Продукція > 2SA
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2SA2174G0L | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS PNP 50V 0.1A SSMINI3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2174J0L | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS PNP 50V 0.1A SSMINI3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2174J0L | Panasonic Electronic Components | Description: TRANS PNP 50V 0.1A SSMINI3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA218 | на замовлення 3560 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| 2SA2180 | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SA2180 - 2SA2180, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2180 | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 5A TO-220ML Power - Max: 2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Part Status: Obsolete Supplier Device Package: TO-220ML Frequency - Transition: 130MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 125mA, 2V Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 125mA, 2.5A Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Full Pack Packaging: Bulk | на замовлення 16000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA2180 | Sanyo | Description: TRANS PNP 50V 5A TO-220ML Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 125mA, 2.5A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 125mA, 2V Frequency - Transition: 130MHz Supplier Device Package: TO-220ML Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 5 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 2 W | на замовлення 2883 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA2182 (Q) | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2182 (Q) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2182 (STA4, Q) | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2182 (STA4, Q) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2182(Q) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT PNP 230V 1A Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2182(STA4, Q) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2182(STA4,Q) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT PNP 230V 1A Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2182(STA4Q) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2183,PEDQ(M | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2183,S5Q(J | Toshiba | Trans GP BJT PNP 60V 5A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220SIS | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA2183,S5Q(J | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2184 | Toshiba | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2184(T6L1ROM,NQ | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2184(TE16L1,NQ) | Toshiba | Trans GP BJT PNP 550V 1A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R | на замовлення 5220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA2184(TE16L1,NQ) | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2184(TE16L1,NV) | Toshiba | Trans GP BJT PNP 550V 1A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R | на замовлення 1457 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA2184(TE16L1,NV) | Toshiba | Trans GP BJT PNP 550V 1A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R | на замовлення 1177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA2184(TE16L1,NV) | Toshiba | Trans GP BJT PNP 550V 1A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R | на замовлення 1791 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA2184(TE16L1,NV) | Toshiba | Trans GP BJT PNP 550V 1A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R | на замовлення 1177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA2184(TE16L1,NV) | Toshiba | Toshiba | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2184(TE16L1,NV) | Toshiba | Trans GP BJT PNP 550V 1A 1000mW 3-Pin(2+Tab) New PW-Mold T/R | на замовлення 1177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA2184-HF | Comchip Technology | Bipolar Transistors - BJT TRANS PNP 1A 450V TO-252 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2184-HF | Comchip Technology | Description: TRANS PNP 450V 1A TO-252-2 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 700mV @ 60mA, 300mA Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 100mA, 5V Supplier Device Package: TO-252-2 Current - Collector (Ic) (Max): 1 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 450 V Power - Max: 1 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2186-AN | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 50V | на замовлення 1206 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2186-AN | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 2A 3NMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2186-AN | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 2A 3NMP | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA219 | NEC | CAN | на замовлення 461 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2195,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 1.7A UFM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 33mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 300mA, 2V Supplier Device Package: UFM Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW | на замовлення 2599 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA2195,LF | Toshiba Semiconductor and Storage | Description: TRANS PNP 50V 1.7A UFM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-SMD, Flat Leads Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 33mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 300mA, 2V Supplier Device Package: UFM Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 1.7 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 500 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2195,LF | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT TRANS-SS PNP 3SMD 50V | на замовлення 2997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2195,LF(B | Toshiba | 2SA2195,LF(B | на замовлення 2895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA2195,LF(B | Toshiba | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2195,LF(B | Toshiba | 2SA2195,LF(B | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA2195,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 1.7A 800mW 3-Pin UFM T/R | на замовлення 1138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA2195,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 1.7A 800mW 3-Pin UFM T/R | на замовлення 1688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA2195,LF(T | Toshiba | Trans GP BJT PNP 50V 1.7A 800mW 3-Pin UFM T/R | на замовлення 1138 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA2199 | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2199 T2L R | ROHM | SOT23 | на замовлення 5525 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2199T2L | ROHM Semiconductor | ROHM Semiconductor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2199T2LR | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 50V 0.1A VMN3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA22 | NEC | CAN | на замовлення 391 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA220 | NEC | CAN | на замовлення 843 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2201-TD-E | Sanyo | Description: PNP SILICON TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 423 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2202 | onsemi | BIP PNP 2A 100V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2202-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA2202-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 15263 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA2202-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA2202-TD-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SA2202-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 3.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 3611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2202-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 2685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA2202-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 987 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA2202-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA2202-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA2202-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2202-TD-E | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 2A PCP Supplier Device Package: PCP Frequency - Transition: 300MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 3.