Продукція > 2sk

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 8 16 24 32 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 56 64 72 80  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
2SK3044
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3044Panasonic IndustryDescription: MOSFET N-CH 450V 7A TO220D-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220D-A1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 450 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3045
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3045Panasonic IndustryDescription: MOSFET N-CH 500V 2.5A TO220D-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220D-A1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 330 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3046Panasonic IndustryDescription: MOSFET N-CH 500V 7A TO220D-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 4A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220D-A1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 20 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3046TOSHIBA
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3047
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3047Panasonic IndustryDescription: MOSFET N-CH 800V 2A TO220D-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220D-A1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3048Panasonic IndustryDescription: MOSFET N-CH 600V 3A TO220D-A1
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.5Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta), 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220D-A1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3048
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3049
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK304C
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK304D
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK304E-SPAON Semiconductor2SK304E-SPA
на замовлення 39623 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+10.47 грн
80+9.43 грн
127+5.94 грн
500+4.91 грн
1000+4.04 грн
2500+3.07 грн
10000+2.83 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK304E-SPAonsemiDescription: NCH J-FET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK304E-SPA-AConsemiDescription: NCH J-FET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK304F
на замовлення 26000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3050ROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3050
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3050TLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 2A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25.6 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3050TLROHM SemiconductorMOSFETs POWER MOSFET SURF MOUNT
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3051
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3053-AZRenesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3054NEC
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3054-T1NECSOT23/SOT323
на замовлення 2674 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3054-T1-ARenesasTrans MOSFET N-CH 50V 0.1A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22.77 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3054-T1-ARenesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 50V 100MA SC70-3 SSP
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20Ohm @ 10mA, 4V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1µA
Supplier Device Package: SC-70-3, SSP, Miniature Mini Mold
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8000 pF @ 3 V
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1581+14.01 грн
Мінімальне замовлення: 1581 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3054-T1-ARenesasTrans MOSFET N-CH 50V 0.1A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2381+14.85 грн
10000+13.24 грн
Мінімальне замовлення: 2381 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3054-T1-ARenesasTrans MOSFET N-CH 50V 0.1A 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 2075 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
613+23.08 грн
Мінімальне замовлення: 613 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3054C(0)-T1-ARenesas ElectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3054C(0)-T1-ATRenesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3054C-T1-ARenesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3054C-T1-ATRenesas ElectronicsMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3054T106
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3054T1B
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3055
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3055(1)-AZRenesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 100257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+203.44 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3055(1)-AZRenesasSwitching N-Channel Power Mos FET Industrial Use
на замовлення 100257 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
143+247.51 грн
500+234.55 грн
1000+221.58 грн
10000+201.17 грн
Мінімальне замовлення: 143 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3055-AZRenesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3055-AZRenesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
109+203.44 грн
Мінімальне замовлення: 109 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3056NECSOT263
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3056-ZNEC2002 TO-263
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3056Z
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3057NEC
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3057-AZRenesas ElectronicsRenesas Electronics
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3057-AZRenesas Electronics CorporationDescription: 2SK3057 - POWER TRS2
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2378 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+187.29 грн
Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3058-AZRenesas Electronics America IncDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3058-Z-E1-AZNEC Corporation2SK3058-Z-E1-AZ
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
181+195.65 грн
500+186.22 грн
1000+175.62 грн
Мінімальне замовлення: 181 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3058-Z-E1-AZNEC CorporationDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 28A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-263, TO-220SMD
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): 20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 10 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
137+161.47 грн
Мінімальне замовлення: 137 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3058Z
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3059NEC
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3060-Z-E1-AZRenesas Electronics CorporationDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+526.45 грн
Мінімальне замовлення: 42 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3060-Z-E1-AZRenesasSWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET INDUSTRIAL USE
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+672.99 грн
