Продукція > BC8

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 16 32 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 64 80 96 112 128 144 160 164  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
BC846BHZGT116ROHMDescription: ROHM - BC846BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 120 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 120mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BHZGT116Rohm SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.12A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BHZGT116
Код товару: 221541
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLonsemionsemi SS SOT23 GP XSTR NPN 65V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BL3-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 150mW 3-Pin DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BL3-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT NPN SIGNAL TRANSISTOR
на замовлення 9970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BL3-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN 65V 0.1A DFN1006-3
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10µA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1006-3
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 150 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLP4-7BDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLP4-7BDiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 65V 0.1A X2-DFN1006-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 410 mW
на замовлення 9745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
31+9.81 грн
100+6.09 грн
500+4.20 грн
1000+3.70 грн
2000+3.29 грн
5000+2.79 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLP4-7BDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 65V NPN Small Sig 80V 65V 100mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLP4-7BDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLP4-7BDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.66 грн
20000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLP4-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - BC846BLP4-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 460 mW, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 460mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC846
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
DC-Kollektorstrom: 100mA
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLP4-7BDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLP4-7BDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 690000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLP4-7BDiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN 65V 0.1A X2-DFN1006-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: X2-DFN1006-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 410 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLP4-7BDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLP4-7BDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLP4-7BDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLP4-7BDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.92 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLP4-7BDIODES INC.Description: DIODES INC. - BC846BLP4-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 460 mW, X2-DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 460mW
Bauform - Transistor: X2-DFN1006
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: BC846
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLP4-7BDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.98 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT1Diodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT1onsemiDescription: TRANS NPN 65V 100MA SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT1onsemiBipolar Transistors - BJT 100mA 80V NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT1 SOT23ON
на замовлення 1618 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - BC846BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 24175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT1GOn SemiconductorNPN, Uкэ=65V, Iк=0.1A, h21=150...450, 0.225Вт, 100МГц, SOT-23 Транзистори
на замовлення 70 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
70+11.14 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14355+2.46 грн
Мінімальне замовлення: 14355 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT1GonsemiDescription: TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.62 грн
58+5.28 грн
100+3.23 грн
500+2.19 грн
1000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT1GON-SemiconductorNPN 65V 100mA 300mW 100MHz BC846BLT3G (10000pcs/T&R) BC846BLT1G ONSemiconductor TBC846b ONS
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+0.82 грн
Мінімальне замовлення: 60 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT1G
Код товару: 112578
Додати до обраних Обраний товар
ONТранзистори > Біполярні NPN
Корпус: SOT-23
Гранична частота fT: 100 МГц
Напруга колектор-емітер Uceo, В: 65 В
Напруга колектор-база Ucbo, В: 80 В
Струм колектора Ic, А: 0,1 А
Монтаж: SMD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT1GONSEMIDescription: ONSEMI - BC846BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 300mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 24175 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT1GON SemiconductorТранзистор NPN, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 200 @ 2 мА, 5 В, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,6 @ 5 мА, 100 мА, Р, Вт = 0,225 Вт, Тексп, °C = -55...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт
кількість в упаковці: 3000 шт
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+10.38 грн
100+7.54 грн
119+6.37 грн
176+4.15 грн
250+3.48 грн
500+2.70 грн
1000+2.35 грн
3000+1.92 грн
6000+1.42 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
72+6.32 грн
100+4.19 грн
Мінімальне замовлення: 72 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT1GON-SemiconductorNPN 65V 100mA 300mW 100MHz BC846BLT3G (10000pcs/T&R) BC846BLT1G ONSemiconductor TBC846b ONS
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 590 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
3000+0.82 грн
Мінімальне замовлення: 590 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 141000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5377+2.63 грн
10136+1.40 грн
10417+1.36 грн
27000+1.28 грн
51000+1.14 грн
Мінімальне замовлення: 5377 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT1GonsemiDescription: TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 153000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.63 грн
6000+1.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT1GonsemiBipolar Transistors - BJT 100mA 80V NPN
на замовлення 1376253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT1GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 11550 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4492+3.15 грн
5155+2.74 грн
6303+2.24 грн
8523+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 4492 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT3onsemiBipolar Transistors - BJT 100mA 80V NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12712+1.11 грн
Мінімальне замовлення: 12712 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT3G
Код товару: 196221
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.59 грн
20000+1.35 грн
30000+0.99 грн
50000+0.70 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT3GonsemiDescription: TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.62 грн
58+5.28 грн
100+3.23 грн
500+2.19 грн
1000+1.91 грн
2000+1.68 грн
