Продукція > BC8
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BC846BFSW-7 | Diodes Zetex | BC846BFSW-7 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BFSW-7 | Diodes Zetex | BC846BFSW-7 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BFSW-7 | Diodes Zetex | BC846BFSW-7 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BFSW-7 | Diodes Zetex | NPN Small Signal Transistor | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BFSW-7 | Diodes Zetex | BC846BFSW-7 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BFSW-7 | Diodes Zetex | BC846BFSW-7 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BFSW-7 | Diodes Zetex | BC846BFSW-7 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BFSW-7 | Diodes Zetex | BC846BFSW-7 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BFSW-7 | Diodes Zetex | NPN Small Signal Transistor | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BFSW-7 | Diodes Zetex | BC846BFSW-7 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BFSW-7 | Diodes Zetex | BC846BFSW-7 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BFSW-7 | Diodes Zetex | BC846BFSW-7 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BFSW-7 | Diodes Zetex | BC846BFSW-7 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BFSW-7 | Diodes Zetex | BC846BFSW-7 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BFSW-7 | Diodes Zetex | BC846BFSW-7 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BFSW-7 | Diodes Zetex | BC846BFSW-7 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BFSW-7 | Diodes Zetex | BC846BFSW-7 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BFSW-7 | Diodes Zetex | BC846BFSW-7 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BFSW-7 | Diodes Zetex | BC846BFSW-7 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BFSW-7 | Diodes Zetex | NPN Small Signal Transistor | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BFSW-7 | Diodes Zetex | BC846BFSW-7 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BFSW-7 | Diodes Zetex | BC846BFSW-7 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BFSW-7 | Diodes Zetex | BC846BFSW-7 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BFSW-7 | Diodes Zetex | BC846BFSW-7 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BFSW-7 | Diodes Zetex | BC846BFSW-7 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BFSWQ-7 | Diodes Zetex | BC846BFSWQ-7 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BFSWQ-7 | Diodes Zetex | BC846BFSWQ-7 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BFSWQ-7 | Diodes Zetex | BC846BFSWQ-7 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BFSWQ-7 | Diodes Zetex | BC846BFSWQ-7 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BFSWQ-7 | Diodes Zetex | BC846BFSWQ-7 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BFSWQ-7 | Diodes Zetex | BC846BFSWQ-7 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BFSWQ-7 | Diodes Zetex | BC846BFSWQ-7 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BFSWQ-7 | Diodes Zetex | BC846BFSWQ-7 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BFSWQ-7 | Diodes Zetex | BC846BFSWQ-7 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BFSWQ-7 | Diodes Zetex | BC846BFSWQ-7 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BFSWQ-7 | Diodes Zetex | BC846BFSWQ-7 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BFSWQ-7 | Diodes Zetex | BC846BFSWQ-7 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BFSWQ-7 | Diodes Zetex | BC846BFSWQ-7 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BFSWQ-7 | Diodes Zetex | BC846BFSWQ-7 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BFSWQ-7 | Diodes Zetex | BC846BFSWQ-7 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BFSWQ-7 | Diodes Zetex | BC846BFSWQ-7 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BFSWQ-7 | Diodes Zetex | BC846BFSWQ-7 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BFSWQ-7 | Diodes Zetex | BC846BFSWQ-7 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BFSWQ-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor U-DFN1412-3 T&R 5K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 16 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BFSWQ-7 | Diodes Zetex | BC846BFSWQ-7 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BH RFG | Taiwan Semiconductor | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BH RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 100MA, 80V NPN TRANSISTOR Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2624 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BH RFG | Taiwan Semiconductor | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BH RFG | Taiwan Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 100mA, 80V NPN transistor | на замовлення 7620 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BH RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: 100MA, 80V NPN TRANSISTOR Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BH RFG | Taiwan Semiconductor | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-23 Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BHE3-13P | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BHE3-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 225mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BHE3-TP | Micro Computer Control | BC846BHE3-TP | на замовлення 177000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BHE3-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS NPN 65V 0.1A SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 225 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BHE3-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 225mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 651000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BHE3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT NPN 80Vcbo 65Vceo 6Vebo 100mA 225mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BHE3-TP | Micro Commercial Co | Description: TRANS NPN 65V 0.1A SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 225 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BHZGT116 | Rohm | TRANS 65V 0.12A SST3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS 65V 0.12A SST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Current - Collector (Ic) (Max): 120 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SST3 Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - BC846BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 120 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 200mW euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V Dauerkollektorstrom: 120mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 120mA Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BHZGT116 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT SOT-23 BJT NPN 65V 120MA | на замовлення 8731 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BHZGT116 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS 65V 0.12A SST3 Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Current - Collector (Ic) (Max): 120 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SST3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Grade: Automotive | на замовлення 504 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BHZGT116 | ROHM | Description: ROHM - BC846BHZGT116 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 120 mA, 200 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 120mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 855 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BHZGT116 Код товару: 221541
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BC846BHZGT116 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT NPN 65V 0.12A 350mW 3-Pin SST T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BL | onsemi | onsemi SS SOT23 GP XSTR NPN 65V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BL3-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - BC846BL3-TP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 150 mW, DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 3495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BL3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 65V 0.1A DFN1006-3 Packaging: Bulk Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 10µA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1006-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 150 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BL3-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - BC846BL3-TP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 150 mW, DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 150mW SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: DFN1006 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 3495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BL3-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 150mW 3-Pin DFN T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BL3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT NPN SIGNAL TRANSISTOR | на замовлення 9970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BLP4-7B | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BLP4-7B | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BLP4-7B | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT 65V NPN Small Sig 80V 65V 100mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BLP4-7B | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BLP4-7B | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BC846BLP4-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 460 mW, X2-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: X2-DFN1006 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC846 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BLP4-7B | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BLP4-7B | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BLP4-7B | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BLP4-7B | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 65V 0.1A X2-DFN1006-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 410 mW | на замовлення 9745 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BLP4-7B | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BLP4-7B | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BC846BLP4-7B - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 460 mW, X2-DFN1006, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 200hFE Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 460mW euEccn: NLR Verlustleistung: 460mW Bauform - Transistor: X2-DFN1006 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 65V Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BC846 Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 100mA Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BLP4-7B | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BLP4-7B | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BLP4-7B | Diodes Zetex | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 1000mW 3-Pin X2-DFN T/R | на замовлення 690000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BLP4-7B | Diodes Incorporated | Description: TRANS NPN 65V 0.1A X2-DFN1006-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XFDFN Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: X2-DFN1006-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 410 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BLT1 | onsemi | Description: TRANS NPN 65V 100MA SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BLT1 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BLT1 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BLT1 SOT23 | ON | на замовлення 1618 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BC846BLT1G | ON-Semiconductor | NPN 65V 100mA 300mW 100MHz BC846BLT3G (10000pcs/T&R) BC846BLT1G ONSemiconductor TBC846b ONS кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 590 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BLT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 141000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BLT1G | On Semiconductor | NPN, Uкэ=65V, Iк=0.1A, h21=150...450, 0.225Вт, 100МГц, SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BLT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 65V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 439600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC846BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 28951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BLT1G Код товару: 112578
Додати до обраних
Обраний товар
| ON | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: SOT-23 fT: 100 MHz Uceo,V: 65 V Ucbo,V: 80 V Ic,A: 0,1 A Монтаж: SMD | товару немає в наявності
очікується: 4000 шт
| В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC846BLT1G | ON-Semiconductor | NPN 65V 100mA 300mW 100MHz BC846BLT3G (10000pcs/T&R) BC846BLT1G ONSemiconductor TBC846b ONS кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 60 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC846BLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

