFNW EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80060DCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 184A; Idm: 1825A; 156W; DFNW8
Kind of package: reel; tape
Case: DFNW8
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Mounting: SMD
Polarisation: unipolar
Gate charge: 238nC
On-state resistance: 1.7mΩ
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Power dissipation: 156W
Drain current: 184A
Pulsed drain current: 1825A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80060DConsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 43A/292A 8DUAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 43A (Ta), 292A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 43A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 238 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20170 pF @ 30 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80060DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 43A 8-Pin TDFNW EP T/R
на замовлення 508 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+388.58 грн
38+376.20 грн
100+356.75 грн
250+324.84 грн
500+306.58 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80060DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMT80060DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 292 A, 870 µohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85413000
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 292A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 870µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 5151 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+574.25 грн
50+405.12 грн
100+347.13 грн
500+320.84 грн
1500+292.01 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMT80080DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 254 A, 1350 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 254A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Dual Cool 88
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+229.54 грн
500+205.66 грн
1500+185.70 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+288.22 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DCONSEMICategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 80V; 160A; Idm: 1453A; 156W; DFNW8
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 160A
Pulsed drain current: 1453A
Power dissipation: 156W
Case: DFNW8
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.22mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 273nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DCFairchild/ON SemiconductorN-канальний ПТ, Udss, В = 80, Id = 36 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 20720 @ 40, Qg, нКл = 273 @ 10 В, Rds = 1,35 мОм @ 36 A, 10 В, Ugs(th) = 4 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,2, 156, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd, Id2 = 254 A,... Транзистори Корпус: PowerVDFN-
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+248.82 грн
58+244.94 грн
59+241.16 грн
100+228.81 грн
250+208.41 грн
500+196.83 грн
1000+193.51 грн
Мінімальне замовлення: 57 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DConsemi / FairchildMOSFETs 80V N ch Dual Cool Power Trench MOSFET
на замовлення 4046 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+266.59 грн
10+219.91 грн
100+167.75 грн
500+166.37 грн
1000+160.16 грн
3000+143.59 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DCONSEMIDescription: ONSEMI - FDMT80080DC - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 254 A, 1350 µohm, Dual Cool 88, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 254A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Dual Cool 88
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: PowerTrench Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+314.11 грн
50+261.75 грн
100+229.54 грн
500+205.66 грн
1500+185.70 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 36A/254A 8DUAL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 254A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20720 pF @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 1524 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+248.82 грн
10+244.94 грн
25+241.16 грн
100+228.81 грн
250+208.41 грн
500+196.83 грн
1000+193.51 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DCONN
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R
на замовлення 224220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
123+288.22 грн
Мінімальне замовлення: 123 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DConsemiMOSFETs 80V N ch Dual Cool Power Trench MOSFET
на замовлення 2426 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+486.46 грн
10+314.38 грн
100+201.58 грн
500+179.49 грн
1000+168.44 грн
3000+158.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DConsemiDescription: MOSFET N-CH 80V 36A/254A 8DUAL
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Ta), 254A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.35mOhm @ 36A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.2W (Ta), 156W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: 8-Dual Cool™88
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 8V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 273 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20720 pF @ 40 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMT80080DCON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
FDMW2512NZFairchild SemiconductorDescription: SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
на замовлення 65743 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1374+16.10 грн
Мінімальне замовлення: 1374 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 12 16 20 24 28 32 35 36 37 38 39 40