5000+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11451+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 11451 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 22212 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3387+4.18 грн
4778+2.96 грн
6225+2.27 грн
7463+1.83 грн
8572+1.47 грн
15000+1.03 грн
Мінімальне замовлення: 3387 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT3GonsemiBipolar Transistors - BJT 100mA 80V NPN
на замовлення 165067 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+10.67 грн
109+6.95 грн
110+6.87 грн
174+4.18 грн
250+3.83 грн
500+2.60 грн
1000+1.95 грн
3000+1.71 грн
6000+1.27 грн
Мінімальне замовлення: 71 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 170000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.55 грн
20000+1.40 грн
30000+1.03 грн
50000+0.69 грн
70000+0.63 грн
100000+0.60 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+1.18 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT3GONSEMIDescription: ONSEMI - BC846BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 116123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28038+1.26 грн
Мінімальне замовлення: 28038 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT3GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 65V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.54 грн
20000+0.77 грн
30000+0.72 грн
50000+0.68 грн
70000+0.62 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT3GonsemiDescription: TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 70000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.32 грн
20000+1.14 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 2704 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 459 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3297+4.29 грн
4659+3.04 грн
6225+2.27 грн
7076+1.93 грн
9555+1.32 грн
Мінімальне замовлення: 3297 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 80000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12097+1.17 грн
Мінімальне замовлення: 12097 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT3GONSEMIDescription: ONSEMI - BC846BLT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: -
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 116123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.02 грн
30000+1.78 грн
50000+1.59 грн
100000+1.45 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100000+0.60 грн
Мінімальне замовлення: 100000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.41 грн
20000+1.32 грн
30000+0.97 грн
50000+0.67 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT3GOn SemiconductorNPN, Uкэ=65V, Iк=0.1A, h21=150...450, 0.225Вт, 100МГц, SOT-23 (SMD) Транзистори
на замовлення 2 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2+390.00 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BLT3GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3967 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+13.13 грн
92+8.21 грн
147+5.14 грн
500+3.58 грн
1000+2.53 грн
2500+2.25 грн
Мінімальне замовлення: 58 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BMNexperiaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BM,315NexperiaTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BM,315Nexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 65V 0.1A DFN1006B-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 250 mW
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
28+11.02 грн
50+7.86 грн
100+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BM,315NexperiaBipolar Transistors - BJT BC846BM/SOT883/XQFN3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BM,315NexperiaTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 9180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7426+4.76 грн
Мінімальне замовлення: 7426 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BM,315NexperiaTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW Automotive AEC-Q101 3-Pin DFN T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.66 грн
20000+1.64 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BM,315NEXPERIADescription: NEXPERIA - BC846BM,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 250 mW, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BM,315NexperiaTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11279+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 11279 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BM,315Nexperia USA Inc.Description: TRANS NPN 65V 0.1A DFN1006B-3
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Power - Max: 250 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Frequency - Transition: 100MHz
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Transistor Type: NPN
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 3-XFDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BM,315NexperiaTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30000+2.14 грн
50000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BM,315NexperiaTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+1.40 грн
20000+1.25 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BM,315NEXPERIADescription: NEXPERIA - BC846BM,315 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 250 mW, DFN1006, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250mW
Bauform - Transistor: DFN1006
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BM,315NexperiaTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+2.36 грн
20000+2.01 грн
30000+1.99 грн
50000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BM-QYLNexperia USA Inc.Description: BC846BM-Q/SOT883/XQFN3
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BM-QYLNexperiaBipolar Transistors - BJT BC846BM-Q/SOT883/XQFN3
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BM3-TPMicro Commercial CoDescription: Interface
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 1mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-723
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 265 mW
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BM3-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT NPN SIGNAL TRANSISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BM3-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 265mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 152000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12500+1.13 грн
Мінімальне замовлення: 12500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BM3-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 265mW 3-Pin SOT-723 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BM315NXP USA Inc.Description: TRANS NPN 65V 0.1A DFN1006B-3
Packaging: Bulk
Package / Case: 3-XFDFN
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 200mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: DFN1006B-3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 250 mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BM3T5GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 5019 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2337+6.05 грн
3276+4.32 грн
4044+3.50 грн
Мінімальне замовлення: 2337 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BM3T5GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13275+2.67 грн
Мінімальне замовлення: 13275 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BM3T5GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17544+2.02 грн
Мінімальне замовлення: 17544 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BM3T5GonsemiBipolar Transistors - BJT 100mA 80V NPN
на замовлення 77537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC846BM3T5GON SemiconductorTrans GP BJT NPN 65V 0.1A 640mW 3-Pin SOT-723 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 16 32 42 43 44 45 46 47 48 49 50 51 52 64 80 96 112 128 144 160 164  [ Наступна Сторінка >> ]