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Active | на замовлення 1671 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA2202-TD-E | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 100V | на замовлення 2481 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2202-TD-E | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 100V; 2A; 1.3W; SOT89 Mounting: SMD Collector current: 2A Power dissipation: 1.3W Collector-emitter voltage: 100V Current gain: 200...400 Frequency: 300MHz Polarisation: bipolar Case: SOT89 Type of transistor: PNP Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2202-TD-E | ONN | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2SA2202-TD-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SA2202-TD-E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 100 V, 2 A, 3.5 W, SOT-89, Oberflächenmontage tariffCode: 85413000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 3.5W SVHC: Lead (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-89 Dauerkollektorstrom: 2A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 100V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 3611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2202-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 2685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA2202-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA2202-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | на замовлення 1980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA2202-TD-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 2A 1300mW 4-Pin(3+Tab) SOT-89 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2202-TD-E | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 2A PCP Power - Max: 3.5 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Part Status: Active Supplier Device Package: PCP Frequency - Transition: 300MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-243AA Packaging: Tape & Reel (TR) | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA2203-TL-E | ON Semiconductor | Description: BIP PNP 3A 60V | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 859 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2205-E | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 100V | на замовлення 1326 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2205-E | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 2A TP Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Bulk Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Supplier Device Package: TP Frequency - Transition: 300MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2205-TL-E | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 2A TPFA Power - Max: 800 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Supplier Device Package: TP-FA Frequency - Transition: 300MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 1A Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 700 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2205-TL-E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 100V 2A 800mW 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2205-TL-E | ON Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 2A 100V | на замовлення 1265 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2205-TL-E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SA2205-TL-E - 2SA2205-TL-E, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 6300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 700 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2205-TL-E | onsemi | Description: TRANS PNP 100V 2A TPFA Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 1A Current - Collector Cutoff (Max): 1µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: TP-FA Current - Collector (Ic) (Max): 2 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Power - Max: 800 mW | на замовлення 13300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA2206 | Toshiba | Array | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2206TE12LF | Toshiba | Trans GP BJT PNP 80V 2A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2206TE12LF | Toshiba | Trans GP BJT PNP 80V 2A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R | на замовлення 1014 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA2206TE12LF | Toshiba | Trans GP BJT PNP 80V 2A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2206TE12LF | Toshiba | Trans GP BJT PNP 80V 2A 2500mW 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R | на замовлення 304 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 289 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA221 | NEC | CAN | на замовлення 691 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2210 | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 20A TO-220F-3SG Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 350mA, 7A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: TO-220F-3SG Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 300 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2210 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 20A 50V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2210-1E | onsemi | Description: TRANS PNP 50V 20A TO-220F-3SG Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 350mA, 7A Current - Collector Cutoff (Max): 10µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 1A, 2V Frequency - Transition: 140MHz Supplier Device Package: TO-220F-3SG Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2210-1E | ONSEMI | Category: PNP THT transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 50V; 20A; 30W; TO220FP Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 20A Power dissipation: 30W Case: TO220FP Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 140MHz Current gain: 150...450 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2210-1E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 20A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2210-1E Код товару: 176224
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||
| 2SA2210-1E | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2SA2210-1E - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 50 V, 20 A, 30 W, SC-67, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 30W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-67 Dauerkollektorstrom: 20A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 50V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 140MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2210-1E | onsemi | Bipolar Transistors - BJT Bipolar Transistor, -50V, -20A, Low VCE(sat), PNP TO-220F-3SG | на замовлення 280 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2210-1E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 20A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2210-1E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 20A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube | на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA2210-EPN-1E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 20A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220ML | на замовлення 2332 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA2210-EPN-1E | onsemi | Bipolar Transistors - BJT BIP PNP 20A 50V | на замовлення 397 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2210-EPN-1E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 20A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220ML | на замовлення 1038 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| 2SA2210-EPN-1E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 20A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220ML | на замовлення 62 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2210-EPN-1E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 20A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220ML | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2SA2210-EPN-1E | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 50V 20A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220ML | на замовлення 461 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