100+638.81 грн
500+605.81 грн
1000+551.22 грн
Мінімальне замовлення: 53 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3060Z
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3061
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3062Z
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3064PANASONIC
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK306400LPanasonic IndustryDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA SMINI3-G1
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 10mA, 5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1µA
Supplier Device Package: SMini3-G1
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK306400LPANASONIC
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3064G0LPanasonic IndustryDescription: MOSFET N-CH 30V 100MA SMINI3-F2
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50Ohm @ 10mA, 5V
Power Dissipation (Max): 150mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 1µA
Supplier Device Package: SMini3-F2
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3065 T100ROHMSOT89
на замовлення 604 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3065T100ROHM SemiconductorMOSFETs N-CH 60V 2A
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3065T100ROHMDescription: ROHM - 2SK3065T100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.32 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3065T100RohmMOSFET N-CH 60V 2A SOT-89 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3065T100Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 60V 2A 4-Pin(3+Tab) MPT T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+68.38 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3065T100Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3065T100ROHMDescription: ROHM - 2SK3065T100 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 2 A, 0.32 ohm, SOT-89, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Bauform - Transistor: SOT-89
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 396 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3065T100ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 2A; Idm: 8A; 0.5W; SC62; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 2A
Power dissipation: 0.5W
Case: SC62
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Pulsed drain current: 8A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3065T100Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 2A MPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 1A, 4V
Power Dissipation (Max): 500mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 1mA
Supplier Device Package: MPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 10 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3065T100 (транзистор)
Код товару: 51320
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3065\KEROHMSOT-89
на замовлення 850 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3067
Код товару: 22470
Додати до обраних Обраний товар
ToshibaТранзистори > Польові N-канальні
Корпус: TO-220F
Напруга сток-витік Uds, В: 600 В
Струм стоку Idd, А: 2 А
Опір відкритого каналу Rds(on), Ом: 4,2 Ом
Вхідна ємність Ciss, пФ / заряд затвора Qg, nC: 380/9
Примітка: Ізольований корпус
Монтаж: THT
товару немає в наявності
1+35.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3067(Q)TOSHIBA05+06+
на замовлення 146800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3068ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3068TOSHIBA
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3068 (Q)ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3068 (TE24L,Q)ToshibaMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3068(TE24L,Q)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO220SM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 520mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220SM
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3069
Код товару: 158488
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3069
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3070LHITACHI
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3070SHITACHI
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3071ROHM
на замовлення 5800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3072SANYO
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3072-TBSANYOSOT23-HK
на замовлення 93000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3072-TB-EONSEMIDescription: ONSEMI - 2SK3072-TB-E - 2SK3072 - N-CHANNEL 4V DRIVE SERIES
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 300 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3072-TB-EonsemiDescription: NCH 4V DRIVE SERIES
Packaging: Bulk
Part Status: Active
на замовлення 2219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
865+25.78 грн
Мінімальне замовлення: 865 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3072-TB-EON SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 450V 0.03A 3-Pin CP
на замовлення 2219 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1304+27.14 грн
Мінімальне замовлення: 1304 шт
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3072-TB-E/HK
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3072-TBSOT23-HKSANYO
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3074TOSHIBA
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3074ToshibaToshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3074TE12LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: MOSF RF N CH 30V 1A PW-MINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-243AA
Current Rating (Amps): 1A
Frequency: 520MHz
Configuration: N-Channel
Power - Output: 630mW
Gain: 14.9dB
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device Package: SC-62
Voltage - Rated: 30 V
Voltage - Test: 9.6 V
Current - Test: 50 mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3074TE12LFToshibaRF MOSFET Transistors N-Ch Radio Freq 1A 3W 30V VDSS
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3075Toshiba
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3075(TE12L)ToshibaRF MOSFET Transistors PW-X,ACTIVE,DISCON(07-10)/PHASE-OUT(09-10)/OBSOLETE(10-04),
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3075(TE12L,Q)TOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SK3075(TE12L,Q) - HF-FET-Transistor, 30 V, 5 A, 20 W, 520 MHz, SMD
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Betriebsfrequenz, max.: 520MHz
Betriebsfrequenz, min.: -
Verlustleistung: 20W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3075(TE12L,Q)
Код товару: 30852
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3075(TE12L,Q)ToshibaRF MOSFET Transistors N-Ch Radio Freq 5A 20W 30V VDSS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
2SK3075(TE12L,Q)TOSHIBADescription: TOSHIBA - 2SK3075(TE12L,Q) - HF-FET-Transistor, 30 V, 5 A, 20 W, 520 MHz, SMD
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Betriebsfrequenz, max.: 520MHz
Betriebsfrequenz, min.: -
Verlustleistung: 20W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 653 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 8 16 24 32 40 41 42 43 44 45 46 47 48 49 50 56 64 72 80  [ Наступна Сторінка >> ]